公开(公告)号：CN102412277B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201110374464.5

申请日：2011-11-21

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 胡君 ,  刘冬华 ,  段文婷 ,  石晶 ,  钱文生

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开了一种BiCMOS工艺中的VPNP器件结构，包括：P型衬底顶部形成有P型埋层和深N阱，深N阱顶部形成有N型埋层、P型埋层和集电区，位于深N阱顶部的P型埋层与集电区相邻；集电区上方形成有基区，基区顶部形成有发射区；浅沟槽隔离形成于P型衬底和深N阱上方与集电区和基区相邻；隔离介质形成于基区和浅沟槽隔离上方，多晶硅层形成于基区上方，部分多晶硅层位于隔离介质上方；P型埋层和N型埋层通过深接触孔引出接金属连线，多晶硅层通过接触孔引出接金属连线，发射区通过接触孔引出接金属连线。本发明还公开了一种所述VPNP器件结构的制造方法。本发明VPNP器件结构及其制造方法能降低集电区电阻，提高器件射频性能，降低VPNP管放大系数和衬底电流。

公开(公告)号：CN103137675A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110376860.1

申请日：2011-11-23

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 韩峰 ,  石晶 ,  钱文生 ,  刘冬华 ,  胡君 ,  段文婷 ,  陈帆 ,  邱慈云

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开了一种具有高击穿电压的锗硅异质结双极晶体管结构及其制造方法，包括：在HBT两侧的场氧区中，靠外边缘在部分场氧下有两个N+赝埋层；在N+赝埋层和有源区下方有匹配层；在HBT两侧的场氧区非赝埋层区域和匹配层上方有源区形成集电区；集电区采用非均匀掺杂，场氧之间纵向集电区部分重掺杂，场氧下方横向集电区部分轻掺杂；场氧下N-集电区与匹配层之间相互耗尽，形成横向耗尽区；基区窗口的尺寸等于或大于HBT有源区尺寸；基区窗口介质层采用多晶硅/氧化硅结构；发射区窗口尺寸小于有源区尺寸；发射区窗口介质层采用氮化硅/氧化硅结构；发射极采用氧化硅侧墙；在场氧中制作深孔接触，连接赝埋层，引出集电区电极。本发明提高整个器件的击穿电压，同时降低纵向PNP寄生晶体管的电流增益。

公开(公告)号：CN103094339A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201110340533.0

申请日：2011-11-01

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 刘冬华 ,  胡君 ,  钱文生 ,  韩峰 ,  石晶 ,  陈雄斌

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种NMOS器件，包括：P型衬底、浅沟槽隔离、P阱、热氧化层、二氧化硅介质层、氮化硅硬掩膜层、隔离侧墙和补偿区，所述浅沟槽隔离、热氧化层、P阱和补偿区并列于P型衬底上方，所述热氧化层和补偿区位于浅槽隔离和P阱之间，所述二氧化硅介质层位于P阱上方，所述隔离侧墙位于补偿区上方与二氧化硅介质层相邻，所述氮化硅硬掩膜层位于二氧化硅介质层上方与隔离侧墙相邻，所述热氧化层具有P型杂质。本发明还公开了一种NMOS器件的制作方法。本发明的NMOS器件及其制作方法能抑制深亚微米工艺中NMOS器件的窄沟槽效应。

公开(公告)号：CN103094328A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201110348592.2

申请日：2011-11-07

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 刘冬华 ,  段文婷 ,  钱文生 ,  胡君 ,  石晶

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开了一种SiGe BiCMOS工艺中的寄生PNP器件结构，包括：P型衬底上形成有集电区和浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离位于集电区的两侧；所述浅沟槽隔离底部形成有P型膺埋层和N型膺埋层，所述N型膺埋层与集电区相连；所述集电区和浅沟槽隔离上形成有发射区和介质层，所述介质层与发射区相邻且部分发射区位于介质层上方；隔离侧墙形成于所述介质层和发射区两侧；所述N型膺埋层和P型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线；所述发射区通过接触孔引出连接金属连线。本发明还公开了一种SiGe BiCMOS工艺中的寄生PNP器件结构的制造方法。本发明的寄生PNP器件结构能作为高速、高增益HBT电路中的输出器件，无需额外的工艺条件即能为HBT电路提供多一种器件选择。

公开(公告)号：CN103050529A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210009713.5

申请日：2012-01-13

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 刘冬华 ,  石晶 ,  钱文生 ,  胡君 ,  段文婷

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种低压本征NMOS器件包括：硅衬底上部形成有注入区，注入区旁侧形成有浅沟槽隔离，注入区上部形成有N型源漏区，注入区和硅衬底上方形成有栅氧化层，栅氧化层上方形成有栅多晶硅层，栅氧化层和栅多晶硅层的两侧形成有隔离侧墙，N型源漏区和栅多晶硅层通过接触孔引出连接金属连线。本发明还公开了一种低压本征NMOS器件的制造方法。本发明的本征低压NMOS器件通过提高沟道两侧掺杂浓度，能有效地抑制了源漏穿通的发生，不需要通过拉长器件沟道的方式来避免源漏穿通现象的发生，有利于低压本征NMOS器件的小型化，有利于减小应用低压本征NMOS器件的电路面积。

