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公开(公告)号：CN109164863B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810984642.8
申请日：2018-08-28
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人： 赵艳丽
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种SONOS栅端控制电压产生电路，电荷泵输出端输出负高压信号，多个电阻串联连接在基准电压端与负高压VNEG信号之间，进行分压；多个开关一端依次对应连接在电阻R(K+1)与R0之间串联连接的节点上，另一端连接在一起，作为分压电压输入端；运放的反向输入端接地，正向输入端连接在电阻R(n)与R(K+1)串联节点，输出端与电荷泵相连接；一PMOS晶体管和两个NMOS晶体管依次串联；第一NMOS晶体管的栅极输入分压电压，源极与第二NMOS晶体管的漏极的连接端输出SONOS栅端控制电压信号VNEG_P，该VNEG_P是高于VNEG的负高压信号。本发明能够有效缩短SONOS栅端控制电压的建立时间。
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公开(公告)号：CN105843316B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201610374748.7
申请日：2016-05-31
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种电荷泵基准电压调节电路包括：第一运算放大器，正反相输入端分别连接输入基准电压和第一反馈电压；第一PMOS管的栅极连接第一运算放大器的输出端；由n级电阻串联形成的电阻串和由n级开关组成的开关阵列；电阻串连接在第一PMOS管的漏极和地之间；各级电阻的顶端都分别通过开关连接到可调基准电压；第一反馈电压从电阻串的中间级的电阻的顶端引出；各级开关在控制信号的控制下导通或断开，电荷泵基准电压调节电路工作时仅有一级开关导通，通过调节导通对应级数的开关导通来调节可调基准电压的大小。本发明在输入基准电压具有较大偏差时也能正常工作，从而扩展电路的应用范围。
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公开(公告)号：CN104539151B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410635862.1
申请日：2014-11-12
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H02M3/155
摘要： 本发明公开了一种BOOST电路，包括：第一PMOS管，源极接电源电压、漏极输出第一电压；第一反相电路，输出第一控制信号到第一PMOS管的栅极，电源端连接第一电压；输入信号通过第二反相电路形成第二反相信号，第一电容连接在第一电压和第二反相信号之间；第二PMOS管的源漏串接在第二电容的第一端和第一电压之间，第二电容的第二端接地，第二电容的第一端输出第二电压，第二电压作为电源电压的升压；输入信号通过第三延迟电路形成第三控制信号，第三控制信号连接到第二PMOS管的栅极。本发明能提高boost电压，boost效率更高。
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公开(公告)号：CN105070309A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510426790.4
申请日：2015-07-20
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： G11C7/06
摘要： 本发明公开了一种基于差分存储单元的灵敏放大器，包括第一、第二路径，锁存单元，输出单元，自适应控制信号产生单元；第一和二路径分别包括预充电单元和选择开关；预充电单元在第一控制信号的控制下对对应的信号输出节点充电；选择开关在第二控制信号的作用下将信号输出节点连接到对应的列线；锁存单元在第三控制信号的控制下对信号输出节点的信号进行锁存；自适应控制信号产生单元的输入端连接两个信号输出节点、输出端输出第二和三控制信号。充电完成后，锁存单元的控制信号的切换自适应灵敏放大器两个信号输出节点的电压变化，使得数据读取时从信号输出节点充电完毕后到完成锁存之间的时间间隔最小化，从而能够最大限度的提高读取速度。
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公开(公告)号：CN104299651A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201310299177.1
申请日：2013-07-16
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： G11C16/24
摘要： 本发明公开了一种闪存的位线选择管电路，包括：第一PMOS管，第二NMOS管，第三NMOS管，第四NMOS管；第一PMOS管的源极接电源电压，第一PMOS管的漏极接第二NMOS管的漏极，第二NMOS管的源极、第三NMOS管的栅极和第四NMOS管的漏极连接在一起，第四NMOS管的源极接地，第一PMOS管和第四NMOS管的栅极都接位线选择信号，第二NMOS管的栅极连接电源电压；第三NMOS管的漏极连接位线电压源，源极连接位线。本发明使得闪存在读操作时不用启动电荷泵就能在位线的传输管栅极上产生一个比电源电压高的电压，节省了电荷泵这部分的功耗，让闪存能够满足非接触应用下的读功耗要求。
