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公开(公告)号：CN102544230A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210039923.9
申请日：2012-02-22
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , C23C14/22 , C23C14/06 , C23C16/448
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及的是一种Cd1-xZnxTe(CZT)薄膜的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。其中CZT薄膜制备方法是：采用掺少量Zn(x小于1%)的Cd1-xZnxTe多晶或单晶圆盘做升华源，用近空间升华法直接制备x
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