公开(公告)号：CN118198099A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202211591345.X

申请日：2022-12-12

申请人： 世界先进积体电路股份有限公司

发明人： 邹振东 ,  赖云凯 ,  廖志成 ,  李家豪

IPC分类号： H01L29/06

摘要： 本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，具有第一导电类型；外延层，设置于基底上且具有第一导电类型，其中在外延层的上部具有突出结构；阱，设置于外延层中，且阱具有第二导电类型；绝缘结构，设置于突出结构的侧壁上；上电极层，围绕突出结构，且上电极层电连接至外延层及阱；以及下电极层，设置于基底下且与外延层相对。本申请的半导体结构具有与传统的接面能障肖特基或沟槽式接面能障肖特基二极管相当的击穿电压，同时具有各种电性上的改良。

公开(公告)号：CN117497586A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202210879733.1

申请日：2022-07-25

申请人： 世界先进积体电路股份有限公司

发明人： 邹振东 ,  廖志成 ,  李家豪

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 一种半导体装置，包含第一导电类型的磊晶层设置于基底的表面上，沟槽设置于磊晶层中，栅极结构设置于沟槽内，包含上方导电部和下方导电部，介电分隔部设置于上方导电部和下方导电部之间，介电衬层设置于沟槽内且围绕栅极结构，介电衬层具有开口位于沟槽的底面，下方导电部的一部分填充于开口中，且下方导电部与磊晶层的一部分构成肖特基势垒二极管，第二导电类型的掺杂区设置于磊晶层中，且位于沟槽的底面下和下方导电部的一侧，其中磊晶层的上述部分和掺杂区的一部分均与下方导电部接触。

公开(公告)号：CN118899332A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202310493552.X

申请日：2023-05-05

申请人： 世界先进积体电路股份有限公司

发明人： 邹振东 ,  李家豪

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L27/06

摘要： 本发明提供一种半导体结构及半导体装置，包括：衬底；外延层，设置于衬底上；多个场板结构，包括分别设置于半导体结构的第一单元及第二单元中的第一场板结构及第二场板结构；多个遮蔽层，设置于场板结构的多个底部与外延层之间；上电极层，覆盖场板结构，其中上电极层在第一单元中与外延层分隔且在第二单元中直接接触外延层；以及下电极层，设置于衬底下且与外延层相对。

公开(公告)号：CN118016711A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202211393376.4

申请日：2022-11-08

申请人： 世界先进积体电路股份有限公司

发明人： 邹振东 ,  廖志成 ,  宋建宪 ,  李家豪 ,  陈姿宣

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

摘要： 本申请提供一种半导体装置及其形成方法，该半导体装置包括具有第一导电类型的一衬底；形成于前述衬底上的一外延层，且前述外延层具有第一导电类型；自前述外延层的顶表面延伸至前述外延层中的一沟槽结构，前述沟槽结构包括一导电部以及包覆前述导电部的侧壁和底部的一绝缘层；自前述外延层的顶表面延伸至前述外延层中的一阱，前述阱具有一第二导电类型，且前述阱的第一侧壁接触前述沟槽结构，其中在前述阱的一侧和下方为一飘移区，前述飘移区具有第一导电类型且与阱的第二侧壁和底表面接触。半导体装置更包括形成于前述外延层的顶表面上并对应阱的一栅极结构。