公开(公告)号：CN107978510A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201710990980.8

申请日：2017-10-23

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 拉伊汉·塔拉夫达尔 ,  施卢蒂·托姆贝尔 ,  罗郑石 ,  拉什纳·胡马雍 ,  基乌金·史蒂文·莱

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02068 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53209 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67017

摘要： 本发明涉及通过减少和去除金属氧化物形成接触和互连的系统和方法。一种在阻挡层上沉积金属层的方法包括：a)将衬底布置在处理室中。衬底已暴露于空气和/或氧化化学品中的至少一种，并且包含阻挡层和一个或多个下伏层，其中所述阻挡层包含选自由氮化钽、氮化钛、钽和钛组成的群组中的材料。所述方法包括：b)将选自由肼、包含氟物质的气体、包含氯物质的气体、肼的衍生物、氨、一氧化碳、包含脒基的气体和/或包含金属有机配体的气体组成的群组中的气体提供至所述处理室持续预定时间段以从所述阻挡层去除氧化。所述方法包括：c)在b)之后在所述阻挡层上沉积金属层。所述金属层包含选自由钴、铜、钨、钌、铑、钼和镍组成的群组中的金属。

公开(公告)号：CN107534013A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680023828.6

申请日：2016-03-29

申请人： 应用材料公司

发明人： P·曼纳 ,  程睿 ,  K·陈 ,  A·B·玛里克

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  C23C16/46 ,  C23C16/34 ,  C23C16/16 ,  C23C16/04

CPC分类号： H01L21/76846 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  C23C16/342 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76877

摘要： 本公开内容的实现方式总体涉及用于在高深宽比特征限定中形成薄膜的方法。在一个实现方式中，提供一种在工艺腔室中处理基板的方法。所述方法包括：使包含配位体的含硼前驱物流入工艺腔室的内部处理容积中；使包含配位体的含氮前驱物流入内部处理容积中；以及使含硼前驱物和含氮前驱物在内部处理容积中热分解，以便将氮化硼层沉积于形成在基板上的电介质层的表面中及其下方的高深宽比特征限定的至少一个或多个侧壁和底表面上方。

公开(公告)号：CN107195582A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710534981.1

申请日：2017-07-03

申请人： 北方工业大学

发明人： 张静

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/7685 ,  H01L21/76864 ,  H01L23/53238

摘要： 本发明涉及一种扩散阻挡层制备方法及铜互连结构，所述制备方法包括以下步骤：在低k电介质层上沉积钼金属层，其中所述低k电介质层形成在硅片上，所述钼金属层的厚度为3‑5nm；对沉积的钼金属层进行退火处理，形成扩散阻挡层。本发明通过沉积钼金属层并进行退火处理，能够获得比现有技术更薄的扩散阻挡层，进一步降低了RC迟滞效应。

公开(公告)号：CN106981487A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201610884201.1

申请日：2016-10-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李道善 ,  李到玹 ,  金哲性 ,  玄尚镇 ,  李俊坤

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L23/535 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53209 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/785 ,  H01L27/0924 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871

摘要： 本发明可以提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括：基板，具有至少一个鳍形有源区，该至少一个鳍形有源区在第一方向上延伸；栅线，在第二方向上在该至少一个鳍形有源区上延伸，第二方向与第一方向交叉；导电区域，在该至少一个鳍形有源区的在栅线的一侧的一部分上；以及接触插塞，在第三方向上从导电区域延伸，第三方向垂直于基板的主平面。接触插塞可以包括金属插塞、在导电区域上的导电的阻挡膜以及在导电区域和导电的阻挡膜之间的金属硅化物膜，该导电的阻挡膜围绕金属插塞的侧壁和底表面，该导电的阻挡膜包括富N的金属氮化物膜。

公开(公告)号：CN105575798A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510597048.X

申请日：2015-09-17

申请人： 应用材料公司

发明人： 罗伊·沙维夫 ,  伊斯梅尔·T·埃迈什

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C25D5/34 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/3213

