公开(公告)号：CN104350174A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201380028671.2

申请日：2013-04-30

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 古川真司 ,  五味淳 ,  宫下哲也 ,  北田亨 ,  中村贯人

IPC分类号： C23C14/58 ,  C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/12

CPC分类号： C23C14/5853 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/352 ,  C23C14/564 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3447 ,  H01J2237/3322 ,  H01L43/12

摘要： 本发明提供一种在基板上形成金属氧化膜时、使基板间金属氧化膜的电阻值稳定的处理装置和处理方法。在能够进行等离子体溅射处理的真空容器(2)内部配置有由用于吸收氧的构件构成的靶(31a)和由金属构成的靶(31b)，将基板(S)搬入真空容器(2)内部。利用盖板(43)遮蔽基板(S)，对靶(31a)进行溅射而在真空容器(2)内部成膜，由该膜吸附真空容器(2)内部的氧。之后，使盖板(43)从基板(S)上方移开，对靶(31b)进行溅射而在基板(S)上形成金属膜。从再次移动到基板(S)上方的盖板(43)供给所需量的氧，将金属膜氧化成金属氧化膜。之后，对靶(31a)进行溅射而吸附真空容器(2)内部的氧，之后将形成有金属氧化膜的基板(S)从真空容器(2)内部搬出。

公开(公告)号：CN102349138A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201080011219.1

申请日：2010-02-25

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 加藤多佳良 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  五味淳 ,  安室千晃 ,  横山敦

IPC分类号： H01L21/3205 ,  C23C16/18 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/53238 ,  C23C16/16 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 通过使用含有有机金属化合物的成膜原料并通过CVD在基板上形成Ru膜的工序和对形成有上述Ru膜的基板进行在含氢气氛中的退火的工序，形成CVD-Ru膜。

公开(公告)号：CN101646803B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200880009952.2

申请日：2008-03-26

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 原正道 ,  五味淳 ,  横山敦 ,  田中利昌 ,  前川伸次 ,  多贺敏

IPC分类号： C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC分类号： C23C16/4481 ,  C23C16/52

摘要： 本发明提供一种气体供给方法，其用于将原料气体供给至消耗区域，该原料气体通过对原料容器内的固体原料进行加热并使其气化而得到，该气体供给方法的特征在于，包括：工序(a)，使载气在与消耗区域连通的处理气体供给路内流通，同时测定该处理气体供给路内的气体压力；工序(b)，对上述原料容器内的固体原料进行加热，产生原料气体；工序(c)，将与上述工序(a)相同流量的载气供给至上述原料容器内，使上述原料气体与该载气一起在上述处理气体供给路内流通，同时测定该处理气体供给路内的气体压力；和工序(d)，根据在上述工序(a)中取得的压力测定值、在上述工序(c)中取得的压力测定值和载气流量，计算上述原料气体的流量。

公开(公告)号：CN102112649A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980129915.X

申请日：2009-08-04

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 五味淳 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  原正道 ,  山本薰 ,  多贺敏

IPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/683

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/45597 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/68785

摘要： 本发明提供一种载置台构造。为了使用产生具有可逆性的热分解反应的原料气体在处理容器内在被处理体上形成薄膜，该载置台构造设置在上述处理容器内来载置上述被处理体，其特征在于，包括：载置台，其用于在作为其上表面的载置面载置上述被处理体；分解抑制气体供给部件，其设置在上述载置台内，用于朝向载置于上述载置台的载置面的上述被处理体的周边部供给用于抑制上述原料气体的热分解的分解抑制气体。

公开(公告)号：CN101802257A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106580.5

申请日：2008-09-03

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 原正道 ,  五味淳 ,  前川伸次 ,  多贺敏

IPC分类号： C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23C16/4586 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68742

摘要： 本发明涉及一种载置有被处理基板的基板载置机构，具备：加热板(21)，其具有被处理基板载置面(21a)，埋设有将被处理基板(W)加热至膜堆积的成膜温度的加热体，并具备具有宽径部(94b)和窄径部(94a)的第一升降销插通孔(81a)；调温套，其被形成为至少覆盖被处理基板载置面(21a)以外的表面的，温度为不足成膜温度的非成膜温度，具备具有宽径部(92b)和窄径部(92a)的第二升降销插通孔(81c)；具备能够插通宽径部(94b)的盖部(93b)和能够插通宽径部(94b)和窄径部(94a)双方的轴部(93a)的第一升降销(24b-1)；具备能够插通宽径部(92b)的盖部(91b)和能够插通宽径部(92b)和窄径部(92a)双方的轴部(91a)的第二升降销(24b-2)。

公开(公告)号：CN112011768A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010429448.0

申请日：2020-05-20

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 今北健一 ,  小岛康彦 ,  五味淳 ,  横原宏行 ,  曾根浩

