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公开(公告)号：CN103744040A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410001030.4
申请日：2014-01-02
申请人： 上海大学 , 江苏瑞博豪泰金属材料股份有限公司
IPC分类号： G01R33/16
摘要： 本发明公开了一种物质变温磁化率的测量方法，控制真空炉中温度达到预定温度，利用磁场发生器调整磁场梯度积的数值，在待测样品和样品管所处真空炉内空间区域产生特定的磁场梯度积稳恒区域，使待测样品和样品管完全处于磁场发生器形成的磁场梯度积稳恒区域中，然后通过电子天平分别测量预定温度下不同磁场梯度积时的待测样品和样品管的质量，通过计算得到一定温度下的待测样品的质量磁化率。本发明还提供一种物质磁化率测量装置。本发明解决磁化率的传统测量方法的局限性和误差较大的问题，不仅能够更加准确的测定未知物质的磁化率，而且还可以测定不同温度下物质的磁化率和不同晶向磁化率。
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公开(公告)号：CN103744040B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410001030.4
申请日：2014-01-02
申请人： 上海大学 , 江苏瑞博豪泰金属材料股份有限公司
IPC分类号： G01R33/16
摘要： 本发明公开了一种物质变温磁化率的测量方法，控制真空炉中温度达到预定温度，利用磁场发生器调整磁场梯度积的数值，在待测样品和样品管所处真空炉内空间区域产生特定的磁场梯度积稳恒区域，使待测样品和样品管完全处于磁场发生器形成的磁场梯度积稳恒区域中，然后通过电子天平分别测量预定温度下不同磁场梯度积时的待测样品和样品管的质量，通过计算得到一定温度下的待测样品的质量磁化率。本发明还提供一种物质磁化率测量装置。本发明解决磁化率的传统测量方法的局限性和误差较大的问题，不仅能够更加准确的测定未知物质的磁化率，而且还可以测定不同温度下物质的磁化率和不同晶向磁化率。
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公开(公告)号：CN103898596A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410121361.1
申请日：2014-03-28
申请人： 上海大学 , 江苏瑞博豪泰金属材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种有机电解液，其按重量百分比组成如下：氯化锂2%~5%，γ-丁内酯5%~8%，乙二醇2%~5%，苯基表面活性剂0.1%~10%，余量为无水乙醇。本发明还公开了一种提取钢中非金属夹杂物的方法，包括如下步骤：电解液配制；在钢样的外围还套装一个微孔醋酸纤维素胶袋，对钢样进行电解；超声波震荡和真空过滤方式对夹杂物进行分离。本发明有机电解液环保的低毒，显著减少对操作人员的身体伤害，通过外加磁场加速电解，缩短电解时间，克服阳极泥中大量铁屑及铁与夹杂物的包裹体和夹杂物难分离的难题，结合醋酸纤维素胶袋的使用准确全面地提取钢中非金属夹杂物。
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公开(公告)号：CN103060902B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310008252.4
申请日：2013-01-10
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种直接成形制备带硅的方法，在硅片和硅熔体的固液界面区域施加交变磁场，在固液界面前沿处的硅熔体中形成感生电流，通过交变磁场和感生电流的共同作用，在固液界面处形成垂直固液界面并指向硅熔体内部的电磁挤压力，调整电磁挤压力的大小，使电磁挤压力完全抵消硅片窄边固液界面处向内的表面张力，从而使柔性的电磁力约束并稳定固液界面的形状，使柔性的电磁力约束的硅熔体成形并持续凝固，然后将凝固的带状硅铸坯持续拉出，直接制备带硅。本发明还公开了一种硅片直接成形装置，包括硅料熔化保温装置、加料装置、直拉引锭装置和带硅软接触成形装置，直接制备带硅，实现洁净生产，减少硅片缺陷，实现大规模直接生产带硅的工业应用。
