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公开(公告)号：CN104698747B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201510144159.5
申请日：2015-03-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G03F7/00 , H01L21/033
摘要： 本发明涉及半导体工艺技术领域，本发明提供了一种提高二维图形解析度的工艺方法，采用了二次曝光的方式，对于最终设计图形中容易产生圆角以及缩短的区域，在第一次曝光时，将第一掩膜版的第一图形预先处理成向外延伸一定距离，在第二次曝光时，再涂覆上第二光刻胶层，将第二掩模版用于对预先延伸的区域遮挡，经过曝光蚀刻，使最终形成的图形与设计图形一致，避免图形产生拐角变圆以及线端缩短的现象，防止图形失真，提高二维图形的解析度。
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公开(公告)号：CN104765246B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201510144598.6
申请日：2015-03-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G03F1/36
摘要： 本发明公开了一种目标图形优化与OPC修正的集成方法，包括对金属层的目标图形的边进行切割，形成多个切割线段；模拟目标图形并计算每一切割线段的影像对数斜率；对每一切割线段产生一目标图形优化参数，其为影像对数斜率、目标图形与通孔层的通孔图形的重合度、以及特征尺寸三者的乘积；根据各切割线段的目标图形优化参数优化目标图形；对优化的目标图形进行光学邻近修正；判断修正的目标图形是否符合要求，若符合，结束处理；若不符合，则以修正的目标图形为当前目标图形并返回模拟目标图形并计算切割线段影像对数斜率的步骤。本发明的方法能够适用于结构复杂的二维图形且可改善工艺窗口。
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公开(公告)号：CN104460226B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201410714799.0
申请日：2014-11-28
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G03F1/72
摘要： 本发明涉及DFM可制造图形设计领域，尤其是涉及到一种光刻工艺热点的自动修复方法，首先对版图进行光刻工艺友善性检查；之后通过光刻工艺友善性检查生成光刻工艺热点的位置标记，并根据位置标记生成光刻工艺热点的考量数据区域和模拟区域，最后对数据区域的版图进行修改，并通过检查工具套件对修改进行有效性判定，以提供一种合适的修复方案；该技术方案实现了版图中的光刻工艺热点的快速自动修复和验证，实现了高程度的自动化要求，且其可制造性设计方案的操作性和效率大大提高，修复周期较短，一定程度上降低了时间成本。
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公开(公告)号：CN103645611B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310630278.2
申请日：2013-11-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明一种版图设计光刻工艺友善性检测方法，通过事先对原始目标图形数据进行过滤，确定潜在工艺热点区域，并将该潜在工艺热点区域的图形数据转化为光刻目标图形数据，然后对该光刻目标图形数据进行简化光学邻近效应修正和图形模拟来进行工艺热点的初查，并以工艺热点初查标记位置及必要周边位置的图形数据为基础进行精确而完整的光学邻近效应修正和图形模拟来进行工艺热点的终查，以在精确找到工艺热点的前提下，减少整个过程中软件计算和使用的时间，降低生产成本，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN104765246A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510144598.6
申请日：2015-03-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G03F1/36
CPC分类号： G03F1/36
摘要： 本发明公开了一种目标图形优化与OPC修正的集成方法，包括对金属层的目标图形的边进行切割，形成多个切割线段；模拟目标图形并计算每一切割线段的影像对数斜率；对每一切割线段产生一目标图形优化参数，其为影像对数斜率、目标图形与通孔层的通孔图形的重合度、以及特征尺寸三者的乘积；根据各切割线段的目标图形优化参数优化目标图形；对优化的目标图形进行光学邻近修正；判断修正的目标图形是否符合要求，若符合，结束处理；若不符合，则以修正的目标图形为当前目标图形并返回模拟目标图形并计算切割线段影像对数斜率的步骤。本发明的方法能够适用于结构复杂的二维图形且可改善工艺窗口。
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公开(公告)号：CN104701212A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510144256.4
申请日：2015-03-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种检测刻蚀负载效应的方法，通过预先定义密集沟槽结构、稀疏沟槽结构、完全刻蚀区和完全未刻蚀区等量测结构，然后光学线宽测量仪测量刻蚀后每个量测结构的量测参数，如关键尺寸、膜厚等，并通过简单数据处理即可得到刻蚀过程中该量测参数的负载效应。通过本发明的方法可以实时监控不同产品或刻蚀机台在刻蚀过程中的负载效应的变化，能够快速检测出刻蚀工艺或机台的异常情况，有利于维护刻蚀工艺的稳定性；同时，在新产品下线或新工艺开发过程中，也有利于快速确认刻蚀工艺的适用性。
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公开(公告)号：CN102983096B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210501020.8
申请日：2012-11-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 本发明公开了一种优化浅槽隔离刻蚀工艺的方法，该方法通过先调整刻蚀时间以获得不同刻蚀时间下的不同顶部圆化弧度形貌的浅沟槽，并进行顶部圆化弧度测量，建立浅沟槽顶部圆化弧度与刻蚀时间之间的对应关系；然后根据器件的电性规格与浅沟槽顶部圆化弧度之间的趋势，得到不同电性规格的器件实际对应的浅沟槽顶部圆化弧度；最后，根据不同电性规格的器件实际对应的浅沟槽顶部圆化弧度以及浅沟槽顶部圆化弧度与刻蚀时间之间的对应关系，计算并调节刻蚀时间，以精确控制并稳定器件的浅沟槽顶部圆化弧度。从而改变了以往只能粗略评估浅槽隔离顶部形貌的缺点，实现了精确控制在线制品的形貌和最终的电性，大大提高浅槽隔离开发效率和产品良率的方法。
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公开(公告)号：CN102437090B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201110194242.5
申请日：2011-07-12
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明无金属阻挡层的铜后道互连工艺解决了现有技术中金属连线过程中由于存在金属层刻蚀阻挡层残留导致的整体电容上升，进而导致电容延迟时间长的问题，淀积金属层刻蚀阻挡层后，依靠光刻、刻蚀首先去除非金属导线区域的多余金属层刻蚀阻挡层，随后淀积金属绝缘介质，再次光刻、刻蚀金属导线槽，并移除置于金属导线槽下部的剩余金属层刻蚀阻挡层，最终实现无金属层刻蚀阻挡层的铜互连工艺。
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公开(公告)号：CN102411260B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201110386285.3
申请日：2011-11-28
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G03F1/72
摘要： 本发明涉及一种掩膜板缺陷检测方法，包括如下步骤：将不同波长的光束投射到具有不同透光度图形区域的校准掩模板上，进行校准测试，建立基准数据库；将光束投射到待测掩膜板，测算该待测掩膜板对该光束的反射率、透射率中的至少一个；将测得的反射率、透射率信息对比基准数据，判定该待测掩膜板上是否存在缺陷。采用这种检测方法可以快速有效地检测掩膜板上的haze缺陷及细微有机物污染。
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公开(公告)号：CN103904009A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410161246.7
申请日：2014-04-22
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/67253
摘要： 本发明公开了一种监控离子注入机稳定性和均匀性的方法，通过先在待测样本晶圆衬底表面形成锗非晶化阻挡层，以降低随后晶圆在被监控的离子注入机内的离子注入深度，再经高温退火以在晶圆表面形成具有良好导电性能的掺杂硅锗合金，从而可以直接采用四探针测试仪普通的探针头准确量测RS，实现准确监控离子注入机的稳定性和均匀性。因此，本发明的使用降低了量测的成本，延长了量测机台的使用寿命；同时，本发明的方法有效地提高了RS量测的准确性和稳定性，大为减小了因误判而造成的宕机风险，提高了离子注入机台的产能。
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