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58

摘要： 本发明提供成膜装置。该成膜装置包括处理容器、在处理容器内保持基片的基片保持部和配置于基片保持部的上方的靶单元。靶单元包括：靶，其具有主体部和其周围的呈环状的凸缘部，能够释放溅射颗粒；具有靶电极且保持靶的靶保持部；将靶的凸缘部夹持在靶保持部的靶夹具；以及防附着遮挡件，其在靶的主体部的周围以覆盖凸缘部、靶夹具和靶保持部的方式设置，以其内侧前端进入靶的主体部与靶夹具之间的凹部的方式配置而形成迷宫结构。本发明能够在同一处理容器内进行金属膜的沉积和沉积的金属氧化膜的氧化处理时，抑制金属靶的氧化。

公开(公告)号：CN104364417A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201380029020.5

申请日：2013-03-28

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 北田亨 ,  中村贯人 ,  五味淳 ,  宫下哲也

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/35

CPC分类号： H01J37/3455 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3447 ,  H01J37/3452 ,  H01J2237/332 ,  C23C14/3407

摘要： 本发明提供一种在使用由磁性材料构成的靶进行磁控溅射时能够提高装置的生产率的技术。在本发明中，构成的装置包括：由磁性材料构成的作为靶的圆筒体，其在基板的上方以该圆筒体的中心轴线从所述基板的中心轴线向沿着所述基板的面的方向偏移的方式配置；旋转机构，其用于使该圆筒体绕该圆筒体的轴线旋转；磁体排列体，其设在所述圆筒体的空洞部内；电源部，其用于对所述圆筒体施加电压。并且，在所述磁体排列体的与所述圆筒体的轴线正交的截面形状中，与该截面形状的在圆筒体的周向上的两端部相比，该截面形状的在圆筒体的周向上的中央部向该圆筒体的周面侧突出。由此，即使使用厚度比较厚的靶，也能够抑制自靶泄漏的磁场的强度降低，并且能够抑制侵蚀局部进行。

公开(公告)号：CN103031529A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210376114.7

申请日：2012-09-29

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 水野茂 ,  户岛宏至 ,  五味淳 ,  宫下哲也 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC分类号： C23C14/35

CPC分类号： C23C14/35 ,  H01J37/32688 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3455

摘要： 本发明提供一种磁控溅射装置，其确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。以与载置于真空容器（2）内的晶片（10）相对的方式配置靶（31），并在该靶（31）的背面侧设置磁体排列体（5）。该磁体排列体（5）具有：内侧磁体组（54），其矩阵状地排列有磁体（61、62）；和返回用的磁体（53），其设置于该内侧磁体组（54）的周围，阻止电子的飞出。由此，在靶（31）的正下方，基于会切磁场引起的电子的漂移产生高密度的等离子体，另外，腐蚀的面内均匀性提高。因此，能够使靶（31）和晶片（10）接近进行溅射，能够确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。

公开(公告)号：CN101978477B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200980110270.5

申请日：2009-01-23

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 原正道 ,  水泽宁 ,  多贺敏 ,  五味淳 ,  波多野达夫

IPC分类号： H01L21/285 ,  C23C16/16

CPC分类号： C23C16/45559 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28562

摘要： 一种成膜方法，其特征在于，使包含含羰基金属原料气体和含一氧化碳运载气体的处理气体，避开所述被处理基板表面而在比被处理基板的外周更靠直径方向上外侧的区域流动，从所述处理气体流使所述羰基金属向所述被处理基板表面扩散，在所述被处理基板表面进行金属膜的成膜。

公开(公告)号：CN102918633A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180027424.1

申请日：2011-09-26

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 石坂忠大 ,  佐久间隆 ,  波多野达夫 ,  横山敦 ,  五味淳 ,  安室千晃 ,  福岛利彦 ,  户岛宏至 ,  川又诚也 ,  水泽宁 ,  加藤多佳良

IPC分类号： H01L21/285 ,  C23C14/14 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/768 ,  C23C14/021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/541 ,  C23C14/542 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882

摘要： 本发明提供一种成膜方法，在处理容器内利用等离子体从金属靶产生金属离子，然后通过偏压引入，由此在形成有凹部的被处理体上沉积金属的薄膜，该成膜方法包括：基膜形成工序，从靶生成金属离子，通过偏压将该金属离子引入到被处理体，在凹部内形成基膜；蚀刻工序，在不产生金属离子的状态下，通过偏压将稀有气体电离，并且将生成的离子引入到被处理体，对基膜进行蚀刻；和成膜回流工序，对靶进行等离子体溅射从而生成金属离子，通过偏置电力将该金属离子引入到被处理体，沉积由金属膜构成的主膜，使该主膜加热回流。