摘要： 本发明涉及一种用于从种晶层表面去除污染的系统和方法。在本公开内容的一个实施方式中，一种用于在工件上电化学沉积的方法包括：(a)获得工件，所述工件包括特征结构；(b)将第一导电层沉积在所述特征结构中；(c)将所述工件移动至集成式电化学沉积镀覆工具，所述集成式电化学沉积镀覆工具配置用于氢自由基H*表面处理和电化学沉积；(d)在所述镀覆工具的处理腔室中，使用氢自由基H*表面处理来处理所述第一导电层，从而产生经处理的第一导电层；以及(e)将所述工件保持在相同镀覆工具中，并且在所述镀覆工具的电化学沉积腔室中，将第二导电层沉积于所述特征结构中的所述经处理的第一导电层上。

公开(公告)号：CN103137599B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210252298.6

申请日：2012-07-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈建安 ,  刘文俊 ,  林俊杰 ,  苏鸿文 ,  蔡明兴 ,  章勋明

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/535 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了形成镶嵌互连结构的机构。形成上述互连结构的机构涉及使用经过回流的导电层。经过回流的导电层在较小开口中的厚度大于在较宽开口中的厚度。在一些实施例中，机构可以进一步涉及在回流导电层上方形成金属保护层。通过所述机构形成的互连结构具有更好的电气性能和可靠性性能。

公开(公告)号：CN104009018A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410067968.6

申请日：2014-02-27

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 亨苏克·A·尹 ,  威廉·T·李

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及具有自形成阻挡物的互连件，具体而言，本发明提供了一种使用包含铜或铜合金的填充物填充双镶嵌结构内的通孔和沟槽的方法。提供了使用包含铜或铜合金的通孔填充物来对所述通孔进行无电沉积填充。使用包括Mn或Al的沟槽阻挡层在所述通孔填充物之上形成沟槽阻挡层。在使所述沟槽阻挡层的组分进入所述通孔填充物的温度下对所述沟槽阻挡层进行退火处理。用包含铜或铜合金的沟槽填充物填充所述沟槽。

公开(公告)号：CN102881580A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210374454.6

申请日：2009-03-06

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 骆统 ,  苏金达 ,  杨大弘 ,  陈光钊

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L29/43

CPC分类号： H01L21/2855 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864

摘要： 本发明是有关于一种半导体装置及其制造方法。该制造方法是先提供半导体基材(如裸硅)，并在半导体基材上形成介电层。藉由移除部分介电层,可在介电层中提供开口。共形的第一导电层是形成于介电层与开口上,共形的第二导电层是形成于第一导电层上，共形的势垒层是形成于第二导电层上。

公开(公告)号：CN102522368A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110410137.0

申请日：2007-06-09

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿尔图尔·科利奇 ,  李南海 ,  玛丽娜·波利扬斯基亚 ,  马克·韦斯 ,  詹森·科尔内耶

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76861 ,  B08B3/04 ,  C11D7/08 ,  C11D7/22 ,  C11D7/32 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864

摘要： 用于使污染及表面退化最小化的中间介电层的表面改变。半导体系统包括：提供介电层(104)；在该介电层(104)内提供导体(108)，该导体(108)暴露在该介电层(104)的顶部；覆盖(capping)该暴露的导体(108)；以及改变该介电层(104)的表面，改变该介电层(104)的表面，其中改变该表面包括：通过将该导体(108)溶解在低pH溶液中而将该导体(108)离子从该介电层(104)清洁掉、溶解该导体(108)离子下方的介电层(104)、机械增强清洁或用化学方法吸附在该介电层(104)上的疏水层(800)。

公开(公告)号：CN101467232B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200780021363.1

申请日：2007-06-09

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿尔图尔·科利奇 ,  李南海 ,  玛丽娜·波利扬斯基亚 ,  马克·韦斯 ,  詹森·科尔内耶

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/76861 ,  B08B3/04 ,  C11D7/08 ,  C11D7/22 ,  C11D7/32 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864

摘要： 半导体系统包括：提供介电层(104)；在该介电层(104)内提供导体(108)，该导体(108)暴露在该介电层(104)的顶部；覆盖(capping)该暴露的导体(108)；以及改变该介电层(104)的表面，改变该介电层(104)的表面，其中改变该表面包括：通过将该导体(108)溶解在低pH溶液中而将该导体(108)离子从该介电层(104)清洁掉、溶解该导体(108)离子下方的介电层(104)、机械增强清洁或用化学方法吸附在该介电层(104)上的疏水层(800)。