公开(公告)号：CN102412311B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201110389007.3

申请日：2011-11-30

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 陈帆 ,  陈雄斌 ,  薛恺 ,  周克然 ,  潘嘉 ,  李昊 ,  蔡莹 ,  陈曦

IPC分类号： H01L29/93 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了一种BiCMOS工艺中的PN结变容器，通过采用具有正梯形形状的锗硅生长前定义窗口，能使P型区的锗硅层为多晶结构，从而能提高P型区的掺杂浓度，提高器件正向偏置时的电子发射效率。本发明采用了先进的深孔接触工艺和N型赝埋层的工艺，能极大地节省有源区的面积，有源区的宽度能够缩小至0.3微米，能使有源区两侧的N型赝埋层更加充分的连接，从而能降低器件的寄生NP结效应，以及减少器件的N端连接电阻，提高电流密度。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中的PN结变容器的制造方法。

公开(公告)号：CN103165667A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110409888.0

申请日：2011-12-09

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 陈帆 ,  陈雄斌 ,  刘冬华 ,  薛恺 ,  周克然 ,  潘嘉 ,  李昊 ,  蔡莹 ,  陈曦

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开了一种锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管，通过采用具有正梯形形状的锗硅生长前定义窗口，能使发射区的锗硅层为多晶结构，从而能提高发射区的掺杂浓度，提高器件的发射效率以及器件的放大系数和增加器件的截止频率。本发明采用了先进的深孔接触工艺和P型赝埋层的工艺，能极大地节省有源区的面积，改善器件的寄生效应，减小器件集电极电阻，提高器件的性能。本发明还公开了一种锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管的制作方法，能和锗硅HBT工艺中的NPN三极管的工艺集成，并降低生产成本。

公开(公告)号：CN103165424A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110415340.7

申请日：2011-12-13

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 陈雄斌 ,  陈帆 ,  薛恺 ,  周克然 ,  潘嘉 ,  李昊

IPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/8222

摘要： 本发明公开了一种在高压NPN三极管中集成中压NPN三极管的方法，包括步骤：提供一半导体衬底并形成浅沟槽和有源区；在各有源区两侧的浅沟槽的底部形成赝埋层；在中压NPN三极管区域进行磷离子注入；进行退火推进，磷离子通过横向和纵向扩散将中压NPN三极管的有源区两侧赝埋层在有源区的底部连接起来；高压NPN三极管的有源区两侧的赝埋层在有源区的底部不连接；形成高压NPN三极管和中压NPN三极管。本发明能降低中压NPN三极管的集电区的离子注入导致的掺杂散布，同时提高中压NPN三极管的集电区的底部的掺杂浓度，从而能优化中压NPN三极管的器件性能。

公开(公告)号：CN103107087A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201110353240.6

申请日：2011-11-09

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 陈帆 ,  陈雄斌 ,  潘嘉 ,  周克然 ,  薛恺

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/265

摘要： 本发明公开了一种与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管的制造方法，包括步骤：在PNP区域的N型基区的离子注入完成后，利用P型阱光刻掩膜进行硅离子注入，使PNP三极管的基区的硅表面的晶格结构被破坏。在NPN区域的N型集电区形成后，在NPN区域和PNP区域同时采用外延生长工艺形成锗硅层。本发明方法通过对PNP区域的基区的硅表面进行硅离子注入，能使PNP区域的基区的硅表面变成非晶结构，从而能使后续在PNP区域通过外延生长形成的锗硅层为多晶结构，这样就有利于在后续对PNP三极管进行发射区的离子注入时离子能够扩散到整个发射区的锗硅层中，从而能提高PNP三极管的发射区的掺杂浓度，提高器件的发射效率以及器件的放大系统，并能增加器件的截止频率。

公开(公告)号：CN103066101A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201110326312.8

申请日：2011-10-24

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 陈帆 ,  陈雄斌 ,  薛凯 ,  周克然 ,  潘嘉 ,  李昊

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/737 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/41708 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7378

摘要： 本发明公开了一种锗硅HBT，在有源区周侧的浅沟槽由上下相连的第一浅沟槽和第二浅沟槽组成，第二浅沟槽位于第一浅沟槽的底部、且第二浅沟槽的宽度小于第一浅沟槽的宽度，在第二浅沟槽的底部和侧部的硅衬底中形成有由第一N型离子注入区组成的赝埋层；赝埋层和集电区在第二浅沟槽的底部和侧部相接触并作为集电极连接层；在赝埋层顶部的浅槽场氧中形成有深孔接触，深孔接触和赝埋层接触并引出集电极。本发明还公开了一种锗硅HBT的制造方法。本发明能提高集电极连接层的厚度、使其杂质分布均匀，能降低集电极连接层电阻和接触电阻且使阻值均匀，从而能提高锗硅HBT的截止频率。

