公开(公告)号：CN112652514A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011059075.9

申请日：2020-09-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤正律 ,  佐藤吉宏 ,  窪田真树

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/04 ,  C23C16/458

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置和基板处理方法能够确保随着基板的大型化而同样大型化的、保护基板的边缘部的保护框的刚性，并且能够实现面内均匀的成膜。一种在处理容器内对基板进行处理的基板处理装置，其中，该基板处理装置具有：保护框，其具有环状的主体部和向所述主体部的内侧伸出的环状的遮檐部；基板载置台，其具有载置基板的载置面和在所述载置面的周围自所述载置面凹下的环状的台阶部，所述主体部能够收纳于所述台阶部；以及升降机构，其支承所述主体部并使所述保护框相对于所述基板载置台升降，在所述主体部收纳于所述台阶部时，所述遮檐部的顶端定位在载置于所述载置面的所述基板的边缘部的上方。

公开(公告)号：CN101937844A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010263420.0

申请日：2005-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  中山友绘 ,  小林浩 ,  大崎良规 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/28 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。

公开(公告)号：CN101454881A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200780019921.0

申请日：2007-05-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本多稔 ,  佐藤吉宏 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供绝缘膜的形成方法和半导体装置的制造方法，该绝缘膜的形成方法包括对硅露出于其表面的被处理基板实施使上述硅氮化的氮化处理，在硅表面上形成氮化硅膜的步骤；在N2O气氛中对形成有氮化硅膜的被处理基板进行热处理，形成氮氧化硅膜的步骤；和对氮氧化硅膜进行氮化处理的步骤。

公开(公告)号：CN113161224A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110041720.2

申请日：2021-01-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 窪田真树 ,  佐藤吉宏 ,  佐藤正律

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/54 ,  C23C16/50 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置，能够降低在同一处理容器内对基片连续地反复进行多层膜的成膜的情况下处理容器内的清洁的频次。成膜方法是在同一处理容器内在基片形成包含不同的膜的多层膜的成膜方法，包括第1工序、第2工序、第3工序、第4工序、第5工序和第6工序。第1工序将基片送入处理容器内。第2工序在基片形成第1膜。第3工序在第2工序后的基片形成第2膜。第4工序将第3工序后的基片从处理容器送出。第5工序在第4工序后用第1气体的等离子体将形成第2膜时沉积在处理容器内的第1沉积物除去。第6工序在反复执行了从第1工序至第5工序为止的工序后，用第2气体的等离子体将形成第1膜时沉积在处理容器内的第2沉积物除去。

公开(公告)号：CN1926670B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200580006865.8

申请日：2005-03-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山征嗣 ,  中西敏雄 ,  尾崎成则 ,  足立光 ,  高槻浩一 ,  佐藤吉宏

IPC: H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/518

Abstract: 在本发明中，在利用由微波产生的等离子体对形成氧化膜后的基板进行氮化处理以形成氧氮化膜时，断续地进行微波的供给。通过断续地供给微波，与电子温度下降相伴的离子冲击降低，氧化膜中的氮化种的扩散速度降低，其结果，氮集中在氧氮化膜的基板侧界面上从而能够抑制其浓度增高。由此，能够提高氧氮化膜的膜质，从而能够降低漏电流、提高动作速度、并提高NBTI耐性。

公开(公告)号：CN101048858B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200580036456.2

申请日：2005-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  中山友绘 ,  小林浩 ,  大崎良规 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。

公开(公告)号：CN101048858A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200580036456.2

申请日：2005-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  中山友绘 ,  小林浩 ,  大崎良规 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。

公开(公告)号：CN118156114A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311561355.3

申请日：2023-11-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 满留和也 ,  佐藤正律 ,  佐藤吉宏

IPC: H01J37/32 ,  B08B9/08

Abstract: 本公开提供一种等离子体处理装置和清洁方法，能够使用远程等离子体对处理容器内进行清洁。在中真空的压力区域对矩形的基板实施基板处理的等离子体处理装置具备：载置台；处理容器；多个排气口；第一等离子体生成部，其生成用于对基板实施基板处理的处理等离子体；远程等离子体产生装置，其具有第二等离子体生成部；多个第一排气流路，其经由多个排气口的各排气口连接于处理容器，且分别具有前级排气装置；第二排气流路，在其一端处与多个第一排气流路分别连接；以及后级排气装置，其连接于第二排气流路的另一端，其中，在多个第一排气流路中的至少两个以上的第一排气流路中具有旁通流路，该旁通流路用于绕过前级排气装置且具有压力控制装置。

公开(公告)号：CN115621158A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210793940.5

申请日：2022-07-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊谷义纪 ,  武部一宏 ,  佐藤吉宏

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/52 ,  C23C16/48 ,  H01L21/687 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种部件的预热处理方法和基板处理装置，能够将配置于载物台的部件适当地进行预热来提高针对基板的处理的均匀性。在部件的预热处理方法中，将能够与基板处理装置的用于载置基板的载物台接触且能够相对于该载物台相对移动的部件进行预热。部件的预热处理方法包括以下工序：将部件定位于与载物台不接触的预热位置，通过来自载物台的辐射热来将部件进行预热；以及使在将部件进行预热的工序中预热后的部件与载物台接触。由此，能够将部件适当地进行预热来提高针对基板的处理的均匀性。

公开(公告)号：CN102714158A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180007026.3

申请日：2011-03-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 壁义郎 ,  大田尾修一郎 ,  佐藤吉宏

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/32105

Abstract: 一边通过排气装置（24）对处理容器（1）内进行减压排气，一边从气体供给装置（18）的非活性气体供给源（19a）和含臭氧气体供给源（19b），通过气体导入部（15）将非活性气体和相对于O2和O3的合计的体积、O3的体积比率为50%以上的含臭氧气体以规定的流量导入处理容器（1）内。将在微波产生装置（39）产生的规定频率例如2.45GHz的微波，从平面天线（31）经过透过板（28）放射到处理容器（1），对非活性气体和含臭氧气体进行等离子体化。通过该微波激励等离子体在晶片（W）表面形成硅氧化膜。在等离子体氧化处理期间，也可以从高频电源（44）向载置台（2）供给规定频率和功率的高频电力。