公开(公告)号：CN103165671A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110412663.0

申请日：2011-12-12

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 邱慈云 ,  朱东园 ,  范永洁 ,  钱文生 ,  徐向明 ,  肖胜安 ,  陈帆 ,  刘鹏 ,  陈雄斌 ,  潘嘉 ,  刘冬华 ,  孙娟 ,  袁媛 ,  吴智勇 ,  黄志刚 ,  王雷 ,  郭晓波 ,  孟鸿林 ,  苏波 ,  季伟 ,  程晓华 ,  钱志刚 ,  陈福成 ,  刘继全 ,  孙勤 ,  金锋 ,  刘梅

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种MOS器件，源漏区包括位于有源区中的源漏掺杂区和位于有源区上方的源漏多晶硅层，通过在源漏多晶硅层外侧的锗硅多晶硅层上形成金属接触来引出源漏极的。位于有源区中的源漏掺杂区的面积不必要包容金属接触的面积，故能使有源区的面积能做到最小，从而能提高器件的性能和集成度。栅极为蜿蜒型结构能最大程度的降低器件的寄生电容，能更适合的应用在RF领域、且能作为开关器件的最佳选择。本发明的源漏掺杂区的结深较浅，能够降低短沟道效应和缓解较严重的LOD效应。本发明还公开了一种MOS器件的制备方法，能充分解决工艺中的刻蚀停止方面的难题和优化栅极和源漏间的隔离问题。

公开(公告)号：CN103165652A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110412701.2

申请日：2011-12-12

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 邱慈云 ,  朱东园 ,  范永洁 ,  钱文生 ,  徐向明 ,  肖胜安 ,  陈帆 ,  刘鹏 ,  陈雄斌 ,  潘嘉 ,  刘冬华 ,  孙娟 ,  袁媛 ,  吴智勇 ,  黄志刚 ,  王雷 ,  郭晓波 ,  孟鸿林 ,  苏波 ,  季伟 ,  程晓华 ,  钱志刚 ,  陈福成 ,  刘继全 ,  孙勤 ,  金锋 ,  刘梅

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种MOS器件，源漏区包括位于有源区中的源漏掺杂区和位于有源区上方的源漏多晶硅层，通过在源漏多晶硅层外侧的锗硅多晶硅层上形成金属接触来引出源漏极的。位于有源区中的源漏掺杂区的面积不必要包容金属接触的面积，故能使有源区的面积能做到最小，从而能提高器件的性能和集成度。本发明能减少源漏区和衬底间的寄生电容，能更适合的应用在RF领域。本发明的源漏掺杂区的结深较浅，能够降低短沟道效应和缓解较严重的LOD效应。本发明还公开了一种MOS器件的制造方法，能充分解决工艺中的刻蚀停止方面的难题和优化栅极和源漏间的隔离问题；能减少金属层数，能降低整个BICMOS工艺的成本。

公开(公告)号：CN102104062A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200910202011.7

申请日：2009-12-21

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 邱慈云 ,  朱东园 ,  钱文生 ,  范永洁

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/732 ,  H01L21/76232 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66287

摘要： 本发明公开了一种双极晶体管，有源区由浅槽场氧隔离，包括：一集电区，由形成于有源区中的第一导电类型的杂质离子注入层构成，底部连接由两个第一导电类型的赝埋层连接而形成的埋层，所述赝埋层通过在有源区两侧的浅槽底部注入第一导电类型杂质离子形成；通过在所述赝埋层上场氧中制作深槽接触引出集电极；一基区，由形成于所述集电区上的第二导电类型的薄膜构成；一发射区，由形成于所述基区上的第一导电类型的多晶硅构成。本发明能缩小器件面积、降低寄生效应、减少光刻层数以及降低工艺成本。

公开(公告)号：CN102104062B

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN200910202011.7

申请日：2009-12-21

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 邱慈云 ,  朱东园 ,  钱文生 ,  范永洁

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/732 ,  H01L21/76232 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66287

摘要： 本发明公开了一种双极晶体管，有源区由浅槽场氧隔离，包括：一集电区，由形成于有源区中的第一导电类型的杂质离子注入层构成，底部连接由两个第一导电类型的赝埋层连接而形成的埋层，所述赝埋层通过在有源区两侧的浅槽底部注入第一导电类型杂质离子形成；通过在所述赝埋层上场氧中制作深槽接触引出集电极；一基区，由形成于所述集电区上的第二导电类型的薄膜构成；一发射区，由形成于所述基区上的第一导电类型的多晶硅构成。本发明能缩小器件面积、降低寄生效应、减少光刻层数以及降低工艺成本低。

公开(公告)号：CN102117795A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200910202068.7

申请日：2009-12-31

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 邱慈云 ,  朱东园 ,  范永洁 ,  钱文生 ,  徐炯 ,  陈帆 ,  张海芳

