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公开(公告)号：CN112530835A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010933375.9
申请日：2020-09-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/203 , H01L43/12 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供成膜系统及其中使用的磁化特性测量装置和成膜方法。成膜系统包括：在基片上形成磁性膜的处理单元；磁化特性测量装置，其测量在处理单元中形成的磁性膜的磁化特性；以及在处理单元与磁化特性测量装置之间输送基片的输送部。磁化特性测量装置包括：磁场施加机构，其具有对基片施加磁场并能够调节施加到上述基片的磁场的永磁体磁路；和检测上述基片的磁化特性的检测器。本发明能够测量所形成磁性膜的磁化特性。
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公开(公告)号：CN112239852B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202010650080.0
申请日：2020-07-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： E·N·阿瓦拉
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供靶结构和成膜装置。靶结构包括：靶；冷却套，其具有供热交换介质流通的流路；和背板，上述靶与上述冷却套的一个面接合，上述冷却套的另一个面与上述背板在周围部接合，在比上述周围部靠内侧处具有不接合的非接合区域。本发明能够抑制靶的接合部剥离。
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公开(公告)号：CN113337797B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202110177569.5
申请日：2021-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种阴极组件和成膜装置。阴极组件具有：能够发射出溅射粒子的靶材；具有与靶材接合的金属制的冷却板的靶材冷却部；和对靶材进行供电的电源，靶材在溅射成膜时形成有相对高温的高温区域，冷却板具有：供冷却介质流通的冷却介质流通空间；以及在厚度方向上界定冷却介质流通空间的第1壁部和第2壁部，在冷却介质流通空间中，由与第1壁部和第2壁部结合在一起的第1分隔板以及仅与第1壁部和第2壁部的任一者结合在一起的第2分隔板形成冷却介质的流路，在冷却介质流通空间的与高温区域对应的部分不存在第1分隔板。根据本发明，能够抑制溅射时被加热的靶材的热膨胀所引起的剥离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113337797A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110177569.5
申请日：2021-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种阴极组件和成膜装置。阴极组件具有：能够发射出溅射粒子的靶材；具有与靶材接合的金属制的冷却板的靶材冷却部；和对靶材进行供电的电源，靶材在溅射成膜时形成有相对高温的高温区域，冷却板具有：供冷却介质流通的冷却介质流通空间；以及在厚度方向上界定冷却介质流通空间的第1壁部和第2壁部，在冷却介质流通空间中，由与第1壁部和第2壁部结合在一起的第1分隔板以及仅与第1壁部和第2壁部的任一者结合在一起的第2分隔板形成冷却介质的流路，在冷却介质流通空间的与高温区域对应的部分不存在第1分隔板。根据本发明，能够抑制溅射时被加热的靶材的热膨胀所引起的剥离。
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公开(公告)号：CN112239852A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010650080.0
申请日：2020-07-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： E·N·阿瓦拉
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供靶结构和成膜装置。靶结构包括：靶；冷却套，其具有供热交换介质流通的流路；和背板，上述靶与上述冷却套的一个面接合，上述冷却套的另一个面与上述背板在周围部接合，在比上述周围部靠内侧处具有不接合的非接合区域。本发明能够抑制靶的接合部剥离。
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公开(公告)号：CN114059030A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110848822.5
申请日：2021-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够提高溅射颗粒的入射角的控制性，且提高膜的均匀性的溅射装置和成膜方法。溅射装置包括：释放溅射颗粒的第一靶材和第二靶材；支承基片的基片支承部；以及隙缝板，其配置在上述靶材与上述基片之间，具有供上述溅射颗粒通过的隙缝部，上述隙缝部具有上述靶材侧的第一隙缝和上述基片侧的第二隙缝，上述第二隙缝具有向该第二隙缝内突出的第一突出部和第二突出部，配置成当从上述第一靶材观察上述隙缝部时，上述第一突出部被遮挡，配置成当从上述第二靶材观察上述隙缝部时，上述第二突出部被遮挡。
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公开(公告)号：CN113981391A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202110805272.9
申请日：2021-07-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供限制靶材颗粒相对于基片入射的角度，控制靶材颗粒的指向性的进行溅射处理的装置和方法。在进行由形成于处理容器内的等离子体，从靶材使靶材颗粒释放而使其附着到载置于载置台的基片的溅射处理的装置中，利用磁体移动机构使设置于靶材的背面侧的磁体移动。在载置台与靶材之间设置彼此相对的2个限制板，根据磁体的移动，利用配置位置调节机构调节配置上述限制板的位置。利用上述限制板，能够限制从靶材释放出的靶材颗粒相对于载置在载置台的基片入射的角度，能够控制靶材颗粒的指向性。
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公开(公告)号：CN113375567A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110224635.X
申请日：2021-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够以in‑situ的方式测量成膜后的非常薄的膜的膜厚的膜厚测量装置、膜厚测量方法、成膜系统和成膜方法。膜厚测量装置是在成膜系统中以in‑situ的方式测量形成在基片上的膜的膜厚的膜厚测量装置。该膜厚测量装置包括：能够载置形成有膜的基片的载置台；测量光射出/检测单元，其具有向载置台上的基片射出膜厚测量用的光的光射出部，和接收光在基片反射后的反射光的受光传感器；使光在基片上的照射点移动的移动机构；测量受光传感器与基片上的照射点之间的距离的测距仪；和调节受光传感器与基片上的照射点之间的距离的距离调节机构。
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