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公开(公告)号：CN112687522B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202011551208.4
申请日：2020-12-24
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司
发明人： 康晓旭
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/3213
摘要： 本发明公开了一种非晶锗硅薄膜结构、集成结构以及制造方法，其中，非晶锗硅薄膜结构，包括：U型非晶锗硅薄膜结构，在该U型非晶锗硅薄膜结构的下方、外侧和内侧均设置有高阻非晶硅层。在本发明的中，采用了U型的嵌套结构，通过将大部分的非晶锗硅薄膜层用高阻非晶硅层覆盖住，从而避免受到接触膜层、相关工艺的影响，实现高质量的产品特性。
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公开(公告)号：CN113764539B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202111047813.2
申请日：2021-09-08
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司
摘要： 本申请提供一种红外探测器及其制备方法，涉及红外探测器技术领域，该红外探测器包括基底、牺牲层以及微桥结构；牺牲层设置在基底上，牺牲层内设置有连接孔；微桥结构的部分设置在所述连接孔内，且位于该连接孔内的所述微桥结构与设置在所述基底内的电路电连接。本申请通过对微桥结构进行改进，使得微桥结构包括层叠设置的第一导电层和第二导电层，与相关技术中，微桥结构仅包括一层导电层的技术方案相比，增加了微桥结构的厚度，进而降低了微桥结构的电阻，提高了红外探测器的性能。
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公开(公告)号：CN112582338B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202011401876.9
申请日：2020-12-02
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/324
摘要： 一种实现背引出的工艺方法，包括对所述硅片背面研磨减薄，以使所述硅片背面距离器件层一预定距离D；在硅片背面曝光将需要进行背引出的P型区域，进行P型掺杂以形成P型掺杂区，以及在硅片背面曝光将需要进行背引出的N型区域打开，进行N型掺杂以形成N型掺杂区；在硅片背面沉积生长隔离层和激光反射层；通过光刻和刻蚀工艺刻蚀隔离层和激光反射层的指定区域，暴露P型掺杂区和N型掺杂区；采用激光退火工艺对硅片背面实现全晶圆均匀退火。因此，本发明实现了减少硅片背面对激光退火热预算吸收情况下，激活注入元素，为实现背引出工艺提供经济、可行方案。
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公开(公告)号：CN118190173A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211581539.1
申请日：2022-12-05
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种非制冷测量器件结构及制作方法，器件结构包括：建立在衬底上的微桥结构；所述微桥结构设有桥面和支撑所述桥面的支撑柱，所述桥面上设有热吸收及热敏复合层；所述热吸收及热敏复合层包括热敏层和接触形成于所述热敏层上的热吸收及导电层；所述热吸收及导电层包括由卷曲态的导电一维量子材料形成的热吸收及传导体，所述热吸收及热敏复合层通过所述支撑柱与所述衬底间形成欧姆连接。本发明可以解决现有非制冷测量器件制备中存在的缺陷，低的光吸收面积以及低响应率等问题，有效提高了非制冷测量器件的响应度和探测率，从而提高了器件的综合性能。
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公开(公告)号：CN111969037B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202010705457.8
申请日：2020-07-21
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明属于集成电路的技术领域，公开了一种空气隙石墨烯场效应管结构，使用石墨烯材料作为沟道，所述沟道的上下表面均部分或者全部与空气或者真空接触。所述石墨烯材料设置为氧化石墨烯材料通过旋涂在沟道位置后，经过高温还原得到。在石墨烯材料的沟道上下方均设置空气隙，形成悬浮式沟道，从而改善了石墨烯沟道与其它材料接触引起其载流子迁移率大幅度下降的问题，最大程度地保留石墨烯中载流子的高迁移率，降低石墨烯表面特性的退化，提高石墨烯器件的电学特性，而通过氧化石墨烯旋涂到沟道位置，再进行高温还原得到石墨烯，形成石墨烯沟道，可以最大程度地提升工艺的可操作性。
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公开(公告)号：CN111430486B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202010258514.2