公开(公告)号：CN102412311A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110389007.3

申请日：2011-11-30

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 陈帆 ,  陈雄斌 ,  薛恺 ,  周克然 ,  潘嘉 ,  李昊 ,  蔡莹 ,  陈曦

IPC分类号： H01L29/93 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了一种BiCMOS工艺中的PN结变容器，通过采用具有正梯形形状的锗硅生长前定义窗口，能使P型区的锗硅层为多晶结构，从而能提高P型区的掺杂浓度，提高器件正向偏置时的电子发射效率。本发明采用了先进的深孔接触工艺和N型赝埋层的工艺，能极大地节省有源区的面积，有源区的宽度能够缩小至0.3微米，能使有源区两侧的N型赝埋层更加充分的连接，从而能降低器件的寄生NP结效应，以及减少器件的N端连接电阻，提高电流密度。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中的PN结变容器的制造方法。

公开(公告)号：CN102412284A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110326340.X

申请日：2011-10-24

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 陈帆 ,  陈雄斌 ,  薛凯 ,  周克然 ,  潘嘉 ,  李昊 ,  陈曦 ,  蔡莹

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开了一种锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管，在基区的周侧的浅槽场氧中形成一和基区相接触的槽，槽的深度小于等于基区的深度，在槽中填充有多晶硅并在多晶硅中掺入了N型杂质，由掺入N型杂质的多晶硅形成外基区，外基区和基区在基区的侧面相接触，在外基区上形成有金属接触并引出基极。本发明还公开了一种锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管的制造方法。本发明能用作高速、高增益HBT电路中的输出器件，为电路提供多一种器件选择，能有效地缩小器件面积、减小器件的寄生效应、减小PNP管的集电极电阻、提高器件的性能；本发明方法无须额外的工艺条件，能够降低生产成本。

公开(公告)号：CN102412150A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110326337.8

申请日：2011-10-24

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 陈帆 ,  陈雄斌 ,  潘嘉 ,  周克然 ,  薛凯

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/22

摘要： 本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法，采用如下步骤对外基区进行掺杂：在锗硅外延层上依次形成硼掺杂的第一氧化膜和第二氮化膜；将基区外部的第一氧化膜、第二氮化膜和锗硅外延层都去除；对第一氧化膜和第二氮化膜进行刻蚀形成发射区窗口；依次形成第三氧化膜和第四氮化膜；对第三氧化膜和第四氮化膜进行刻蚀在发射区窗口的侧部表面形成发射极内侧墙；形成发射区；通过热退火工艺将第一氧化膜隔离中的硼杂质扩散到外基区中实现对外基区的掺杂。本发明不需采用离子注入工艺对外基区进行掺杂，从而能减少光刻掩模板和离子注入的成本。本发明还能避免硼扩散到发射区中，从而能确保器件的性能不受影响。

公开(公告)号：CN101398395A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200710094106.2

申请日：2007-09-28

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 张擎雪 ,  潘嘉

IPC分类号： G01N21/956 ,  H01L21/66

摘要： 本发明公开了一种硅片周边缺口检查方法，在待检测的硅片正面上方设置正面激光源、正面传感器，背面下方设置背面激光源、背面传感器，硅片两边的激光源照射硅片的周边位置，传感器位于同一面激光源照射硅片表面的反射光线路径上且两面的激光源不能直线照射到对面的传感器；硅片旋转一周，周边均经过所述激光源照射，传感器采集的光信号传送到信号处理系统，信号处理系统根据正面传感器、背面传感器采集到的激光信号的强度、个数判断硅片周边存在的缺口；本发明还公开了一种硅片周边缺口检查装置。本发明能快速、准确地检查硅片周边缺口。

公开(公告)号：CN102420243B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201110353252.9

申请日：2011-11-09

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 陈帆 ,  薛恺 ,  陈雄斌 ,  周正良 ,  潘嘉 ,  李昊 ,  周克然 ,  陈曦 ,  蔡莹

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，基区由硅缓冲层、锗硅层和硅帽层三层结构组成。锗硅层能在基区内形成一电子的加速电场，能提高器件频率响应。硅帽层能优化发射结的位置，降低基区复合电流，提高器件的线性度及BVCEO。集电极通过赝埋层和深孔接触从浅槽隔离中引出，能降低集电极电阻，提高器件频率响应。赝埋层采用砷掺杂，能有效控制赝埋层横向扩散，降低寄生电容，提高器件频率响应。发射区为窄发射极结构，能够抑制电流集边效应，提高单位面积的电流密度。发射区和基区接触位置处形成有一层硅氧化层，能够提高发射结势垒高度，提高发射结注入效率。本发明还公开了一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法。