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公开(公告)号：CN101095224A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200580045366.X
申请日：2005-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L21/318 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L29/513 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28273 , H01L21/3143 , H01L29/7881
Abstract: 本发明涉及一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其对非易失性存储元件中的隧道氧化膜实施氮化处理时，用含有氮气的处理气体实施等离子体处理，由此在隧道氧化膜表面部分形成氮化区域。
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公开(公告)号：CN101834133A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010163894.8
申请日：2005-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , H01L21/00 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/513 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28273 , H01L21/3143 , H01L29/7881
Abstract: 本发明涉及一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其对非易失性存储元件中的隧道氧化膜实施氮化处理时，用含有氮气的处理气体实施等离子体处理，由此在隧道氧化膜表面部分形成氮化区域。
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公开(公告)号：CN101095224B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200580045366.X
申请日：2005-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L21/318 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L29/513 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28273 , H01L21/3143 , H01L29/7881
Abstract: 本发明涉及一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其对非易失性存储元件中的隧道氧化膜实施氮化处理时，用含有氮气的处理气体实施等离子体处理，由此在隧道氧化膜表面部分形成氮化区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100561685C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200680001118.X
申请日：2006-01-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H05H1/46 , H01L27/14
CPC classification number: C23C8/36 , H01J37/32192 , H01J37/32935 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/31662
Abstract: 从微波发生装置(39)经由匹配电路(38)将脉冲状的微波导入波导管(37)，经由内导体(41)供给到平面天线部件(31)，从平面天线部件(31)经由微波透过板(28)放射到腔室(1)中的晶片(W)的上方空间。利用从平面天线部件(31)经由微波透过板(28)放射到腔室(1)的脉冲状的微波在腔室(1)内形成电磁场，使Ar气体、H2气体、O2气体等离子体化而对晶片(W)进行氧化膜的形成。
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公开(公告)号：CN101834133B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201010163894.8
申请日：2005-12-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , H01L21/00 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/513 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28273 , H01L21/3143 , H01L29/7881
Abstract: 本发明涉及一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其对非易失性存储元件中的隧道氧化膜实施氮化处理时，用含有氮气的处理气体实施等离子体处理，由此在隧道氧化膜表面部分形成氮化区域。
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公开(公告)号：CN101156233B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200680010986.4
申请日：2006-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/31 , H01L21/76
CPC classification number: C23C16/402 , C23C16/045 , C23C16/509 , H01J37/32935 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/31662 , H01L21/76235
Abstract: 本发明公开了一种氧化硅膜的形成方法，其特征在于：在等离子体处理装置的处理室内，使用含有1％以上的氧的处理气体，在133.3Pa以下的处理压力下形成等离子体，由所述等离子体，使在形成于被处理体的硅层上的凹部中露出的硅表面氧化，形成氧化硅膜。
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公开(公告)号：CN101156233A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200680010986.4
申请日：2006-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/31 , H01L21/76
CPC classification number: C23C16/402 , C23C16/045 , C23C16/509 , H01J37/32935 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/31662 , H01L21/76235
Abstract: 本发明公开了一种氧化硅膜的形成方法，其特征在于：在等离子体处理装置的处理室内，使用含有1％以上的氧的处理气体，在133.3Pa以下的处理压力下形成等离子体，由所述等离子体，使在形成于被处理体的硅层上的凹部中露出的硅表面氧化，形成氧化硅膜。
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公开(公告)号：CN101053071A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200680001118.X
申请日：2006-01-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H05H1/46 , H01L27/14
CPC classification number: C23C8/36 , H01J37/32192 , H01J37/32935 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/31662
Abstract: 从微波发生装置(39)经由匹配电路(38)将脉冲状的微波导入波导管(37)，经由内导体(41)供给到平面天线部件(31)，从平面天线部件(31)经由微波透过板(28)放射到腔室(1)中的晶片(W)的上方空间。利用从平面天线部件(31)经由微波透过板(28)放射到腔室(1)的脉冲状的微波在腔室(1)内形成电磁场，使Ar气体、H2气体、O2气体等离子体化而对晶片(W)进行氧化膜的形成。
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