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L29/732

CPC分类号： H01L29/1004 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76208 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66287 ,  H01L29/732 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种场氧化隔离工艺中的电极引出结构，有源区由局部场氧隔离，在局部场氧底部形成一赝埋层，所述赝埋层进入有源区并和所述有源区中需要引出电极的掺杂区域一相连接，通过在局部场氧中制作深槽接触和赝埋层相接引出掺杂区域一的电极。本发明能够减小器件的面积、降低引出的电极电阻和寄生电容、提高器件的特征频率。

公开(公告)号：CN103178087A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201110441110.8

申请日：2011-12-26

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 宁开明 ,  董科 ,  马栋 ,  朱东园

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种超高压LDMOS器件结构，包括源端、漏端、高压漂移区和栅极沟道，源端有衬底阱，高压漂移区表面有反型层，该LDMOS中还设计有两个物理上相连的深阱，分别用于放置衬底阱和反型层，两深阱的间隙位于LOCOS鸟嘴附近。本发明还公开了上述结构的LDMOS的制备方法，包括设计深阱的光刻掩膜版、光刻、离子注入、去胶和热推阱等工艺步骤。本发明通过将源端的深阱与高压漂移区的深阱分离，并在离子注入后通过推阱使其连在一起，并使其间隙位于LOCOS鸟嘴下方，从而改善了LOCOS附近的电场分布，降低了其峰值电场，达到了N型和P型电荷平衡，在不增加工艺步骤和成本的基础上，实现了提高器件反向击穿电压的目的。

公开(公告)号：CN102097464B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200910201946.3

申请日：2009-12-15

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 邱慈云 ,  朱东园 ,  钱文生 ,  范永洁 ,  胡君 ,  刘冬华 ,  吕煜坤

IPC分类号： H01L29/732 ,  H01L21/331 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76232 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66287 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/7378

摘要： 本发明公开了一种高压双极晶体管，有源区由浅槽场氧隔离，包括：一集电区，由形成于有源区中的第一导电类型的杂质离子注入层构成，集电区底部两侧各连接一个赝埋层，赝埋层通过在有源区两侧的浅槽底部注入杂质离子形成，有源区两侧的两个赝埋层本身不相连接；通过在赝埋层上场氧中制作深槽接触引出集电极；一基区，由形成于集电区上的第二导电类型的外延层构成，通过其本征基区和集电区相连接，通过在其外基区上做金属接触引出基极；一发射区，由形成于基区上的第一导电类型的多晶硅构成。本发明能使集电极基极耗尽区的限制方向从纵向转移成横斜方向，能通过增加有源区宽度来增加器件的击穿电压、降低生产成本。

公开(公告)号：CN102117748B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200910202069.1

申请日：2009-12-31

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 邱慈云 ,  朱东园 ,  范永洁 ,  钱文生 ,  陈帆 ,  徐炯 ,  张海芳

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7371 ,  H01L21/76237 ,  H01L21/76264 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66272

摘要： 本发明公开了一种双极晶体管的集电区和集电区埋层的制造方法，将刻蚀沟槽之前硅片表面的硬掩膜层由氧化硅和氮化硅两层改为氧化硅-氮化硅-氧化硅三层，又通过淀积和反刻工艺在沟槽的侧壁和底部形成了氮化硅侧墙和氮化硅残留层，从而可以有效阻止离子注入，保护有源区。

公开(公告)号：CN102117749A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200910202080.8

申请日：2009-12-31

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 邱慈云 ,  朱东园 ,  范永洁 ,  钱文生 ,  陈帆 ,  徐炯 ,  张海芳

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/732 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66272

摘要： 本发明公开了一种双极晶体管的集电区和集电区埋层的制造工艺方法，一方面以离子注入和退火工艺制造赝埋层(21)即集电区埋层，赝埋层(21)的面积较小，因而后续工艺中不再需要深槽隔离结构对赝埋层(21)进行分割。另一方面，本发明以离子注入工艺制造掺杂区(23)即集电区，取代了成本较高的外延工艺。本发明简化了制造方法，从而节约了制造成本。

公开(公告)号：CN102117827B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200910202067.2

申请日：2009-12-31

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 邱慈云 ,  朱东园 ,  钱文生 ,  范永洁 ,  刘冬华 ,  胡君

IPC分类号： H01L29/732 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8249

CPC分类号： H01L29/0821 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66287 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7371 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP器件，有源区由浅槽场氧隔离，包括：一集电区，由形成于有源区中的一P型杂质离子注入层构成，所述集电区底部连接一P型埋层，所述P型埋层是通过离子注入形成于所述集电区两侧的浅槽底部，通过在所述P型埋层顶部对应的浅槽场氧中制作深孔接触引出集电极；一基区，由形成于所述集电区上部并和所述集电区连接的一N型杂质离子注入层构成；一发射区，由形成于所述基区上部的一P型外延层构成，发射区直接通过一金属接触引出；所述基区上部的P型外延层部分反型为N型，用作所述基区的连接。本发明能用作BiCMOS高频电路中的输出器件，具有较小的面积和传导电阻。