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公开(公告)号：CN112352304A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201980041384.2
申请日：2019-07-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L43/12
Abstract: 在一个例示的实施方式中，提供一种处理基板的方法。基板具备蚀刻层和掩膜。掩膜设置在蚀刻层的第1表面上。该方法具备第1工序、第2工序以及第3工序。第1工序在掩膜的第2表面形成第1膜。第2工序通过对蚀刻层的第1表面进行蚀刻，将具有蚀刻层的材料的第2膜形成在第1膜上。第3工序通过将第2工序后的基板暴露于处理气体的等离子体,除去第1膜和第2膜。第1膜具有电极材料。处理气体具有氧。
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公开(公告)号：CN100337313C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN03807528.8
申请日：2003-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供了一种可提高处理区域内的处理气体排气效率，和可以可靠抑制等离子体泄漏的等离子体处理装置。磁控管式平行平板等离子体处理装置(30)具有处理室容器(3)；处理室容器(3)包括：在其顶部有多个气体导入孔的上部电极(1)；在其下部有顶部带有载置作为被处理体的半导体晶片(W)的载置面的下部电极(2)；和在下部电极(2)的顶部位置上，将处理室容器(3)内部隔离成处理区域(8)和排气区域(9)的隔离板(50)。隔离板(50)具有应将处理区域(8)内的处理气体排出至排气区域(9)的、连通处理区域(8)和排气区域(9)的多个气体通路孔(5a)；同时由非导电性部(5b)构成。在与气体通路孔(5a)相对的气体通路侧面(20b)上配置导电性部件(5c)。在导电性部件(5c)上，由电源(21)加电压(V)，使气体通路侧面(20b)的电位比处理区域面(20a)的电位高。
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公开(公告)号：CN108231575B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201711068815.3
申请日：2017-11-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供能够抑制磁阻效应元件的磁特性的劣化的蚀刻方法。蚀刻方法包括如下工序：蚀刻包含磁隧道结的第1多层膜的工序；为了在等离子体处理装置的腔室内蚀刻包含钉扎层的第2多层膜而在腔室内生成包含烃气和稀有气体的第1气体的等离子体的工序；以及(iii)为了除去在生成第1气体的等离子体的工序中形成的含碳堆积物而在腔室内生成包含含有碳和氧的气体、氧气和稀有气体且不含氢的第2气体的等离子体的工序。
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公开(公告)号：CN107710391A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680038175.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23F4/00 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC classification number: H01L21/3065 , C23F4/00 , H01L21/32136 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 在包含由金属磁性材料形成的层的多层膜的蚀刻中抑制多层膜的剥离和/或开裂。在一个实施方式中，在将等离子体处理装置的处理容器的内部的压力设定为比较高的压力即第1压力的状态下，对包含由金属磁性材料形成的层的多层膜进行蚀刻。接着，在将处理容器内部的压力设定为比第1压力低的第2压力的状态下，对多层膜进一步进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN115207212A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210269105.1
申请日：2022-03-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法。提供在使用物理溅射现象的加工方法中，抑制溅射的原子向蚀刻侧壁附着的技术。在一个实施方式的蚀刻方法中，通过使用等离子体中的离子的溅射对晶圆进行蚀刻。在晶圆中，将包含难挥发性材料的多层膜的表面上的掩模层的高度(h)除以限定露出表面的露出空间的一部分的邻接的掩模层的两个侧壁在表面形成的间隔(D)得到的纵横比(h/D)满足将侧壁相对于与侧壁交叉且垂直于表面的垂直面的倾斜角度设为θ、将通过溅射产生的离子向垂直面的入射角度的上限值设为的条件：在蚀刻方法中，通过使用由供给到腔室的内部空间中的处理气体生成的等离子体中的离子的溅射对多层膜进行蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107710391B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201680038175.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23F4/00 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
Abstract: 在包含由金属磁性材料形成的层的多层膜的蚀刻中抑制多层膜的剥离和/或开裂。在一个实施方式中，在将等离子体处理装置的处理容器的内部的压力设定为比较高的压力即第1压力的状态下，对包含由金属磁性材料形成的层的多层膜进行蚀刻。接着，在将处理容器内部的压力设定为比第1压力低的第2压力的状态下，对多层膜进一步进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN111201588A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201880065720.2
申请日：2018-10-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法。在一实施方式的蚀刻方法中，对具有磁性隧道结层的多层膜进行蚀刻。在该蚀刻方法中，使用等离子体处理装置。等离子体处理装置的腔室主体提供内部空间。在该蚀刻方法中，在内部空间中容纳被加工物。接着，利用内部空间中所生成的第1气体的等离子体对多层膜进行蚀刻。第1气体包含碳及稀有气体，不包含氢。接着，利用内部空间中所生成的第2气体的等离子体进一步对多层膜进行蚀刻。第2气体包含氧及稀有气体，不包含碳及氢。
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公开(公告)号：CN107533970B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201680021741.5
申请日：2016-05-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , B08B7/00 , G11B5/84 , H01L21/304
Abstract: 提供一种清洁方法，用于清洁对含有金属的膜进行蚀刻的基板处理装置，该清洁方法包括以下工序：第一清洁工序，利用从含有含氢气体的气体生成的等离子体来去除含碳堆积物；第二清洁工序，在所述第一清洁工序之后，利用从非活性气体生成的等离子体来去除含金属的堆积物；以及第三清洁工序，在所述第二清洁工序之后，利用从含有含氟气体和含氧气体的气体生成的等离子体来去除含硅堆积物。
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公开(公告)号：CN108231575A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711068815.3
申请日：2017-11-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L43/12 , H01L21/02252 , H01L21/32136 , H01L43/10 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供能够抑制磁阻效应元件的磁特性的劣化的蚀刻方法。蚀刻方法包括如下工序：蚀刻包含磁隧道结的第1多层膜的工序；为了在等离子体处理装置的腔室内蚀刻包含钉扎层的第2多层膜而在腔室内生成包含烃气和稀有气体的第1气体的等离子体的工序；以及(iii)为了除去在生成第1气体的等离子体的工序中形成的含碳堆积物而在腔室内生成包含含有碳和氧的气体、氧气和稀有气体且不含氢的第2气体的等离子体的工序。
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公开(公告)号：CN107533970A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680021741.5
申请日：2016-05-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , B08B7/00 , G11B5/84 , H01L21/304
Abstract: 提供一种清洁方法，用于清洁对含有金属的膜进行蚀刻的基板处理装置，该清洁方法包括以下工序：第一清洁工序，利用从含有含氢气体的气体生成的等离子体来去除含碳堆积物；第二清洁工序，在所述第一清洁工序之后，利用从非活性气体生成的等离子体来去除含金属的堆积物；以及第三清洁工序，在所述第二清洁工序之后，利用从含有含氟气体和含氧气体的气体生成的等离子体来去除含硅堆积物。
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