公开(公告)号：CN103050519A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210004445.8

申请日：2012-01-06

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 刘冬华 ,  段文婷 ,  钱文生 ,  胡君 ,  石晶

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开了一种锗硅HBT，集电区由形成于有源区中的一N型离子注入区组成，基区由形成于有源区上的P型锗硅外延层组成，发射区由形成于基区上部的N型多晶硅组成。基区的尺寸小于有源区的尺寸，通过在基区周侧的有源区上方形成金属接触来引出集电极。本发明能大大缩小器件的面积、减小器件的基区-集电区的结电容、提高器件的频率特征，集电区不需要成本昂贵的外延工艺，能降低工艺成本。本发明公开了一种锗硅HBT器件的制造方法。

公开(公告)号：CN103050510A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210181338.2

申请日：2012-06-04

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 刘冬华 ,  段文婷 ,  胡君 ,  王邦麟 ,  石晶 ,  钱文生

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种RFLDMOS工艺中的ESD器件，ESD器件为N型LDMOS器件，在多晶硅栅源端一侧的P阱中形成有N型轻掺杂漏注入区和N型源漏注入区，在多晶硅栅的漏端一侧的P阱中形成有N型源漏注入区、第二N型轻掺杂漏注入区和用于降低ESD器件的击穿电压的第二P型轻掺杂漏注入区，第二P型轻掺杂漏注入区位于N型源漏注入区的外侧并且第二P型轻掺杂漏注入区的结深大于等于第二N型源漏注入区的结深。本发明还公开了一种RFLDMOS工艺中的ESD器件的制造方法。本发明能减少一道额外的ESD器件的源漏注入光罩，能降低工艺的复杂性，减少工艺成本，提高RFLDMOS工艺的竞争力。

公开(公告)号：CN103035690A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210187217.9

申请日：2012-06-08

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 石晶 ,  刘冬华 ,  胡君 ,  钱文生 ,  段文婷 ,  陈帆

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7378

摘要： 本发明公开了一种超高压锗硅异质结双极晶体管，包括：P型衬底，依次位于P型衬底上的N型匹配层、P型匹配层和N-集电区；位于N-集电区中两侧端的场氧区，填入该场氧区中的氧化硅；位于场氧区下端N型匹配层、P型匹配层和N-集电区中的N+赝埋层；位于场氧区之间的N+集电区；位于场氧区和N+集电区上方的氧化硅层、多晶硅层和锗硅基区；位于锗硅基区上方的氧化硅介质层、氮化硅介质层和发射极；位于发射极两侧的发射极侧墙；位于场氧区中的深接触孔，淀积在该深接触孔内的钛/氮化钛过渡金属层及填入的金属钨将N+赝埋层引出，进而实现集电极的引出。本发明公开了一种所述双极晶体管的制备方法。本发明能够提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN103035688A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210139894.3

申请日：2012-05-08

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 刘冬华 ,  石晶 ,  段文婷 ,  钱文生 ,  胡君

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/737 ,  H01L21/76283 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7371

摘要： 本发明公开了一种锗硅HBT器件，包括：P型硅衬底上形成有集电区，所述集电区两侧形成有赝埋层和场氧，锗硅外延层形成于所述集电区和场氧上方，隔离氧化层和多晶硅层形成于所述锗硅外延层上方，隔离侧墙形成于锗硅外延层和多晶硅层两侧，所述赝埋层通过深接触孔引出连接金属线，所述锗硅外延层、多晶硅层通过接触孔引出连接金属线；其中，所述P型硅衬底上还形成有一埋层氧化层。本发明还公开了一种锗硅HBT器件的制造方法。本发明要的锗硅HBT器件对硅衬底噪声具有隔离作用，该器件与现有锗硅HBT器件相比较能提高锗硅HBT器件自身隔离噪声特性，进而实现LNA电路的良好高频噪声指标。

公开(公告)号：CN103035637A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210152856.1

申请日：2012-05-16

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 段文婷 ,  刘冬华 ,  石晶 ,  钱文生 ,  胡君

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/82

摘要： 本发明公开了一种RFLDMOS工艺中的ESD器件，ESD器件为NMOS器件，在多晶硅栅两侧的P阱中形成有N型轻掺杂漏注入区和N型源漏注入区，在多晶硅栅的漏端一侧的P阱中还形成有用于降低ESD器件的击穿电压的第二P型轻掺杂漏注入区，第二P型轻掺杂漏注入区的结深大于N型源漏注入区的结深。本发明还公开了一种RFLDMOS工艺中的ESD器件的制造方法。本发明能减少一道额外的ESD器件的源漏注入光罩，能降低工艺的复杂性，减少工艺成本，提高RFLDMOS工艺的竞争力。