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公开(公告)号：CN103320737B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310258368.3
申请日：2013-06-26
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种热浸镀硅法制备高硅硅钢薄带的方法，控制传输备用基础薄带并使其通过热浸镀池的热浸镀液，使备用基础薄带表面覆盖上一层热浸高硅镀层，然后通过对热浸高硅镀层的厚度和表面平整度进行修饰控制，得到高硅复合镀层钢带坯料，再进行均匀化扩散热处理，连续制备硅元素分布均匀的高硅钢薄带。本发明还公开了一种硅钢带连续制备装置，包括按照工艺先后次序设置的放卷引导装置、预热炉、镀液连续供应装置、热浸镀装置、扩散热处理装置和收卷装置。本发明利用低硅钢薄带快速通过高硅熔液热浸镀一层高硅镀层，然后经过热处理工艺来获得具有优异磁性能的高硅硅钢薄带，操作简单，具有高效、可连续制备的特点，可大幅度降低制备成本。
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公开(公告)号：CN103320737A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310258368.3
申请日：2013-06-26
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种热浸镀硅法制备高硅硅钢薄带的方法，控制传输备用基础薄带并使其通过热浸镀池的热浸镀液，使备用基础薄带表面覆盖上一层热浸高硅镀层，然后通过对热浸高硅镀层的厚度和表面平整度进行修饰控制，得到高硅复合镀层钢带坯料，再进行均匀化扩散热处理，连续制备硅元素分布均匀的高硅钢薄带。本发明还公开了一种硅钢带连续制备装置，包括按照工艺先后次序设置的放卷引导装置、预热炉、镀液连续供应装置、热浸镀装置、扩散热处理装置和收卷装置。本发明利用低硅钢薄带快速通过高硅熔液热浸镀一层高硅镀层，然后经过热处理工艺来获得具有优异磁性能的高硅硅钢薄带，操作简单，具有高效、可连续制备的特点，可大幅度降低制备成本。
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公开(公告)号：CN103060902A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310008252.4
申请日：2013-01-10
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种直接成形制备带硅的方法，在硅片和硅熔体的固液界面区域施加交变磁场，在固液界面前沿处的硅熔体中形成感生电流，通过交变磁场和感生电流的共同作用，在固液界面处形成垂直固液界面并指向硅熔体内部的电磁挤压力，调整电磁挤压力的大小，使电磁挤压力完全抵消硅片窄边固液界面处向内的表面张力，从而使柔性的电磁力约束并稳定固液界面的形状，使柔性的电磁力约束的硅熔体成形并持续凝固，然后将凝固的带状硅铸坯持续拉出，直接制备带硅。本发明还公开了一种硅片直接成形装置，包括硅料熔化保温装置、加料装置、直拉引锭装置和带硅软接触成形装置，直接制备带硅，实现洁净生产，减少硅片缺陷，实现大规模直接生产带硅的工业应用。
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公开(公告)号：CN203705629U
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201420001535.6
申请日：2014-01-02
申请人： 上海大学
IPC分类号： G01R33/16
摘要： 本实用新型公开了一种高温下测量物质磁化率的装置，将样品管悬挂在筒形硅碳管加热体形成的炉体内腔中，在筒形硅碳管加热体外围包裹着保温层，使炉体内腔中形成均匀温度场，控温仪与热电偶信号连接，热电偶的温度测试端安装于靠近样品管的炉体内腔区域中，控温仪的控制模块直接控制筒形硅碳管加热体的加热功率，样品管为刚玉制坩埚，样品管悬吊于电子天平的下方，磁场发生器通过超导强磁体在样品管所处区域产生磁场梯度积稳恒区域，使装入样品管中的被测试样完全处于磁场发生器形成的磁场梯度积稳恒区域中。本实用新型可测量出物质在不同高温下的磁化率数据，其最高温度可达到1400℃，还能测量物质磁化率随温度的变化，可控性强，容易操作。
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