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公开(公告)号：CN111060983A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911215504.4
申请日：2019-12-02
摘要： 本发明提供了一种振动传感系统的自适应阈值计算方法及系统，包括：根据光纤分布式振动传感系统是否接入光纤，得到瑞利散射曲线的第一信号和第二信号；对第一信号、第二信号分别进行加窗分帧处理得到第三信号和第四信号；利用第四信号，对第三信号进行自适应归一化处理，得到第五信号；对第五信号在时域上进行高通滤波处理，得到滤波后的第六信号；对第六信号进行实时计算短时能量和短时过阈值率，利用自适应方法求取设定阈值；利用短时能量和短时过阈值率求取联合阈值，并利用联合阈值对短时能量和短时过阈值率进行判断识别入侵报警所处的位置。本发明实时迭代更新阈值参数,有效抑制由于系统本身的漂移及环境噪声等引起的误报。
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公开(公告)号：CN108133977B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201711131881.0
申请日：2017-11-15
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明提供的一种优化阻挡杂质带探测器工作温度的方法，包括如下步骤：将阻挡杂质带探测器封装至恒温器中；测得不同工作温度下阻挡杂质带探测器的背景电流IBG随正电极偏压U变化的曲线，并确定探测器的击穿电压UBD；获取背景电流IBG随阻挡杂质带探测器的工作温度T变化的曲线IBG(T)；测量得到不同工作温度下阻挡杂质带探测器的黑体响应电流IBB随正电极偏压U变化的曲线；获取黑体响应电流IBB随阻挡杂质带探测器工作温度T变化的曲线IBB(T)；根据探测器优值因子随探测器工作温度变化的曲线确定最佳工作温度。本发明对制备的阻挡杂质带探测器进行数据采集及数据处理得到最佳工作温度，进而根据优化后的结果设置阻挡杂质带探测器的工作温度，性能将具有最优值。
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公开(公告)号：CN112289872A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011181384.3
申请日：2020-10-29
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种倒梯形槽面结构的阻挡杂质带探测器及其制备方法，包括高纯砷化镓衬底和依次设置在高纯砷化镓衬底上的公共负电极接触层、砷化镓掺硫吸收层、本征砷化镓阻挡层、氮化硅钝化层，以及正电极接触层、正电极、负电极；本征砷化镓阻挡层上设置有容纳正电极接触层的正电极凹槽；本征砷化镓阻挡层、砷化镓掺硫吸收层上开设有倒梯形负电极凹槽，氮化硅钝化层分布在本征砷化镓阻挡层表面以及倒梯形负电极凹槽的侧面；正电极、负电极分别设置在正电极接触层的、倒梯形负电极凹槽表面，负电极通过倒梯形负电极凹槽的底面与公共负电极接触层连接。本发明能够在正照和背照模式下工作，采用倒梯形负电极凹槽，有利于提高电学连接的可靠性。
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公开(公告)号：CN108133977A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711131881.0
申请日：2017-11-15
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/09 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明提供的一种优化阻挡杂质带探测器工作温度的方法，包括如下步骤：将阻挡杂质带探测器封装至恒温器中；测得不同工作温度下阻挡杂质带探测器的背景电流IBG随正电极偏压U变化的曲线，并确定探测器的击穿电压UBD；获取背景电流IBG随阻挡杂质带探测器的工作温度T变化的曲线IBG(T)；测量得到不同工作温度下阻挡杂质带探测器的黑体响应电流IBB随正电极偏压U变化的曲线；获取黑体响应电流IBB随阻挡杂质带探测器工作温度T变化的曲线IBB(T)；根据探测器优值因子随探测器工作温度变化的曲线确定最佳工作温度。本发明对制备的阻挡杂质带探测器进行数据采集及数据处理得到最佳工作温度，进而根据优化后的结果设置阻挡杂质带探测器的工作温度，性能将具有最优值。
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公开(公告)号：CN111060983B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201911215504.4
申请日：2019-12-02
摘要： 本发明提供了一种振动传感系统的自适应阈值计算方法及系统，包括：根据光纤分布式振动传感系统是否接入光纤，得到瑞利散射曲线的第一信号和第二信号；对第一信号、第二信号分别进行加窗分帧处理得到第三信号和第四信号；利用第四信号，对第三信号进行自适应归一化处理，得到第五信号；对第五信号在时域上进行高通滤波处理，得到滤波后的第六信号；对第六信号进行实时计算短时能量和短时过阈值率，利用自适应方法求取设定阈值；利用短时能量和短时过阈值率求取联合阈值，并利用联合阈值对短时能量和短时过阈值率进行判断识别入侵报警所处的位置。本发明实时迭代更新阈值参数,有效抑制由于系统本身的漂移及环境噪声等引起的误报。
