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公开(公告)号：CN102129993B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201010027293.4
申请日：2010-01-18
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/762
摘要： 本发明公开了一种氧化层/氮化层/氧化层侧墙的制作方法；包括以下步骤：步骤一、淀积掩膜层氧化硅、氮化硅、氧化硅；步骤二、打开浅槽区域，并刻蚀浅槽；步骤三、热氧化浅槽衬垫氧化膜，然后淀积氮化层，淀积氧化层；步骤四、形成浅槽内侧墙，包括氧化层、氮化层、浅槽衬垫氧化膜，向P型衬底注入杂质子形成埋层；步骤五、去除硬掩膜层中的氧化硅和侧墙氧化膜，穿透氧化硅和氮化硅注入杂质，形成集电区；步骤六、去除侧墙氮化膜。本发明利用氧化层/氮化层/氧化层ONO形成的STI侧墙保护，在湿法去除氧化层后，不产生氮化膜下的氧化膜的刻蚀底切，保护有源区。
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公开(公告)号：CN102130152A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010027294.9
申请日：2010-01-18
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L29/73 , H01L29/417 , H01L21/331 , H01L21/28
摘要： 本发明公开了一种自对准双极晶体管及其制作方法，包括：低阻集电极区，低阻集电极区上方有本征集电极区，本征集电极区上方有本征基区和位于本征集区两侧的基区连接区，基区连接区外侧为重掺外基区，基区连接区上方有内侧墙，内侧墙外侧有介质膜隔离层，内侧墙包围发射极；在外基区的多晶硅层、多晶硅发射极和集电极引出区上有金属硅化物，在硅表面淀积有介质层，在介质中有接触孔；所述外基区硅化物区离本征基区的尺寸为介质隔离区的宽度和内侧墙宽度之和；发射极上表面平整；介质膜隔离层同时作为器件发射极与外基区之间的侧墙隔离。本发明解决不同发射极窗口尺寸的器件发射极厚度不同所带来的注入掺杂后杂质浓度的分布不一致导致的各器件性能不能同时达到最优的问题。
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公开(公告)号：CN102129992A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010027290.0
申请日：2010-01-18
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/28
摘要： 本发明公开了一种改善杂质注入型多晶硅发射极杂质浓度分布的方法；包括以下步骤：步骤一、形成基极，然后淀积多晶硅发射极-基极隔离介质层，所述隔离介质层为三明治结构，中间一层为重掺杂N型杂质的无定型硅；步骤二、刻蚀隔离介质层，形成发射极-基极接触窗口；步骤三、淀积非掺杂的多晶硅，作为双极性晶体管的发射极；步骤四、定义发射极多晶硅离子注入的光刻层，进行发射极多晶硅N型杂质注入；步骤五、进行高温快速退火，使多晶硅的杂质横向扩散，在多晶硅靠近发射极-基极接触窗口上方的区域形成杂质浓度增加区域。本发明能有效提高多晶硅发射极的注入效率，增加电流增益，降低电阻。
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公开(公告)号：CN102097466A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910201939.3
申请日：2009-12-15
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L29/737 , H01L21/331
摘要： 本发明公开了一种硅锗异质结晶体管，采用非对称的器件结构，即具有非对称发射极-基极隔离区，非对称本征基区，非对称外基区。包括：在硅衬底上形成的埋层；在埋层上制备的本征集电极区，外集电极区，衬底隔离区；非对称本征基区，位于本征集电极区上方；非对称外基区，位于非对称本征基区两侧；非对称发射极-基极隔离区，位于非对称本征基区上方的两侧端；多晶硅发射极区，位于所述非对称发射极-基极隔离区和非对称本征基区之上。本发明还公开了一种所述硅锗异质结晶体管的制造工艺方法。本发明能够显著降低基区-集电极区之间的寄生电容。
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公开(公告)号：CN102117748B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200910202069.1
申请日：2009-12-31
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7371 , H01L21/76237 , H01L21/76264 , H01L29/0653 , H01L29/0821 , H01L29/66272
摘要： 本发明公开了一种双极晶体管的集电区和集电区埋层的制造方法，将刻蚀沟槽之前硅片表面的硬掩膜层由氧化硅和氮化硅两层改为氧化硅-氮化硅-氧化硅三层，又通过淀积和反刻工艺在沟槽的侧壁和底部形成了氮化硅侧墙和氮化硅残留层，从而可以有效阻止离子注入，保护有源区。
