用于碲锌镉辐射探测器的复合电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN112436062B

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202011382658.5

    申请日:2020-12-01

    Abstract: 本发明公开了一种用于碲锌镉辐射探测器的复合电极,其包括:生长在碲锌镉晶体材料表面的NiTe基薄膜电极、生长在NiTe基薄膜电极表面的Ni薄膜电极,以及生长在Ni薄膜电极表面的Au薄膜电极。相对于现有技术,本发明用于碲锌镉辐射探测器的复合电极可在碲锌镉晶体材料表面形成更好的欧姆接触、接触电阻更低,显著提高了碲锌镉辐射探测器的电荷收集性能。此外,本发明还公开了一种用于碲锌镉辐射探测器的复合电极的制备方法。相对于现有技术,本发明用于碲锌镉辐射探测器的复合电极的制备方法采用磁控溅射技术制备NiTe基薄膜电极,结晶质量好、附着力强、电导率高、速度快、质量稳定,且磁控溅射技术批量生长的成本低。

    一种碲锌镉探测器的器件结构及其制备工艺

    公开(公告)号:CN112349797A

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN202011093126.X

    申请日:2020-10-13

    Abstract: 一种碲锌镉探测器的器件结构,包括有:由CZT及Si构成的复合晶体;设于复合晶体两端的电极及设于复合晶体侧壁的弗里希栅极;一种碲锌镉探测器的制备工艺,针对此结构的探测器进行。形成依次的:硅片预处理、碲锌镉表面处理、单晶硅与碲锌镉进行低温键合、电极制备、表面钝化、弗里希栅制备工序。本发明的一种碲锌镉探测器的器件结构及其制备工艺,从结构本身的设置及工艺方面,在着重探测器的探测效率及能量分辨率基础上,兼顾考量漏电流问题及键合问题,最终形成漏电流小、系统的信噪比高、构成探测器的复合晶体内部键合强度高的一种高探测效率及高能量分辨率的探测器。

    一种CdMnTe成像探测器的制备方法

    公开(公告)号:CN111900213B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202010771822.5

    申请日:2020-08-04

    Abstract: 一种CdMnTe(简称CMT)成像探测器及其制备方法,其中所述的探测器由CMT晶体制备而成,并于晶体两端真空蒸镀Ti/Au复合电极构成平面探测器结构,并在此基础上设置了弗里希栅极结构,从而改变了权重势分布,使得收集性能得到提高的同时兼顾了漏电流的影响;其中所述的制备方法,在完成晶体制备的过程中建立了对诸如Cd空位等点缺陷补偿控制、对组分过冷造成的固液界面的不稳定的控制,并进一步通过设置的三步回溶步骤、形成对固液界面的形貌控制。本发明的一种CMT成像探测器及其制备方法,通过同时从晶体生长工艺与器件制备工艺两个方面作考量,形成对探测器性能的良好响应。

    用于碲锌镉辐射探测器的复合电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN112436062A

    公开(公告)日:2021-03-02

    申请号:CN202011382658.5

    申请日:2020-12-01

    Abstract: 本发明公开了一种用于碲锌镉辐射探测器的复合电极,其包括:生长在碲锌镉晶体材料表面的NiTe基薄膜电极、生长在NiTe基薄膜电极表面的Ni薄膜电极,以及生长在Ni薄膜电极表面的Au薄膜电极。相对于现有技术,本发明用于碲锌镉辐射探测器的复合电极可在碲锌镉晶体材料表面形成更好的欧姆接触、接触电阻更低,显著提高了碲锌镉辐射探测器的电荷收集性能。此外,本发明还公开了一种用于碲锌镉辐射探测器的复合电极的制备方法。相对于现有技术,本发明用于碲锌镉辐射探测器的复合电极的制备方法采用磁控溅射技术制备NiTe基薄膜电极,结晶质量好、附着力强、电导率高、速度快、质量稳定,且磁控溅射技术批量生长的成本低。

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