公开(公告)号：CN101652842B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200880011183.X

申请日：2008-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 壁义郎 ,  小林岳志 ,  盐泽俊彦 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/76232

Abstract: 本发明提供等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置、以及存储介质，在等离子体处理装置的处理室内，在对具有凹凸图案的被处理体实施基于等离子体的氧化处理从而形成氧化硅膜时，在处理气体中的氧的比率是0.5％以上不足10％并且处理压力为1.3～665Pa的条件下，在向载置被处理体的载置台施加高频电力的同时形成等离子体。

公开(公告)号：CN101523575B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200780036197.2

申请日：2007-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盐泽俊彦 ,  壁义郎 ,  小林岳志 ,  足立光 ,  北川淳一 ,  山本伸彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7621

Abstract: 本发明提供等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置和存储介质。该等离子体氧化处理方法包括：在配置在等离子体处理装置的处理容器内的载置台上载置表面具有硅的被处理体的工序；在处理容器内形成含氧的处理气体的等离子体的工序；在形成等离子体时，向载置台供给高频电力，向被处理体施加高频偏压的工序；和利用等离子体，氧化被处理体表面的硅，形成硅氧化膜的工序。

公开(公告)号：CN101523576A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036402.5

申请日：2007-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盐泽俊彦 ,  壁义郎 ,  小林岳志 ,  北川淳一 ,  伊佐和裕

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7621

Abstract: 本发明提供的硅氧化膜的形成方法包括：在等离子体处理装置的处理容器内，配置表面由硅构成且在表面具有凹凸形状的图案的被处理体；在所述处理容器内，按照处理气体中的氧的比例在5～20％范围，并且处理压力在267Pa以上400Pa以下的范围的条件形成等离子体；并且，通过所述等离子体，氧化所述被处理体的表面的硅形成硅氧化膜。

公开(公告)号：CN101523575A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036197.2

申请日：2007-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盐泽俊彦 ,  壁义郎 ,  小林岳志 ,  足立光 ,  北川淳一 ,  山本伸彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7621

Abstract: 本发明提供等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置和存储介质。该等离子体氧化处理方法包括：在配置在等离子体处理装置的处理容器内的载置台上载置表面具有硅的被处理体的工序；在处理容器内形成含氧的处理气体的等离子体的工序；在形成等离子体时，向载置台供给高频电力，向被处理体施加高频偏压的工序；和利用等离子体，氧化被处理体表面的硅，形成硅氧化膜的工序。

公开(公告)号：CN101069274A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200680001335.9

申请日：2006-04-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北川淳一 ,  小林岳志

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/28273

Abstract: 通过利用具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理室内、以产生处理气体的等离子体的氮化处理工序，在多晶硅层(111)的表面上形成氮化区域(112)。接着，在氮化区域(112)上形成CVD氧化膜(113)等，将多晶硅层(111)等图案化为规定形状后，将氮化区域(112)作为氧化阻挡层，通过热氧化，在露出的多晶硅层(111)的侧壁部等上形成热氧化膜(114)。由此，能够利用温度比以往更低的工序抑制鸟嘴的产生。

公开(公告)号：CN101053071A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200680001118.X

申请日：2006-01-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林岳志 ,  古井真悟 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316 ,  H05H1/46 ,  H01L27/14

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662

Abstract: 从微波发生装置(39)经由匹配电路(38)将脉冲状的微波导入波导管(37)，经由内导体(41)供给到平面天线部件(31)，从平面天线部件(31)经由微波透过板(28)放射到腔室(1)中的晶片(W)的上方空间。利用从平面天线部件(31)经由微波透过板(28)放射到腔室(1)的脉冲状的微波在腔室(1)内形成电磁场，使Ar气体、H2气体、O2气体等离子体化而对晶片(W)进行氧化膜的形成。

公开(公告)号：CN1748296A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200480003663.3

申请日：2004-02-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 北川淳一

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02249 ,  C23C8/02 ,  C23C8/28 ,  C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  C30B33/005 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/3144

Abstract: 本发明对于半导体基板的表面通过利用了微波的等离子体，同时进行等离子体氧化处理和氮化处理，还根据需要，在基于所述那种等离子体氧氮化处理而形成绝缘膜之后，再对该绝缘膜进一步进行等离子体氮化处理。由此，可以形成电气性能良好的绝缘膜(硅氧化膜)。

公开(公告)号：CN103258706A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310051211.3

申请日：2013-02-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤野丰 ,  福田良则 ,  北川淳一 ,  山本伸彦

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其为从多个部位向处理容器内导入微波的方式的等离子体处理装置，分别监视通过多个微波生成的多个等离子体的状态。等离子体处理装置（1）具备将微波导入处理容器（2）内的微波导入装置（5）。微波导入装置（5）具有与顶部（11）的多个开口部嵌合的多个微波透过板（73）。发光传感器（92）分别设于微波导入装置（5）的各天线模块（61）。发光传感器（92）经由微波透过板（73）检测在微波透过板（73）的正下方的处理容器（2）内生成的等离子体的特定波长的发光。检测对象的波长基于通过从彼此相邻的两个微波透过板（73）分别导入的微波生成的两个等离子体的发光强度之比而被选择。

公开(公告)号：CN101523576B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200780036402.5

申请日：2007-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盐泽俊彦 ,  壁义郎 ,  小林岳志 ,  北川淳一 ,  伊佐和裕

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7621

Abstract: 本发明提供的硅氧化膜的形成方法包括：在等离子体处理装置的处理容器内，配置表面由硅构成且在表面具有凹凸形状的图案的被处理体；在所述处理容器内，按照处理气体中的氧的比例在5～20％范围，并且处理压力在267Pa以上400Pa以下的范围的条件形成等离子体；并且，通过所述等离子体，氧化所述被处理体的表面的硅形成硅氧化膜。

公开(公告)号：CN101809724B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200880109203.7

申请日：2008-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山下润 ,  壁义郎 ,  北川淳一

IPC: H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32495

Abstract: 本发明提供一种对被处理基板进行等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括：形成进行等离子体处理的处理空间(1)的金属制处理容器(2)；设置在处理空间(1)内，载置被处理基板(W)的基板载置台(3)；从处理空间(1)遮蔽金属制处理容器(2)的侧壁，下端延伸到基板载置台(3)的被处理基板载置面的下方的石英制部件(4a)；设置在石英制部件(4a)的底面与金属制处理容器(2)的底壁(2b)之间，从处理空间(1)遮蔽金属制处理容器2的底壁(2b)的环状石英制部件(6)；和从基板载置台(3)的外周附近向处理空间(1)导入处理气体的处理气体导入部。