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公开(公告)号：CN103247511B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310047993.3
申请日：2013-02-06
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01L21/465 , C23C14/35 , C23C14/351 , C23C14/352 , H01J37/32091 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J37/32688 , H01J37/345 , H01J37/3452 , H01L21/32136
摘要： 本发明提供一种基板处理装置，其能够防止电荷在栅电极中蓄积，能够可靠地抑制栅氧化膜的绝缘破坏。在被供给高频电力的基座（12）和与该基座（12）相对配置的上部电极（13）之间的处理空间S产生电场E，使用由该电场（E）产生的等离子体对载置于基座（12）的晶片W实施等离子体处理时，通过配置于上部电极（13）的上表面（13a）的多个电磁铁（25）和电磁铁（26）在处理空间S中产生磁场B，使通过电场E产生的等离子体的Ne（电子密度）的分布形态和由磁场B产生的等离子体的（Ne）的分布形态重叠，来调整处理空间S的Ne的分布，使晶片W表面的Vdc（负偏压电位）均匀化。
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公开(公告)号：CN100539000C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510127554.9
申请日：2005-12-05
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/20 , C23C16/50 , C23C14/34 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/46
摘要： 本发明提供一种电容耦合型的等离子体处理装置(100)，包括可设定为具有真空气氛的处理腔室和将处理气体供给腔室(1)内的处理气体供给部(15)。在腔室(1)内、第一电极(2)和第二电极(18)相对地配置。为了在第一和第二电极间的等离子体生成区域(R1)中形成高频电场，配置将高频电力供给至第一或第二电极的高频电源(10)。高频电场使处理气体变成等离子体。被处理基板(W)在第一和第二电极之间，由支撑部件(2)所支撑，使其被处理面与第二电极(18)相对。在等离子体生成区域(R1)周围的周围区域(R2)中，配置接地的导电性作用面AS，以扩展等离子体，进行调制，使得与等离子体实质上直流地结合。
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公开(公告)号：CN1783431A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510127676.8
申请日：2005-12-02
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/20 , C23C16/50 , C23C14/34 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/46
摘要： 本发明提供了一种等离子体处理的面内均匀性高，而且难以产生充电损坏(charge up damage)的电容耦合型的等离子体处理装置。具有：保持在真空气氛中的腔室(1)；在腔室(1)内互相平行地配置的第一和第二电极(2)，(18)；和在第一和第二电极(2)，(18)之间形成高频电场，生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构(10)，在该电容耦合型的等离子体处理装置(100)中，第一电极(2)支撑晶片(W)，并作为施加高频电力的阴极起作用，第二电极(18)作为接地的阳极起作用，第二电极(18)的与第一电极(2)对置的表面由导电体(18c)构成。
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公开(公告)号：CN116724669A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202280010797.6
申请日：2022-01-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H05H1/46
摘要： 本发明所公开的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、高频电源和偏置电源控制部。高频电源产生生成源高频功率以在腔室内生成等离子体。偏置电源对基片支承部的偏置电极周期性地施加具有波形周期的偏置能量。高频电源根据生成源高频功率的反射的程度的变化，来调整多个波形周期中的第m个波形周期内的第n个相位期间中的生成源高频功率的生成源频率。反射的程度的变化通过在第m个波形周期之前的两个以上的周期各自的第n个相位期间中使用彼此不同的生成源频率来确定。
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公开(公告)号：CN109509694A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811073526.7
申请日：2018-09-14
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置，其在进行偏置电功率的大小的切换的等离子体处理中，抑制形成在被处理基片上的倾斜。等离子体处理装置包括：基座，能够被施加在对被处理基片进行等离子体处理期间中能够切换大小的偏置电功率；静电卡盘，其设置在基座上，能够在中央部载置被处理基片，在外周部以包围被处理基片的方式载置聚焦环；和电介质层，其配置在静电卡盘的外周部与基座或聚焦环之间，具有使静电卡盘的外周部的静电电容与静电卡盘的中央部的静电电容之差减少的静电电容。
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公开(公告)号：CN103247511A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310047993.3
申请日：2013-02-06
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01L21/465 , C23C14/35 , C23C14/351 , C23C14/352 , H01J37/32091 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J37/32688 , H01J37/345 , H01J37/3452 , H01L21/32136
摘要： 本发明提供一种基板处理装置，其能够防止电荷在栅电极中蓄积，能够可靠地抑制栅氧化膜的绝缘破坏。在被供给高频电力的基座（12）和与该基座（12）相对配置的上部电极（13）之间的处理空间S产生电场E，使用由该电场（E）产生的等离子体对载置于基座（12）的晶片W实施等离子体处理时，通过配置于上部电极（13）的上表面（13a）的多个电磁铁（25）和电磁铁（26）在处理空间S中产生磁场B，使通过电场E产生的等离子体的Ne（电子密度）的分布形态和由磁场B产生的等离子体的（Ne）的分布形态重叠，来调整处理空间S的Ne的分布，使晶片W表面的Vdc（负偏压电位）均匀化。
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公开(公告)号：CN101609799B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200910008929.8
申请日：2009-02-12
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/32137
摘要： 本发明提供一种等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置以及计算机存储介质，能够抑制高腐蚀性处理气体的使用，并且精度良好地形成规定形状的图案。当以图案形成为规定形状的光致抗蚀剂层(102)作为掩模层，利用处理气体的等离子体，对在被处理基板上形成的多晶硅层(104)进行蚀刻时，使用至少含有CF3I气体的处理气体，以使等离子体中的离子向被处理基板加速的自偏压Vdc为200V以下的方式，向载置被处理基板的下部电极施加高频电力。
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公开(公告)号：CN115863129A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211121933.7
申请日：2022-09-15
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供能够在等离子体处理装置中从反映高频电源的负载的阻抗的匹配状态的信号中除去不需要的成分的等离子体处理装置和处理方法。在本发明的等离子体处理装置中，高频电源能够供给高频电功率以使得生成等离子体。偏置电源能够向基片支承部的电极供给具有偏置频率的电偏置能量，以使得将离子引向基片。高频电源能够对电偏置能量的周期内的多个相位期间各自中的高频电功率的频率进行调节。传感器能够检测反映高频电源的负载的阻抗相对于匹配状态的偏差的电信号。滤波器能够从在多个相位期间各自中由传感器检测出的电信号中除去高频电功率与电偏置能量的互调失真成分。
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公开(公告)号：CN113793794A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111085961.3
申请日：2018-09-14
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置，其在进行偏置电功率的大小的切换的等离子体处理中，抑制形成在被处理基片上的倾斜。等离子体处理装置包括：基座，能够被施加在对被处理基片进行等离子体处理期间中能够切换大小的偏置电功率；静电卡盘，其设置在基座上，能够在中央部载置被处理基片，在外周部以包围被处理基片的方式载置聚焦环；和电介质层，其配置在静电卡盘的外周部与基座或聚焦环之间，具有使静电卡盘的外周部的静电电容与静电卡盘的中央部的静电电容之差减少的静电电容。
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