公开(公告)号：CN107533970B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201680021741.5

申请日：2016-05-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久保卓也 ,  康松润 ,  霜田惠一 ,  大石哲也

IPC: H01L21/3065 ,  B08B7/00 ,  G11B5/84 ,  H01L21/304

Abstract: 提供一种清洁方法，用于清洁对含有金属的膜进行蚀刻的基板处理装置，该清洁方法包括以下工序：第一清洁工序，利用从含有含氢气体的气体生成的等离子体来去除含碳堆积物；第二清洁工序，在所述第一清洁工序之后，利用从非活性气体生成的等离子体来去除含金属的堆积物；以及第三清洁工序，在所述第二清洁工序之后，利用从含有含氟气体和含氧气体的气体生成的等离子体来去除含硅堆积物。

公开(公告)号：CN107533970A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680021741.5

申请日：2016-05-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久保卓也 ,  康松润 ,  霜田惠一 ,  大石哲也

IPC: H01L21/3065 ,  B08B7/00 ,  G11B5/84 ,  H01L21/304

Abstract: 提供一种清洁方法，用于清洁对含有金属的膜进行蚀刻的基板处理装置，该清洁方法包括以下工序：第一清洁工序，利用从含有含氢气体的气体生成的等离子体来去除含碳堆积物；第二清洁工序，在所述第一清洁工序之后，利用从非活性气体生成的等离子体来去除含金属的堆积物；以及第三清洁工序，在所述第二清洁工序之后，利用从含有含氟气体和含氧气体的气体生成的等离子体来去除含硅堆积物。