公开(公告)号：CN103789765A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201410000760.2

申请日：2014-01-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 赵岳 ,  丁艳丽 ,  王林军 ,  彭翔 ,  梁小燕 ,  闵嘉华 ,  史伟明

IPC: C23C28/00 ,  C23C14/24 ,  C23C14/16 ,  B32B9/04

Abstract: 本发明公开了一种斜角法在硅基片上形成Ag/ZnO核壳结构的方法，该方法是先用真空热蒸镀的方法将Ag粉蒸镀到不同倾斜角度的基片上，得到镀有Ag薄膜的基片；然后，配制合适浓度的硝酸锌溶液，在水浴环境中磁力搅拌，加入三乙醇胺使溶液呈弱碱性，然后将上面得到的有Ag的基片放入此混合溶液中，反应，得到Ag/ZnO核壳结构物。本发明采用斜角热蒸发法制备Ag薄膜，湿化学方法制备ZnO壳层，得到ZnO包覆Ag的纳米级材料；包覆均匀、工艺简单可控、成本低；制备的Ag/ZnO核壳结构材料在生物探针、环境检测、医药学等领域具有潜在的应用价值。