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公开(公告)号：CN103617955A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310616662.7
申请日：2013-11-27
Applicant: 上海联星电子有限公司 , 中国科学院微电子研究所 , 江苏中科君芯科技有限公司
IPC: H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66325
Abstract: 本发明公开了一种低压RB-IGBT器件的制造方法，正反两面结构通过采用双面截断型终端结构，实现RB-IGBT的双向阻断能力，与正面采用场限环等终端的RB-IGBT相比，能有效的缩小终端区占有的芯片面积，从而节省成本。
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公开(公告)号：CN104979378A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410133404.8
申请日：2014-04-03
Applicant: 上海联星电子有限公司 , 中国科学院微电子研究所 , 江苏中科君芯科技有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的集电极结构及TI-IGBT，其中集电极结构包括：与漂移区的掺杂类型相反的集电区；与漂移区的掺杂类型相同的短路区，短路区与集电区相互隔离；形成于集电区与短路区背离漂移区一侧的集电极；覆盖集电区与短路区之间的集电极的绝缘体，绝缘体背离漂移区一侧的表面与集电区和短路区之间的集电极的表面相接触，朝向漂移区一侧的表面与漂移区的表面相接触，且与集电区和短路区均相接触。由于上述背面结构中从集电区上方传输至短路区的电子电流的传导路径为集电极上方→绝缘体上方→短路区上方，因此电子传导路径的电阻较大，从而用更小尺寸的集电区就可以完全抑制回跳现象，最终提高了器件的抗短路和功率循环能力。
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公开(公告)号：CN104979378B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201410133404.8
申请日：2014-04-03
Applicant: 上海联星电子有限公司 , 中国科学院微电子研究所 , 江苏中科君芯科技有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的集电极结构及TI‑IGBT，其中集电极结构包括：与漂移区的掺杂类型相反的集电区；与漂移区的掺杂类型相同的短路区，短路区与集电区相互隔离；形成于集电区与短路区背离漂移区一侧的集电极；覆盖集电区与短路区之间的集电极的绝缘体，绝缘体背离漂移区一侧的表面与集电区和短路区之间的集电极的表面相接触，朝向漂移区一侧的表面与漂移区的表面相接触，且与集电区和短路区均相接触。由于上述背面结构中从集电区上方传输至短路区的电子电流的传导路径为集电极上方→绝缘体上方→短路区上方，因此电子传导路径的电阻较大，从而用更小尺寸的集电区就可以完全抑制回跳现象，最终提高了器件的抗短路和功率循环能力。
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公开(公告)号：CN103632960A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310618201.3
申请日：2013-11-27
Applicant: 上海联星电子有限公司 , 中国科学院微电子研究所 , 江苏中科君芯科技有限公司
IPC: H01L21/331
CPC classification number: H01L21/761 , H01L29/66325 , H01L29/7393
Abstract: 本发明公开了一种RB-IGBT的制备方法，首先在衬底上生长一层N型外延层，并在需要隔离的区域进行P+注入，随后退火同时将隔离区推深。这样就形成了一定厚度的隔离区。然后根据需要的隔离区厚度，重复以上步骤，形成要求厚度的隔离区。本发明提供的RB-IGBT的制备方法，分步进行外延和掺杂的方法，可以得到较深的隔离区，实现RB-IGBT的制备。
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公开(公告)号：CN103617954B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201310616655.7
申请日：2013-11-27
Applicant: 上海联星电子有限公司 , 中国科学院微电子研究所 , 江苏中科君芯科技有限公司
IPC: H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种Trench‑RB‑IGBT的制备方法，包含：制作IGBT的正面结构；在所述IGBT的背面刻蚀形成沟槽；对所述沟槽的槽壁进行B离子注入；向所述沟槽填充SiO2，得到所述Trench‑RB‑IGBT。本发明提供的Trench‑RB‑IGBT的制备方法，在IGBT的背面刻蚀形成沟槽，芯片之间划片后的断面为垂直面，不会出现脆弱的尖角，因此相对现有方案更加坚固。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103617954A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310616655.7