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公开(公告)号：CN102136422A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010027340.5
申请日：2010-01-21
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/28
摘要： 本发明公开了一种改善发射极与基极多晶硅侧墙隔离的方法；包括以下步骤：步骤一、按照双极性晶体管流程形成发射极图形后，先淀积一层氧化硅介质；步骤二、淀积一层富硅的氧化膜，其折射率大于0.5，并进行氮气退火处理；步骤三、上述复合介质膜淀积完毕后，回刻并去除残余氧化硅，从而形成多晶硅发射极侧墙，该侧墙的目的是起到隔离发射极与基极的作用。本发明所述复合介质膜的阶梯覆盖能力好，湿法刻蚀速率低，能够抵抗整个工艺中的湿法工艺，从而有效的降低发射极与基极多晶硅短接的风险，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN102117749A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910202080.8
申请日：2009-12-31
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/265
CPC分类号： H01L29/732 , H01L29/0821 , H01L29/66272
摘要： 本发明公开了一种双极晶体管的集电区和集电区埋层的制造工艺方法，一方面以离子注入和退火工艺制造赝埋层(21)即集电区埋层，赝埋层(21)的面积较小，因而后续工艺中不再需要深槽隔离结构对赝埋层(21)进行分割。另一方面，本发明以离子注入工艺制造掺杂区(23)即集电区，取代了成本较高的外延工艺。本发明简化了制造方法，从而节约了制造成本。
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公开(公告)号：CN102097463A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910201928.5
申请日：2009-12-15
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L29/732 , H01L21/331
摘要： 本发明公开了一种半自对准双极晶体管，包括：在硅衬底中形成的埋层(即低阻集电极区)，在硅衬底和埋层上形成的外集电极区、本征集电极区、隔离区、集电极引出区；位于本征集电极区上方的本征基区，位于本征基区两侧的连接区，位于连接区外侧且设置于外集电极区和隔离区上方的重掺杂外基区，位于本征基区上方的多晶硅发射极区，位于连接区上方且设置于多晶硅发射极区两侧的兼作侧墙保护的连接区隔离介质膜，位于重掺杂外基区、多晶硅发射极区和集电极引出区上方的金属硅化物层，淀积在金属硅化物层和硅片上的介质层，在介质层中形成的接触孔。本发明还公开了一种半自对准双极晶体管的制造方法。本发明能使器件的各项性能同时达到最优。
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公开(公告)号：CN102097315A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910201936.X
申请日：2009-12-15
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/28
摘要： 本发明公开了一种实现硅锗异质结晶体管基区窗口的方法，在硅衬底上形成有埋层、集电区、衬底隔离区的硅片上淀积复合介质膜；采用干法刻蚀所述复合介质膜，定义基区窗口，刻蚀停止在所述复合介质膜的氧化膜上；在基区窗口打开后，复合介质膜的氧化膜去除之前，再淀积一层介质膜层，利用介质膜层在基区窗口界面台阶处形成D形侧墙；同时，利用D形侧墙的保护，湿法去除基区窗口内剩余氧化膜，并外延生长SiGe基区。采用本发明由于D形侧墙的形成使得基区窗口界面台阶处被缓变化，SiGe外延后继续保留由D形侧墙形成的缓变台阶，使其在后续的发射极多晶硅侧墙工艺中无绝缘物残留，从而形成连续的金属硅化物，降低外基区电阻，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN102097466B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200910201939.3
申请日：2009-12-15
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L29/737 , H01L21/331
摘要： 本发明公开了一种硅锗异质结晶体管，采用非对称的器件结构，即具有非对称发射极-基极隔离区，非对称本征基区，非对称外基区。包括：在硅衬底上形成的埋层；在埋层上制备的本征集电极区，外集电极区，衬底隔离区；非对称本征基区，位于本征集电极区上方；非对称外基区，位于非对称本征基区两侧；非对称发射极-基极隔离区，位于非对称本征基区上方的两侧端；多晶硅发射极区，位于所述非对称发射极-基极隔离区和非对称本征基区之上。本发明还公开了一种所述硅锗异质结晶体管的制造工艺方法。本发明能够显著降低基区-集电极区之间的寄生电容。
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