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公开(公告)号：CN116918036A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280018474.1
申请日：2022-02-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 半导体芯片的制造方法包括下述(A)～(E)。(A)，准备按第一半导体基板、器件层、剥离层、第三半导体基板的顺序包括第一半导体基板、器件层、剥离层以及第三半导体基板的层叠基板。(B)，对所述第一半导体基板、所述器件层以及所述剥离层进行切割。(C)，将进行所述切割后的所述层叠基板从与所述第三半导体基板相反的一侧与带进行贴合，并藉由所述带安装于框。(D)，在将所述层叠基板安装于所述框之后，对所述剥离层照射透过所述第三半导体基板的激光光线，来在所述第三半导体基板与所述剥离层之间的界面或者所述剥离层的内部形成改性层。(E)，以形成于所述第三半导体基板与所述剥离层之间的界面或者所述剥离层的内部的改性层为起点，来将所述第三半导体基板与所述剥离层剥离。
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公开(公告)号：CN118786516A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202380024025.2
申请日：2023-02-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/50 , H01L21/677
Abstract: 芯片贴合装置相对于在主表面具有多个第1器件的器件基板贴合具有与所述第1器件电连接的第2器件的芯片。所述芯片贴合装置具备第1载体保持部、基板保持部、拾取部以及安装部。所述第1载体保持部保持在表面具有多个对所述芯片进行静电吸附的吸附部的芯片载体。所述基板保持部保持所述器件基板。所述拾取部将所述芯片从由所述第1载体保持部保持的所述芯片载体分离。所述安装部将由所述拾取部自所述芯片载体分离出的所述芯片安装于由所述基板保持部保持的所述器件基板。
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公开(公告)号：CN115335968A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180023726.5
申请日：2021-01-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B23K26/36 , B23K26/352 , H01L21/02
Abstract: 一种将层叠形成有表面膜的第一基板与第二基板接合而成的重合基板的处理方法，包括：将作为去除对象的所述第一基板从所述第二基板剥离；对通过剥离所述第一基板而露出的、残留于所述第二基板的周缘部的所述表面膜的露出表面照射激光，来至少将所述第二基板的周缘部处的所述表面膜的表层去除或改性。
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公开(公告)号：CN117882173A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202280058622.2
申请日：2022-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , B23K26/53 , H01L21/304
Abstract: 一种用于对第一基板与第二基板接合而成的重叠基板进行处理的方法，在所述第一基板的表面侧形成有包含多个器件的器件层，所述方法包括：向含氧膜照射第一激光束来形成漏光防止层，所述含氧膜形成在所述第一基板的要形成成为剥离的基点的改性层的形成位置与所述器件层之间；在形成所述漏光防止层之后，向所述第一基板的内部照射第二激光束来形成所述改性层；以及以所述改性层为基点将所述第一基板剥离来进行薄化。
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公开(公告)号：CN117795652A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280055962.X
申请日：2022-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/02
Abstract: 一种处理方法，是第一基板与第二基板接合而成的重合基板的处理方法，所述处理方法包括：获取所述重合基板的层信息；向形成于所述第一基板与所述第二基板的界面的激光吸收膜照射脉冲状的激光束，来形成所述第一基板与所述第二基板的接合强度下降了的未接合区域；以及从所述第二基板分离所述第一基板，其中，在形成所述未接合区域时，基于脉冲状地照射的所述激光束的一个聚光点在所述重合基板中的径向位置和获取到的所述层信息中的至少任一方，来变更第一温度与第二温度的温度差，所述第一温度是包含所述一个聚光点的、激光束照射正下方区域中的温度，所述第二温度是形成于所述一个聚光点与继该一个聚光点之后照射所述激光束的另一个聚光点之间的激光束照射周边区域中的温度。
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公开(公告)号：CN114586135A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202080073979.9
申请日：2020-09-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 一种带芯片基板的制造方法，包括：准备层叠基板，该层叠基板包括多个所述芯片、暂时地接合有多个所述芯片的第一基板、以及隔着多个所述芯片与所述第一基板接合的第二基板；以及将与所述第一基板及所述第二基板接合的多个所述芯片从所述第一基板分离，以与第三基板的包括器件层的一面接合。
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公开(公告)号：CN118215992A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202280074613.2
申请日：2022-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/673 , H01L21/02 , H01L21/60 , H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 一种处理系统，对芯片进行处理，该处理系统具有芯片配置装置，所述芯片配置装置对所述芯片进行拾取并将所述芯片排列配置于第一静电承载件的吸附面上，所述芯片配置装置具备：配置用承载件保持部，其保持所述第一静电承载件；以及电力供给部，其对被保持于所述配置用承载件保持部的所述第一静电承载件施加电压。
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公开(公告)号：CN116941013A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280018447.4
申请日：2022-02-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 层叠基板的制造方法包括下述(A)～(D)。(A)，在第一半导体基板的表面形成包含氧化层的接合层。(B)，使所述接合层的所述氧化层与第二半导体基板接触，并藉由所述接合层将所述第一半导体基板与所述第二半导体基板进行接合。(C)，在进行所述接合之后，通过激光光线来在将所述第一半导体基板沿厚度方向进行分割的预定的第一分割预定面形成改性层。(D)，通过以形成于所述第一分割预定面的改性层为起点将所述第一半导体基板进行分割，来使藉由所述接合层而与所述第二半导体基板进行了接合的所述第一半导体基板薄化。
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公开(公告)号：CN115461195A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180029625.9
申请日：2021-04-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 更换装置对在加工装置中使用的加工工具进行更换。所述加工装置包括：保持部，其用于保持处理体；加工机构，其以能够更换的方式安装对在所述保持部保持的所述处理体进行加工的加工工具；以及外罩，其容纳所述保持部和所述加工机构。所述更换装置包括更换机构、移动机构、行进台以及行进机构。所述更换机构向所述加工机构安装所述加工工具，或者从所述加工机构拆除所述加工工具。所述移动机构使所述更换机构经由所述外罩的进入口从所述外罩的外部向内部移动。所述行进台支承所述移动机构。所述行进机构使所述行进台行进。
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