申请日：2013-11-27
Applicant: 上海联星电子有限公司 , 中国科学院微电子研究所 , 江苏中科君芯科技有限公司
IPC: H01L21/331
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/76237 , H01L21/8222
Abstract: 本发明公开了一种Trench-RB-IGBT的制备方法，包含：制作IGBT的正面结构；在所述IGBT的背面刻蚀形成沟槽；对所述沟槽的槽壁进行B离子注入；向所述沟槽填充SiO2，得到所述Trench-RB-IGBT。本发明提供的Trench-RB-IGBT的制备方法，在IGBT的背面刻蚀形成沟槽，芯片之间划片后的断面为垂直面，不会出现脆弱的尖角，因此相对现有方案更加坚固。
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公开(公告)号：CN104658907A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310590102.9
申请日：2013-11-20
Applicant: 江苏物联网研究发展中心 , 中国科学院微电子研究所 , 江苏中科君芯科技有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/60
CPC classification number: H01L29/66325 , H01L24/07
Abstract: 本发明公开了一种逆阻型绝缘栅型双极晶体管的制作方法，在制作逆阻型绝缘栅型双极晶体管的过程中，采用键合工艺将第一半导体基片和第二半导体基片键合到一起，提高了键合后的半导体基片的机械强度，降低了键合后的半导体基片在制作过程中碎片的概率，进而提高了成品率。
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公开(公告)号：CN104658907B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201310590102.9
申请日：2013-11-20
Applicant: 江苏物联网研究发展中心 , 中国科学院微电子研究所 , 江苏中科君芯科技有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种逆阻型绝缘栅型双极晶体管的制作方法，在制作逆阻型绝缘栅型双极晶体管的过程中，采用键合工艺将第一半导体基片和第二半导体基片键合到一起，提高了键合后的半导体基片的机械强度，降低了键合后的半导体基片在制作过程中碎片的概率，进而提高了成品率。
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公开(公告)号：CN106601799A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510683900.5
申请日：2015-10-20
Applicant: 上海联星电子有限公司 , 江苏中科君芯科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7398 , H01L29/41708
Abstract: 本发明公开了一种压接式IGBT器件，其包括IGBT芯片和第一金属电极，其中，第一金属电极和IGBT芯片的发射极的压接区域与第一阱区相对的边缘之间具有第一预设距离，以及，第一金属电极和发射极的压接区域与第二阱区相对的边缘之间具有第二预设距离，可以根据具体的IGBT器件设定第一预设距离和第二预设距离，以使第一金属电极和发射极在压接时产生的压力不影响IGBT芯片的第一阱区和第二阱区，避免第一阱区和第二阱区产生电特性的变化。因此，相对于现有的IGBT器件，本发明提供的技术方案无需在IGBT芯片上设计特殊的压接区域，避免了IGBT芯片的浪费，节约了资源，降低了成本，且减小了IGBT器件的体积。
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公开(公告)号：CN106486360A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510550928.1
申请日：2015-08-31
Applicant: 上海联星电子有限公司 , 江苏中科君芯科技有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/66325 , H01L29/7393
Abstract: 本发明提供公开了一种RC-IGBT及其制作方法，该制作方法包括：提供一衬底，所述衬底具有漂移区；在所述衬底上表面内形成阱区；在所述阱区内形成源区；在所述衬底下表面内形成集电区；形成正面电极结构以及背面电极结构；对所述漂移区进行载流子寿命控制，降低所述漂移区的载流子寿命。所述制作方法通过对漂移区进行载流子寿命控制，降低漂移区的载流子寿命，FRD从正偏转换为反偏时，注入到漂移区11的载流子可以快速的被复合掉，提高了关断速度，进而提高了开关速度。
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