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公开(公告)号：CN110643937A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201911003731.0
申请日：2019-10-22
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种掺Al的AlN靶材、AlN-CdZnTe复合结构组件及其制备方法，采用掺Al的AlN靶材，调控和优化进行溅射AlN工艺条件，制备AlN薄膜和CdZnTe厚膜，本发明方法首先制备掺Al的AlN靶材，以便用于之后AlN薄膜的溅射；然后是在AlN陶瓷衬底上溅射AlN膜，使其能和衬底形成AlN复合衬底来上快速生长大面积、高质量的CdZnTe厚膜。本发明可以制备出晶格缺陷较少的高质量的CdZnTe厚膜，以便于其在红外探测器、X射线与γ射线探测器、太阳能电池以及光电调制器等领域的应用。
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