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公开(公告)号：CN104900266A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510315395.9
申请日：2015-06-10
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： G11C16/14
CPC分类号： G11C16/08 , G11C5/06 , G11C16/10 , G11C16/12 , G11C16/14 , G11C16/16 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/30
摘要： 本发明公开了一种EEPROM存储单元门极控制信号产生电路，包括：高压行解码电路和多个字选择电路；高压行解码电路的输出分为两路分别输出用于提供擦写正电压的第一总字线电压和用于提供擦写负电压的第二总字线电压，且两路电压分别输入到各字选择电路中，防止了擦写正电压对NMOS管的栅氧化层以及擦写负电压对PMOS管的影响，能节省用于隔离栅氧化层的MOS晶体管，所以本发明能简化电路，节约成本。
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公开(公告)号：CN109818492B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201910078662.3
申请日：2019-01-28
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要： 本发明提供一种可降低干扰的二级电源产生电路，电容器C0的上极板连接VPOS电源电压的输出节点以及第四PMOS管的源极，该电容器C0的下极板连接电阻R0一端以及第四NMOS管的栅极；该电阻R0的另一端连接第四NMOS管的漏极、第四PMOS管的漏极及其栅极；第四NMOS管的源极极接地；二级电源VDDI产生电路的输出端与电容器C0的上极板以及第四PMOS管的源极的连接。在进行第二阶段放电时，VDDI被抬高，N4管栅端电压NG被VDDI通过C0耦合，更好的将N4管导通，在VDDI与GND之间形成通路，可将VDDI电位快速拉低，减弱击穿问题。
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公开(公告)号：CN109164863A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810984642.8
申请日：2018-08-28
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人： 赵艳丽
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种SONOS栅端控制电压产生电路，电荷泵输出端输出负高压信号，多个电阻串联连接在基准电压端与负高压VNEG信号之间，进行分压；多个开关一端依次对应连接在电阻R(K+1)与R0之间串联连接的节点上，另一端连接在一起，作为分压电压输入端；运放的反向输入端接地，正向输入端连接在电阻R(n)与R(K+1)串联节点，输出端与电荷泵相连接；一PMOS晶体管和两个NMOS晶体管依次串联；第一NMOS晶体管的栅极输入分压电压，源极与第二NMOS晶体管的漏极的连接端输出SONOS栅端控制电压信号VNEG_P，该VNEG_P是高于VNEG的负高压信号。本发明能够有效缩短SONOS栅端控制电压的建立时间。
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公开(公告)号：CN104539151A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410635862.1
申请日：2014-11-12
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H02M3/155
CPC分类号： H02M3/158
摘要： 本发明公开了一种BOOST电路，包括：第一PMOS管，源极接电源电压、漏极输出第一电压；第一反相电路，输出第一控制信号到第一PMOS管的栅极，电源端连接第一电压；输入信号通过第二反相电路形成第二反相信号，第一电容连接在第一电压和第二反相信号之间；第二PMOS管的源漏串接在第二电容的第一端和第一电压之间，第二电容的第二端接地，第二电容的第一端输出第二电压，第二电压作为电源电压的升压；输入信号通过第三延迟电路形成第三控制信号，第三控制信号连接到第二PMOS管的栅极。本发明能提高boost电压，boost效率更高。
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公开(公告)号：CN105070309B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201510426790.4
申请日：2015-07-20
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： G11C7/06
摘要： 本发明公开了一种基于差分存储单元的灵敏放大器，包括第一、第二路径，锁存单元，输出单元，自适应控制信号产生单元；第一和二路径分别包括预充电单元和选择开关；预充电单元在第一控制信号的控制下对对应的信号输出节点充电；选择开关在第二控制信号的作用下将信号输出节点连接到对应的列线；锁存单元在第三控制信号的控制下对信号输出节点的信号进行锁存；自适应控制信号产生单元的输入端连接两个信号输出节点、输出端输出第二和三控制信号。充电完成后，锁存单元的控制信号的切换自适应灵敏放大器两个信号输出节点的电压变化，使得数据读取时从信号输出节点充电完毕后到完成锁存之间的时间间隔最小化，从而能够最大限度的提高读取速度。
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