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公开(公告)号：CN116344330A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310324421.9
申请日：2023-03-29
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/02 , B08B7/00
摘要： 本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成光刻胶层，所述光刻胶层经过旋涂、软烘、曝光、曝光后烘焙和显影处理，所述半导体衬底上具有显影后的副产物；旋转处理所述半导体衬底，以去除部分所述副产物；冲洗处理所述半导体衬底，以去除剩余所述副产物，并形成图形化的光刻胶层，其中，图形化的所述光刻胶层具有尺寸大于预设尺寸的开口。本发明通过增加步骤旋转处理半导体衬底，以去除部分副产物，以在冲洗工艺之前先行清除一部分的副产物，减小了冲洗处理工艺的负担，这样有利于完全清除掉显影后的副产物，从而解决显影工艺所产生的大量副产物造成的单个巨大通孔附近的正常开孔缩小或消失的问题。
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公开(公告)号：CN105514030A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610041504.7
申请日：2016-01-21
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76864 , H01L21/76868 , H01L21/76895 , H01L2221/1078
摘要： 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成金属氮化物层；在所述金属氮化物层上形成底部抗反射涂层；在所述底部抗反射涂层上形成图形化的光刻胶层；其特征在于，还包括：在形成图形化的光刻胶层之前，对所述底部抗反射涂层进行热处理。本发明的方法在应用金属氮化物的局部互连工艺中，保证形成的光刻图形的尺寸的稳定性。
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公开(公告)号：CN103698985A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201410010119.7
申请日：2014-01-09
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种光刻试运行中曝光能量参数的预测方法，包括：在进行新试运行时，所预测的曝光能量参数参照同一设备的同工艺、同层间结构之曝光能量；在改变设备进行试运行时，所预测的曝光能量参数基于在每种设备上的曝光能量比例进行计算。在改变设备进行试运行时，其计算方法包括：步骤S1：罗列设备的曝光能量矩阵，以及光刻工艺中的工艺条件参数；步骤S2：进行条件匹配，并基于所述条件下的曝光能量参数计算曝光能量参数参考值Dose_Ref（n）；步骤S3：基于数据库中样本的曝光能量参数Dose_Ref（n）之权重Wt（n）和时间Day（n），获取预测的曝光能量参数Dose_JI。本发明光刻试运行中曝光能量参数的预测方法在进行曝光能量预测时，可大幅度提高试运行成功率，节约成本。
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公开(公告)号：CN105514030B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201610041504.7
申请日：2016-01-21
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成金属氮化物层；在所述金属氮化物层上形成底部抗反射涂层；在所述底部抗反射涂层上形成图形化的光刻胶层；其特征在于，还包括：在形成图形化的光刻胶层之前，对所述底部抗反射涂层进行热处理。本发明的方法在应用金属氮化物的局部互连工艺中，保证形成的光刻图形的尺寸的稳定性。
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公开(公告)号：CN106941078A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201710241888.1
申请日：2017-04-14
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H01L21/311
摘要： 本发明提供了一种改善金属层光阻返工工艺的方法，包括以下步骤：提供一光刻后的晶圆，所述晶圆具有含有待去除的光阻层；进行第一次光阻灰化，所述第一次光阻灰化的温度小于250摄氏度；采用湿法清洗工艺进行清洗；进行第二次光阻灰化，所述第二次光阻灰化的温度小于250摄氏度。本发明所提供的方法可以有效的消除小丘缺陷又不会引起图案变形。
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公开(公告)号：CN103698985B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410010119.7
申请日：2014-01-09
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种光刻试运行中曝光能量参数的预测方法，包括：在进行新试运行时，所预测的曝光能量参数参照同一设备的同工艺、同层间结构之曝光能量；在改变设备进行试运行时，所预测的曝光能量参数基于在每种设备上的曝光能量比例进行计算。在改变设备进行试运行时，其计算方法包括：步骤S1：罗列设备的曝光能量矩阵，以及光刻工艺中的工艺条件参数；步骤S2：进行条件匹配，并基于所述条件下的曝光能量参数计算曝光能量参数参考值Dose_Ref（n）；步骤S3：基于数据库中样本的曝光能量参数Dose_Ref（n）之权重Wt（n）和时间Day（n），获取预测的曝光能量参数Dose_JI。本发明光刻试运行中曝光能量参数的预测方法在进行曝光能量预测时，可大幅度提高试运行成功率，节约成本。
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公开(公告)号：CN102109772B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201110032430.8
申请日：2011-01-28
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种光刻工艺中的光刻层间误差的量测方法，包括步骤：1)制作光刻信息文档；2)把光刻信息转换成程式参数文件；3)建立通用的量测程式的模板；4)把所述程式参数导入量测机台的数据库，在数据库中，根据所述量测程式的模板和程式参数生成各个产品对应的量测程式，最终导入量测机台对相应产品进行量测；根据上述生成的文件和模板，量测机台可以自动将其整合成光刻层间误差的量测程式。与现有技术相比，本发明通过制作光刻信息文档，量测模板以及所编写的计算机程序，利用计算机可以自动批量生成量测程式，无需硅晶圆，无需手动操作，可以降低制成时间，提高效率，减少人为操作失误。
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