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公开(公告)号：CN105468590B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201410273618.5
申请日：2014-06-18
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G06F16/532
摘要： 本发明提供一种提高图形搜索准确率的方法，包括：对一原始版图制定短边尺寸的选取标准；在所述版图中选取符合所述选取标准的目标图形；将所述目标图形中的短边进行去除，以形成一临时版图；定义需要搜索的特定图形的尺寸要求；在所述临时版图中，搜索所有满足所述尺寸要求的特定图形，并获得其所对应的坐标位置；在所述原始版图中，根据所述坐标位置找到对应的图形。本发明可实现以最简单的搜索规则找到所有满足尺寸要求的特定图形，不会因为产品版图中存在不可预期的短边而漏掉一些符合尺寸要求的特定图形，在很大的程度上提高了图形搜索的准确率。
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公开(公告)号：CN106295049A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610694146.X
申请日：2016-08-19
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5081
摘要： 一种多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法，包括：第一步骤：产品数据导入；第二步骤：产生产品平面布置图和划片区数据；第三步骤：确定划片区的切割起始点与切割提取范围；第四步骤：确定各共乘产品的切割起始点与切割提取范围；第五步骤：对划片区按照第三步骤中的切割起始点和切割范围以指定的格点大小独立进行切割和几何信息提取；第六步骤：对各共乘产品按照第四步骤中的切割起始点和切割范围以指定的格点大小独立进行切割和几何信息提取；第七步骤：将第五步骤和第六步骤中产生的独立提取几何信息按照一定关系进行合并，以产生与合并数据提取相同的提取几何信息；第八步骤：将第七步骤中产生的合并几何信息用于可制造性热点检测。
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公开(公告)号：CN103219254B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201310082001.0
申请日：2013-03-14
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种形成金属垫的方法，通过在具有金属垫图形的版图设计完成后，在该版图的金属垫图形中插入设定图形，并进行逻辑运算，以最终产生带设定图形结构的金属垫，从而能在金属垫受到机械或热应力时，有效避免在导电线与金属垫之间的界面和金属垫与相邻层间的电介质之间的材料界面上产生的分离或开裂现象，大大减少在进行制造工艺过程中产生如凹陷等缺陷，提高了器件的性能，增大了产品的良率。
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公开(公告)号：CN102437146B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110235260.3
申请日：2011-08-17
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L27/02
摘要： 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种通孔关键尺寸检测版图的优化方法。本发明公开了一种通孔关键尺寸检测版图的优化方法，通过对通孔关键尺寸检测图形所对应的底层金属版图的优化，及对此区域金属层版图填充冗余图形，从而改善底层金属层的平坦度问题，以增大通孔关键尺寸检测图形的光刻工艺窗口。
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公开(公告)号：CN102945302A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210432405.3
申请日：2012-11-02
申请人： 上海华力微电子有限公司
摘要： 本发明提供一种划分高填充率冗余图形的方法，包括以下顺序步骤：首先，划出需要填充冗余图形的空白区域，确定空白区域的边线；之后，在相距空白区域边线内侧一定距离的地方划出冗余图形的边线，其中所述冗余图形各条侧边线与相对应空白区域边线之间保持数值为d的距离，最后，由各条冗余图形侧边线组成的图形即为冗余图形。本发明提供的划分高填充率冗余图形的方法能形成具有高填充率冗余图形，有助于提高版图整体的图形密度均一性，降低版图各处的图形密度梯度差，最终提高硅片在化学机械研磨及刻蚀后的均一性。
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公开(公告)号：CN102569265A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210014991.X
申请日：2012-01-18
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L23/60
摘要： 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种掩模板防静电环。本发明一种掩模板防静电环，通过将掩模板防静电环的拐角内角设置为钝角或圆弧形状，能有效的避免尖端放电，从而保护了掩模板内部的图形不受静电的破坏。
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公开(公告)号：CN102445864A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110322329.6
申请日：2011-10-21
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G03F9/00
摘要： 本发明公开了一种降低光刻对准失效率的方法，其中，于一包含光刻机粗对准标记的多层复合结构的预定层中加入冗余图形，且使靠近所述光刻机粗对准标记的所述冗余图形相互错开。本发明的有益效果是：在硅片光刻粗对准时，使冗余图形的信号与光刻对准标记有明显的区别，从而使其不能被光刻机误认为粗对准标记或干扰粗对准标记的信号，以降低光刻对准的失效率。
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公开(公告)号：CN106021707B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201610327932.6
申请日：2016-05-17
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明提供了一种函括格点边缘区域图形数据的版图特征参数提取方法，包括：对原始设计版图数据进行至少四次格点划分，而且，在格点划分的同时，将格点的所有边由图形内向外扩展，扩展后即形成了环状区域；区分格点内的图形与格点边缘图形；计算格点内的图形进行权重线宽、图形周长、图形密度，得到计算结果和影响因子定位；计算格点边缘区域的图形进行权重线宽、图形周长、图形密度，得到计算结果和影响因子定位；计算所有格点的几何特征参数值。
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公开(公告)号：CN106024664B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201610355194.6
申请日：2016-05-25
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L23/544
摘要： 本发明公开了一种金属层膜厚堆叠模型校准的方法及系统，该方法基于准确的金属层化学机械研磨模型，在模型预测能力范围内，通过改变模型输入参数预测不同的DOE晶圆金属层厚度，输出所需的监控区域的厚度，并将其用于光谱校准过程，通过本发明，不仅缩短了校准的时间，而且提高了膜厚堆叠模型的准确性。
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公开(公告)号：CN105093850B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510489028.0
申请日：2015-08-11
申请人： 上海华力微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种避免光刻机镜头过热的方法，提供若干在掩膜板的透光区域进行待填充的虚拟图形的结构；然后对测试掩膜版进行设计和制造，并进行光刻实验，根据光刻实验数据确定虚拟图形的形状和尺寸；接着进行芯片版图设计；再接着将芯片版图按照边长为A的正方形分成若干窗格，分析各窗格的透光率并确定各窗格中虚拟图形的填充量；然后对芯片掩膜版进行填充，在各窗格中填充预设形状、尺寸以及数量的虚拟图形；最后制造芯片掩膜版，并通过芯片掩膜板进行曝光工艺。本发明通过在掩膜板上填充不会再芯片上成像的虚拟图形，以降低掩膜板的透光区域面积占整个曝光单元面积的比例，减少了光刻机镜头吸收的能量，降低了连续曝光后镜头升高的温度。
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