公开(公告)号：CN110313077A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201880012792.0

申请日：2018-02-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 前原大树 ,  渡边直树 ,  石井亨 ,  中村贯人 ,  斋藤诚 ,  D·赫尔利 ,  I·科尔冈

IPC: H01L43/12 ,  C23C14/58 ,  H01L21/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/677 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105

Abstract: 一个实施方式中的基片处理装置(10)和处理系统(100)对具有磁性层的基片(W)进行单片式处理，包括：支承基片的支承部(PP)；加热由支承部支承的基片的加热部(HT)；冷却由支承部支承的基片的冷却部(CR)；用于产生磁场的磁铁部(2)；和收纳支承部、加热部及冷却部的处理容器(1)，磁铁部包括彼此平行地延伸的第一端面(2a1)和第二端面(2b1)，第一端面与第二端面隔开间隔地相对，第一端面对应于磁铁部的第一磁极，第二端面对应于磁铁部的第二磁极，处理容器配置在第一端面与第二端面之间。