公开(公告)号：CN113001376A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110212877.7

申请日：2021-02-25

Applicant: 上海大学

Inventor： 徐闰 ,  王文贞 ,  杨亦桁 ,  戚焕震 ,  仝向 ,  赖建明 ,  徐飞 ,  王林军

IPC: B24B29/02 ,  B24B1/00 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明公开了一种CH3NH3PbI3(MAPbI3)晶体的抛光方法，涉及抛光领域，包括以下步骤：准备好待抛光的晶体，对待抛光的晶体表面进行细砂纸的打磨处理；配制抛光液，通过煤油与硅油以1:9的体积比进行混合，配制抛光液溶剂；将25mL溶剂与2g氧化镁抛光粉混合后超声均匀分散，形成所用的抛光液；将抛光液均匀倾倒至金相绒布抛光垫上，对待抛光的晶体进行抛光；通过煤油对晶体进行清洗，得到理想的晶体表面。MAPbI3晶体通过此方法抛光后，表面缺陷显著减少，电学性质明显提高。