申请日：2020-04-03
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/08 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种光敏电阻，包括谐振腔、反射层、电极、层状石墨烯以及嵌在层状石墨烯表面的量子点，其中，所述反射层位于所述谐振腔的底部，所述电极位于所述谐振腔的四周，所述层状石墨烯位于所述谐振腔和电极的上表面；当入射光入射至所述光敏电阻时，所述量子点被入射光激发出的电子经过所述层状石墨烯传输至电极，引起所述光敏电阻的阻值变化。本发明提供的一种光敏电阻，以石墨烯为基底，嵌在层状石墨烯表面的量子点作为扩展吸收使用，使得量子点产生的电子快速被基底传输到电极，从而提升光敏电阻性能。
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公开(公告)号：CN111392686B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202010242612.7
申请日：2020-03-31
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于上下分布电极的红外MEMS结构，包括依次设置的衬底、牺牲层和红外微桥桥面，微桥桥面通过分设于牺牲层中的两个导电通孔与衬底相连，微桥桥面包括依次设置的下电极层、敏感层和第一上电极层，微桥桥面被一绝缘沟槽隔离为一第一部分和面积小于第一部分的一第二部分，第二上电极层搭接于第一部分和第二部分上被隔断的第一上电极层的表面上，第二部分通过其上被隔断的第一上电极层和下电极层连接其中一个导电通孔，第一部分仅通过其上被隔断的下电极层连接另一个导电通孔。本发明可减小敏感电阻的阻值，并提升敏感电阻的均匀性，从而改善谐振腔的光学特性。本发明还公开了一种上述红外MEMS结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN111579493B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202010425125.4
申请日：2020-05-19
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于光学探测的声学传感器，包括：相键合的两个芯片，芯片包括设于衬底正面表面上的第一振动膜，第一振动膜含有光波导器件，衬底背面上设有第一空腔，第一空腔的底部抵达第一振动膜的下表面；两个芯片以其衬底的背面表面相键合，在各自的第一振动膜之间形成封闭空腔；其中，利用两个第一振动膜吸收声波产生不同变形量，使光在两个光波导器件中的光学传输距离由此发生不同变化，使得光在两个光波导器件中的传输时间差或传输相位差发生相应变化，以探测两个第一振动膜的变形程度，并感知声学信号的强度，从而提高了传感器的探测灵敏度和响应速度。
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公开(公告)号：CN111029409B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201911050394.0
申请日：2019-10-31
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司
发明人： 康晓旭
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/10 , H01L29/06
摘要： 本发明公开了一种性能可调的晶体管，包括源极、漏极和栅区，所述栅区自下而上包括背电极、栅极介质层、沟道层、铁电材料层和上电极，其中，所述沟道层的左右两侧分别连接至源极和漏极，所述上电极与源极通过隔离介质层隔离，所述上电极与漏极通过隔离介质层隔离；所述上电极中包括M个隔离层，所述隔离层将所述上电极划分为M+1个区域；通过在上电极不同区域施加不同电压，使得对应于铁电材料层不同区域的沟道层具有不同带隙。本发明提供的一种性能可调的晶体管，通过分段极化控制，对沟道层中不同区域分别进行带隙调整，使得不同区域的沟道层具有不同带隙，从而实现整个晶体管的多重可控状态。
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公开(公告)号：CN115159447A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210757135.7
申请日：2022-06-30
发明人： 康晓旭
摘要： 本发明提供了一种探测器的制备方法，该方法能够改善微桥单元结构的均匀性问题。该方法包括提供硅衬底，硅衬底上形成有读出电路；在硅衬底的表面形成金属反射层和介质层；在金属反射层和介质层表面依次沉积第一牺牲层、第二牺牲层、第一释放保护层和敏感材料探测层、金属电极层，以及图形化金属电极层；沉积形成包覆敏感材料探测层和金属电极层的第二释放保护层；图形化第二释放保护层后进行刻蚀形成接触孔，以及在接触孔内沉积金属，形成支撑结构；沉积第三释放保护层，并图形化形成微桥单元结构；在微桥单元结构表面沉积第三牺牲层；进行光刻刻蚀，形成梁结构；工艺释放去除第一牺牲层、第二牺牲层和第三牺牲层，形成悬空的微桥单元结构。
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