公开(公告)号：CN101882653B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201010215802.6

申请日：2010-06-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  黄健 ,  唐可 ,  张继军 ,  贡伟明 ,  夏义本

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及的是一种基于纳米CdS薄膜窗口层的高效太阳能电池制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该太阳能电池的制备方法是：通过磁控溅射法在导电玻璃上制备高禁带宽度的氧掺杂纳米CdS薄膜(CdS:O薄膜)，在溅射时通入一定比例的氩气和氧气的混合气体，从而得到纳米CdS:O薄膜；薄膜制备后在氩气和氧气的混合气体及氯化镉的蒸汽下高温退火以改善薄膜性能；再在纳米CdS:O薄膜上制备CdTe或CdZnTe薄膜及背电极从而制备出太阳能电池。通过采用CdS:O薄膜制备太阳能电池，有利于提高基于CdS薄膜的太阳能电池的效率。

公开(公告)号：CN102544230A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210039923.9

申请日：2012-02-22

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  徐闰 ,  贡伟明 ,  汤敏燕 ,  徐海涛 ,  黄健

IPC: H01L31/18 ,  C23C14/22 ,  C23C14/06 ,  C23C16/448

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及的是一种Cd1-xZnxTe(CZT)薄膜的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。其中CZT薄膜制备方法是：采用掺少量Zn(x小于1%)的Cd1-xZnxTe多晶或单晶圆盘做升华源，用近空间升华法直接制备x

公开(公告)号：CN101887921A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010215756.X

申请日：2010-06-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  黄健 ,  唐可 ,  张继军 ,  贡伟明 ,  夏义本

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及的是一种CdMnTe薄膜太阳能电池及其制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该CMT薄膜太阳能电池的结构为：透明导电玻璃/CdS/CdMnTe/背电极或透明导电玻璃/CMT电池/CuInSe2电池/背电极的叠层电池。其中CMT薄膜制备方法是：采用近空间升华法在衬底上沉积CdMnTe薄膜；薄膜沉积后，采用近空间升华设备，在氯化镉蒸汽氛围中对CMT薄膜进行高温退火。采用CMT薄膜制备太阳能电池有利于促进低成本、高稳定性和高效率叠层太阳能电池的发展。

公开(公告)号：CN101882653A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN201010215802.6

申请日：2010-06-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  黄健 ,  唐可 ,  张继军 ,  贡伟明 ,  夏义本

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及的是一种基于纳米CdS薄膜窗口层的高效太阳能电池制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该太阳能电池的制备方法是：通过磁控溅射法在导电玻璃上制备高禁带宽度的氧掺杂纳米CdS薄膜(CdS:O薄膜)，在溅射时通入一定比例的氩气和氧气的混合气体，从而得到纳米CdS:O薄膜；薄膜制备后在氩气和氧气的混合气体及氯化镉的蒸汽下高温退火以改善薄膜性能；再在纳米CdS:O薄膜上制备CdTe或CdZnTe薄膜及背电极从而制备出太阳能电池。通过采用CdS:O薄膜制备太阳能电池，有利于提高基于CdS薄膜的太阳能电池的效率。