-
公开(公告)号：CN107103145B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201710318781.2
申请日：2017-05-08
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G06F30/392 , G06F111/16
摘要： 本发明提供一种计算版图中线宽固定节距不同的线条的分布的方法，从节距数值范围最小的节距最小段开始筛选每一段节距数值范围内的线条，逐渐将所有具有固定线宽的线条归类在不同节距段中，错综复杂的版图设计数据提取有效的版图设计线宽、节距，量化固定线宽不同节距的线条的分布，利用该分析结果判断工艺异常与线宽节距分布的相关性。
-
公开(公告)号：CN105223771B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201510662390.3
申请日：2015-10-14
申请人： 上海华力微电子有限公司
摘要： 本发明提出的一种光学邻近效应修正模型的优化方法，选出焦距敏感图形，对焦距敏感图形使用严谨的光阻仿真器进行模拟获得其光阻高度数据，量测出临界尺寸优化光学邻近效应修正光学模型和光学邻近效应修正光阻模型，使得整个模型对由于三维效应而失效的图形有很好的预测能力，同时相对于严谨的光阻仿真器模型具有更快的速度，能满足32nm节点及更高节点整个版图设计的光学邻近效应修正和验证的需求。
-
公开(公告)号：CN103744265B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410042455.X
申请日：2014-01-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G03F1/36
摘要： 一种改善工艺窗口的光学临近修正方法，包括：第一步骤，输入目标图形，对目标图形边进行切割；第二步骤，模拟目标图形，计算第一参数、第二参数和第三参数的初始值；第三步骤，设定参数；第四步骤，根据第一参数的当前值进行修正，得到修正后的图形，并且重新计算以得到更新的第一参数值、更新的第二参数值、以及更新的第三参数值，并且根据计算出修正后的综合误差；第五步骤，判断修正后的综合误差是否不大于最大容许误差，而且判断第四步骤被执行的次数是否等于或者大于最大修正次数；在第五步骤的判断结果是修正后的综合误差大于最大容许误差、且第四步骤被执行的次数小于最大修正次数时，重新执行第四步骤和第五步骤。
-
公开(公告)号：CN105653828A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610173339.0
申请日：2016-03-24
申请人： 上海华力微电子有限公司
CPC分类号： G06F17/5068 , G03F1/72 , G03F1/84 , G06F2217/12
摘要： 本发明提供了一种针对版图设计数据改版的光刻工艺的友善性检查方法，包括：准备版图设计数据；执行版图设计数据的光刻友善性检查，此时判断版图设计数据是否定案；如果定案则处理结束，如果未定案则进行部分版图设计数据改版；在部分版图设计数据改版之后进行版图改版前后数据比对，以得到改版前后差异区域，随后将改版前后差异区域进行放大处理，在将改版前后差异区域进行放大处理之后针对改版前后差异区域再次执行版图设计数据的光刻友善性检查。
-
公开(公告)号：CN103645612A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310631490.0
申请日：2013-11-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明涉及一种光刻工艺中版图设计友善性检测方法，包括如下步骤：将设计目标图形数据转化为光刻目标图形；对光刻目标图形依次进行第一次光学邻近效应修正和第一次工艺偏差图形模拟;对光刻目标图形进行第一次工艺热点检测；若第一次工艺热点检测发现至少一个潜在工艺热点，则对各潜在工艺热点附近的光刻目标图形分别进行第二次光学邻近效应修正和第二次工艺偏差图形模拟；根据第二次工艺偏差图形模拟的结果对各检测区域进行第二次工艺热点检测；其中，检测区域与潜在工艺热点一一对应，并根据潜在工艺热点的位置而生成。该方法可缩短光刻工艺中版图设计友善性检测的耗时，实现对工艺热点的快速准确的查找，并减少软件和硬件的使用成本。
-
公开(公告)号：CN103645611A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310630278.2
申请日：2013-11-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明一种版图设计光刻工艺友善性检测方法，通过事先对原始目标图形数据进行过滤，确定潜在工艺热点区域，并将该潜在工艺热点区域的图形数据转化为光刻目标图形数据，然后对该光刻目标图形数据进行简化光学邻近效应修正和图形模拟来进行工艺热点的初查，并以工艺热点初查标记位置及必要周边位置的图形数据为基础进行精确而完整的光学邻近效应修正和图形模拟来进行工艺热点的终查，以在精确找到工艺热点的前提下，减少整个过程中软件计算和使用的时间，降低生产成本，提高生产效率。
-
公开(公告)号：CN104460226B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201410714799.0
申请日：2014-11-28
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G03F1/72
摘要： 本发明涉及DFM可制造图形设计领域，尤其是涉及到一种光刻工艺热点的自动修复方法，首先对版图进行光刻工艺友善性检查；之后通过光刻工艺友善性检查生成光刻工艺热点的位置标记，并根据位置标记生成光刻工艺热点的考量数据区域和模拟区域，最后对数据区域的版图进行修改，并通过检查工具套件对修改进行有效性判定，以提供一种合适的修复方案；该技术方案实现了版图中的光刻工艺热点的快速自动修复和验证，实现了高程度的自动化要求，且其可制造性设计方案的操作性和效率大大提高，修复周期较短，一定程度上降低了时间成本。
-
公开(公告)号：CN103645611B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310630278.2
申请日：2013-11-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明一种版图设计光刻工艺友善性检测方法，通过事先对原始目标图形数据进行过滤，确定潜在工艺热点区域，并将该潜在工艺热点区域的图形数据转化为光刻目标图形数据，然后对该光刻目标图形数据进行简化光学邻近效应修正和图形模拟来进行工艺热点的初查，并以工艺热点初查标记位置及必要周边位置的图形数据为基础进行精确而完整的光学邻近效应修正和图形模拟来进行工艺热点的终查，以在精确找到工艺热点的前提下，减少整个过程中软件计算和使用的时间，降低生产成本，提高生产效率。
-
公开(公告)号：CN103885285A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410106641.5
申请日：2014-03-20
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G03F1/84
摘要： 本发明公开了一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法，根据接触孔与相应互连线的包围值对原始接触孔进行分类，并对分类后的接触孔覆盖一一对应的矩形作为分类标记，然后对不同类型的接触孔进行不同规格的最小叠对面积检查，最终在光刻版图的设计中实现更加精确的光刻工艺友善性检查，同时能更精确地找到光刻版图设计中的接触孔接触不良的工艺热点。
-
公开(公告)号：CN103745072A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410042444.1
申请日：2014-01-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种自动扩展缺陷图形库的方法，包括：第一步骤，用于准备表示原始缺陷图形的缺陷图形原始数据；第二步骤，用于通过使得所述原始缺陷图形的一部分相对于所述原始缺陷图形的剩余部分移动，和/或通过使得所述原始缺陷图形的至少一部分的关键尺寸变化，对所述原始缺陷图形的关键尺寸进行分批演变，由此自动生成虚拟缺陷图形数据库；第三步骤，用于对虚拟缺陷图形进行工艺偏差模拟，并根据工艺偏差模拟的结果筛选出新的缺陷图形；第四步骤，用于将新的缺陷图形添加到缺陷图形库以形成新的缺陷图形数据，由此使缺陷图形库得到扩展。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
26 条记录 (耗时 0.03 秒)
