公开(公告)号：CN103854991B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201310634807.6

申请日：2013-12-02

Applicant: 不二越机械工业株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 中村由夫 ,  市川大造 ,  住泽春男 ,  原史朗 ,  耸嘛玩 ,  池田伸一

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/02008

Abstract: 提供一种制造半导体晶圆的方法，该方法有利于定向平面线的形成，并允许没有问题地进行倒角作业。根据本发明的制造半导体晶圆的方法是一种从大直径半导体晶圆中切出多个小直径晶圆的制造半导体晶圆的方法，该方法包括：标记步骤，以使得直槽状定向平面线穿过大直径半导体晶圆的每一行中的各个小直径晶圆的方式通过激光束集体地为每一行形成直槽状定向平面线，其中，小直径晶圆的切出位置在特定方向上成行地对齐；和切割步骤，在标记步骤之后通过激光束从大直径半导体晶圆中个别地切出小直径晶圆。

公开(公告)号：CN103854991A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310634807.6

申请日：2013-12-02

Applicant: 不二越机械工业株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 中村由夫 ,  市川大造 ,  住泽春男 ,  原史朗 ,  耸嘛玩 ,  池田伸一

IPC: H01L21/304 ,  B28D5/00 ,  C30B33/00 ,  B23K26/40

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/02008

Abstract: 提供一种制造半导体晶圆的方法，该方法有利于定向平面线的形成，并允许没有问题地进行倒角作业。根据本发明的制造半导体晶圆的方法是一种从大直径半导体晶圆中切出多个小直径晶圆的制造半导体晶圆的方法，该方法包括：标记步骤，以使得直槽状定向平面线穿过大直径半导体晶圆的每一行中的各个小直径晶圆的方式通过激光束集体地为每一行形成直槽状定向平面线，其中，小直径晶圆的切出位置在特定方向上成行地对齐；和切割步骤，在标记步骤之后通过激光束从大直径半导体晶圆中个别地切出小直径晶圆。