公开(公告)号：CN102714158A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180007026.3

申请日：2011-03-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 壁义郎 ,  大田尾修一郎 ,  佐藤吉宏

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/32105

Abstract: 一边通过排气装置（24）对处理容器（1）内进行减压排气，一边从气体供给装置（18）的非活性气体供给源（19a）和含臭氧气体供给源（19b），通过气体导入部（15）将非活性气体和相对于O2和O3的合计的体积、O3的体积比率为50%以上的含臭氧气体以规定的流量导入处理容器（1）内。将在微波产生装置（39）产生的规定频率例如2.45GHz的微波，从平面天线（31）经过透过板（28）放射到处理容器（1），对非活性气体和含臭氧气体进行等离子体化。通过该微波激励等离子体在晶片（W）表面形成硅氧化膜。在等离子体氧化处理期间，也可以从高频电源（44）向载置台（2）供给规定频率和功率的高频电力。

公开(公告)号：CN101981690A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980111171.9

申请日：2009-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 远藤哲郎 ,  鸿野真之 ,  大田尾修一郎 ,  本多稔 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/318 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种MOS型半导体存储装置的制造方法和等离子体CVD装置。为了制造具有相邻的绝缘膜的带隙大小不同的绝缘膜层叠体的MOS型半导体存储装置，使用通过具有多个孔的平面天线(31)向腔室(1)导入微波的等离子体处理装置(100)，至少以与形成邻接的绝缘膜时的压力条件不同的压力条件进行等离子体CVD，改变构成绝缘膜层叠体的相邻的绝缘膜的带隙大小来依次进行成膜。