公开(公告)号：CN115207212A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210269105.1

申请日：2022-03-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久保卓也 ,  前原大树

IPC: H01L43/12 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及蚀刻方法。提供在使用物理溅射现象的加工方法中，抑制溅射的原子向蚀刻侧壁附着的技术。在一个实施方式的蚀刻方法中，通过使用等离子体中的离子的溅射对晶圆进行蚀刻。在晶圆中，将包含难挥发性材料的多层膜的表面上的掩模层的高度(h)除以限定露出表面的露出空间的一部分的邻接的掩模层的两个侧壁在表面形成的间隔(D)得到的纵横比(h/D)满足将侧壁相对于与侧壁交叉且垂直于表面的垂直面的倾斜角度设为θ、将通过溅射产生的离子向垂直面的入射角度的上限值设为的条件：在蚀刻方法中，通过使用由供给到腔室的内部空间中的处理气体生成的等离子体中的离子的溅射对多层膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN118414451A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202280084012.X

申请日：2022-11-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 深泽笃毅 ,  前原大树

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  H01L21/31

Abstract: 提供了一种通过等离子体在基板上的期望位置进行局部成膜的技术。等离子体成膜装置具备：腔室、在腔室中支撑基板的基板支撑部、向基板支撑部上的区域供给等离子体化的第一气体的第一喷嘴、向腔室内供给与第一气体反应的第二气体的第二喷嘴和使第二喷嘴相对于基板支撑部进行相对移动的移动部，第一气体与第二气体在腔室内反应，在被所述基板支撑部支撑的基板的规定位置形成膜，规定位置构成为基于第二喷嘴相对于基板支撑部的相对位置来确定。

公开(公告)号：CN117751428A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202280050464.6

申请日：2022-07-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 深泽笃毅 ,  前原大树

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  H01L21/318 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31

Abstract: 一种基板处理方法，包括工序a)、工序b)、工序c)、工序d)、工序e)和工序f)。工序a)是提供具有图案且保护对象膜位于图案的底部的基板的工序。工序b)是在位于图案的底部的保护对象膜上层叠催化剂膜的工序。工序c)是通过VLS生长法，在图案内形成从下方支撑催化剂膜且覆盖保护对象膜的保护膜的工序。工序d)是除去由保护膜从下方支撑的催化剂膜的工序。工序e)是在保护对象膜被保护膜覆盖的状态下，对基板的与图案不同的部分实施规定的处理的工序。工序f)是除去图案内的保护膜的工序。

公开(公告)号：CN110313077A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201880012792.0

申请日：2018-02-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 前原大树 ,  渡边直树 ,  石井亨 ,  中村贯人 ,  斋藤诚 ,  D·赫尔利 ,  I·科尔冈

IPC: H01L43/12 ,  C23C14/58 ,  H01L21/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/677 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105

Abstract: 一个实施方式中的基片处理装置(10)和处理系统(100)对具有磁性层的基片(W)进行单片式处理，包括：支承基片的支承部(PP)；加热由支承部支承的基片的加热部(HT)；冷却由支承部支承的基片的冷却部(CR)；用于产生磁场的磁铁部(2)；和收纳支承部、加热部及冷却部的处理容器(1)，磁铁部包括彼此平行地延伸的第一端面(2a1)和第二端面(2b1)，第一端面与第二端面隔开间隔地相对，第一端面对应于磁铁部的第一磁极，第二端面对应于磁铁部的第二磁极，处理容器配置在第一端面与第二端面之间。