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公开(公告)号：CN111428364A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010215108.8
申请日：2020-03-24
IPC分类号： G06F30/20 , G06F111/10 , G06F119/10
摘要： 本发明提供了一种优化阻挡杂质带探测器噪声的方法、系统及介质，首先通过数值模拟及数据拟合得到在特定工作偏压及特定工作温度下，探测器噪声频谱密度关于不同阻挡层厚度的函数式，根据该函数式及设计的噪声频谱密度提取出相应的定制阻挡层厚度，按照该阻挡层厚度进行制作的探测器可使噪声频谱密度满足设计要求。该方法的优点在于，可以针对不同材料体系及不同工艺条件得到的阻挡杂质带探测器提取出噪声频谱密度与阻挡层厚度的关系，得到在特定工作偏压及特定工作温度下的定制阻挡层厚度，由此设计并制作的探测器噪声频谱密度将满足设计要求，避免为了优化探测器噪声设计而进行反复试片，极大地缩短了探测器的研发周期并降低了研发成本。
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公开(公告)号：CN109920877A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910091479.7
申请日：2019-01-30
摘要： 本发明涉及一种太赫兹探测器件制备技术领域的分炉外延型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器的制备方法，包括如下步骤：将背封高导硅衬底放入化学气相沉积的反应炉腔中；在高导硅衬底正面生长重掺杂吸收层；将重掺杂吸收层生长完毕的硅片从炉腔中取出，去除底板边缘区域沉积的掺杂多晶硅及炉腔残留的杂质；将硅片重新放回炉腔，去除硅片表面的氧化层后清洁炉腔；在重掺杂吸收层上继续生长本征阻挡层；将本征阻挡层生长完毕的硅片从炉腔中取出，对硅片进行微纳加工及器件封装。本发明中吸收层与阻挡层分炉进行外延生长，有利于提高阻挡层的表面电阻率及减小吸收层和阻挡层的过渡区宽度，从而有效降低器件暗电流及延伸探测波长。
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公开(公告)号：CN110308504B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201910539082.X
申请日：2019-06-20
IPC分类号： G02B5/00
摘要： 本发明提供了一种冷光阑，包含铝制本体，所述铝制本体包含本体侧壁与本体底壁，本体侧壁与本体底壁一体成型或紧固连接；铝制本体内部形成容纳腔；所述本体底壁位于本体侧壁沿轴向方向的一端，本体侧壁沿轴向方向的另一端设置有连接部，连接部与本体侧壁一体成型或紧固连接；所述本体侧壁上设置有凹入部，所述凹入部从本体侧壁向容纳腔中延伸，凹入部内部形成凹腔，凹腔的底壁上设置有腔底圆孔。本发明还提供了一种包含上述冷光阑的探测器系统。本发明提供的冷光阑能有效降低阻挡杂质带探测器背景杂散辐射，提高信噪比同时冷光阑加工工艺简单，且自身所发出的背景杂散辐射以及外壁反射、折射的杂散辐射对探测器影响极小可忽略不计。
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公开(公告)号：CN116110207A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211564019.X
申请日：2022-12-07
摘要： 本发明提供一种双机冗余定位型光纤传感周界入侵报警方法及系统，涉及入侵报警技术领域，包括：从周界起点开始，将部分多芯光缆布置在周界围栏或围墙上，形成挂网光缆；另一部分多芯光缆布设于围墙或围栏的外部地下位置，形成地网光缆；根据探测主机探测长度确定周界范围内探测节点位置，并连接光缆；连接探测节点形成闭合光缆布置路径；将每个探测节点之间的周界区域划分为多段长度区域，每个区域进行单独定标，并对探测主机及各探测节点定标；寻找入侵位置点；当某处光缆发生断纤或断缆时，通过上位机对故障位置进行判断，并从故障点判别分段选取有效数据段；发生入侵行为时，根据入侵位置点与故障点进行判断。本发明能够提高系统的稳定性。
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公开(公告)号：CN111191403A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911357959.X
申请日：2019-12-25
IPC分类号： G06F30/30
摘要： 本发明提供了一种优化BIB探测器响应率的方法及BIB探测器，首先通过数值模拟及数据拟合得到探测器最佳工作温度关于不同工作偏压的函数式，进而根据该函数式及设置的工作偏压提取出相应的最佳工作温度，该工作温度在设置的工作偏压下能使制作的BIB探测器的响应率达到最优。本发明能够针对不同材料体系及不同工艺条件得到的BIB探测器提取出最佳工作温度与工作偏压的关系，由此得到工作偏压及相应最佳工作温度在内的最佳工作条件，根据最佳工作条件对探测器的工作偏压及工作温度进行设置，则探测器的响应率将具有最优值，从而避免为了优化响应率而对探测器的工作条件进行反复设置，极大地缩短了探测器的调试周期并提高了调试的准确度。
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