-
公开(公告)号：CN102789951A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210276306.0
申请日：2008-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/318 , H01L21/67 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/3145 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/318 , H01L21/67069 , H01L21/68735 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。
-
公开(公告)号：CN114059030A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110848822.5
申请日：2021-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够提高溅射颗粒的入射角的控制性，且提高膜的均匀性的溅射装置和成膜方法。溅射装置包括：释放溅射颗粒的第一靶材和第二靶材；支承基片的基片支承部；以及隙缝板，其配置在上述靶材与上述基片之间，具有供上述溅射颗粒通过的隙缝部，上述隙缝部具有上述靶材侧的第一隙缝和上述基片侧的第二隙缝，上述第二隙缝具有向该第二隙缝内突出的第一突出部和第二突出部，配置成当从上述第一靶材观察上述隙缝部时，上述第一突出部被遮挡，配置成当从上述第二靶材观察上述隙缝部时，上述第二突出部被遮挡。
-
公开(公告)号：CN113981391A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202110805272.9
申请日：2021-07-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供限制靶材颗粒相对于基片入射的角度，控制靶材颗粒的指向性的进行溅射处理的装置和方法。在进行由形成于处理容器内的等离子体，从靶材使靶材颗粒释放而使其附着到载置于载置台的基片的溅射处理的装置中，利用磁体移动机构使设置于靶材的背面侧的磁体移动。在载置台与靶材之间设置彼此相对的2个限制板，根据磁体的移动，利用配置位置调节机构调节配置上述限制板的位置。利用上述限制板，能够限制从靶材释放出的靶材颗粒相对于载置在载置台的基片入射的角度，能够控制靶材颗粒的指向性。
-
公开(公告)号：CN113088903A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202011614942.0
申请日：2020-12-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/50 , C23C14/54 , H01L21/283
Abstract: 本发明提供成膜装置和成膜方法。该成膜装置包括：靶保持件，其以靶朝向基板且靶沿水平面内的预定的方向延伸的方式在正面保持靶；磁体单元，其具有通过排列磁体而构成的磁体排列体，设于靶保持件的背面侧；一对遮蔽构件，其在被靶保持件保持的靶与基板之间以自靶朝向基板延伸的方式设置；和移动机构，其使磁体单元以在被靶保持件保持的靶的预定的方向上的一端与另一端之间进行往复运动的方式移动，磁体单元以磁体排列体沿着预定的方向并列的方式设有一对，遮蔽构件分别在俯视时设于在磁体单元进行往复运动的期间内一对磁体排列体中的仅一者通过的第1区域与在磁体单元进行往复运动的期间内一对磁体排列体中的两者通过的第2区域之间的边界线上。
-
公开(公告)号：CN110777340A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910659991.7
申请日：2019-07-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种扩大了加工余量而且难以在放电空间发生与反应气体的反应的使用了反应性溅射的成膜装置和成膜方法。其解决手段一种成膜装置，其包括：处理腔室、释放溅射颗粒的溅射机构、屏蔽释放溅射颗粒的放电空间的溅射颗粒屏蔽部件、设置在处理腔室内的反应室、在反应室内支承基片的基片支承部、使基片移动的移动机构、设置于溅射颗粒屏蔽部件的具有小于基片的面积且使溅射颗粒朝向基片而通过的溅射颗粒通过孔、和向反应室内导入反应气体的反应气体导入部，该成膜装置一边使基片移动，一边使通过了溅射颗粒通过孔的溅射颗粒与导入到反应室的反应气体进行反应，在基片上形成反应性溅射膜。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101802986A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880024210.7
申请日：2008-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/3145 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/318 , H01L21/67069 , H01L21/68735 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。
-
公开(公告)号：CN114318254A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111499892.0
申请日：2019-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜系统和成膜方法，能够以倾斜成膜为基础而进行自由度较高的溅射成膜。成膜系统的成膜装置具备：处理腔室；第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部，其分别具有在处理腔室的处理空间沿着互不相同的倾斜方向释放溅射粒子的靶；溅射粒子遮蔽板，其具有供溅射粒子穿过的穿过孔；基板支承部，其支承基板；基板移动机构，其使基板直线地移动；以及控制部。控制部以使基板直线地移动的方式进行控制，同时控制来自第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部的溅射粒子的释放，从第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部释放出来的溅射粒子在穿过孔穿过，并向基板上堆积。
-
公开(公告)号：CN103031529A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210376114.7
申请日：2012-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/32688 , H01J37/3405 , H01J37/3452 , H01J37/3455
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射装置，其确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。以与载置于真空容器（2）内的晶片（10）相对的方式配置靶（31），并在该靶（31）的背面侧设置磁体排列体（5）。该磁体排列体（5）具有：内侧磁体组（54），其矩阵状地排列有磁体（61、62）；和返回用的磁体（53），其设置于该内侧磁体组（54）的周围，阻止电子的飞出。由此，在靶（31）的正下方，基于会切磁场引起的电子的漂移产生高密度的等离子体，另外，腐蚀的面内均匀性提高。因此，能够使靶（31）和晶片（10）接近进行溅射，能够确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。
-
公开(公告)号：CN102918633A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180027424.1
申请日：2011-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C14/14 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/768 , C23C14/021 , C23C14/024 , C23C14/14 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/541 , C23C14/542 , H01J37/34 , H01L21/2855 , H01L21/76865 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L21/76882
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在处理容器内利用等离子体从金属靶产生金属离子，然后通过偏压引入，由此在形成有凹部的被处理体上沉积金属的薄膜，该成膜方法包括：基膜形成工序，从靶生成金属离子，通过偏压将该金属离子引入到被处理体，在凹部内形成基膜；蚀刻工序，在不产生金属离子的状态下，通过偏压将稀有气体电离，并且将生成的离子引入到被处理体，对基膜进行蚀刻；和成膜回流工序，对靶进行等离子体溅射从而生成金属离子，通过偏置电力将该金属离子引入到被处理体，沉积由金属膜构成的主膜，使该主膜加热回流。
-
公开(公告)号：CN111312588B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN201911257764.8
申请日：2019-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/033
Abstract: 本发明涉及以自对准多重图案化对间隔物轮廓进行再成形的方法。本文描述了实施方式用于对间隔物轮廓再成形以改善间隔物均匀性从而改善在与自对准多重图案化处理相关的图案转移期间的蚀刻均匀性。对于公开的实施方式，在用于微电子工件的衬底的材料层上形成芯。然后在芯上方形成间隔物材料层。然后，通过使用一个或更多个定向沉积处理沉积附加间隔物材料对间隔物材料层进行再成形且使用一个或更多个蚀刻处理步骤来形成与芯相邻的对称间隔物。对于一个示例实施方式，使用一个或更多个斜向物理气相沉积处理来沉积附加间隔物材料用于间隔物轮廓再成形。这种间隔物轮廓的再成形使得能够形成对称间隔物，从而改善在随后的图案转移处理期间的蚀刻均匀性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.046 seconds)
