公开(公告)号：CN101385396A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200780005507.4

申请日：2007-02-13

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

发明人： 茂山和基 ,  八木靖司 ,  渡边伸吾 ,  河村忠一 ,  吉野公彦 ,  大见忠弘

IPC分类号： H05B33/26 ,  C23C14/06 ,  C23C14/22 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/24

CPC分类号： H05B33/26 ,  H01L51/5221 ,  H05B33/22

摘要： 本发明提供发光元件、发光元件的制造方法和基板处理装置，该发光元件包括：第一电极；与上述第一电极相对的第二电极；和包括形成在上述第一电极与上述第二电极之间的发光层的有机层，其特征在于：上述第二电极包括形成在上述有机层上的保护该有机层的导电性的保护层、和形成在该保护层上的导电性的主电极层。

公开(公告)号：CN101467493A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200780021797.1

申请日：2007-06-13

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

发明人： 八木靖司 ,  渡边伸吾 ,  野沢俊久 ,  河村忠一 ,  吉野公彦 ,  大见忠弘

IPC分类号： H05B33/10 ,  H01L51/50

CPC分类号： H01L51/001 ,  C23C14/12 ,  C23C14/28 ,  H01L51/56

摘要： 公开了一种发光元件的制造装置，其特征在于：具有进行衬底处理的多个处理室，该衬底处理用于在被处理衬底上形成具有包含有机层的多个层的发光元件；多个处理室分别构成为：以被处理衬底的形成发光元件的元件形成面朝向与重力方向相反的方向的方式，进行被处理衬底的衬底处理。

公开(公告)号：CN101385395A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200780005427.9

申请日：2007-02-13

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

发明人： 野泽俊久 ,  茂山和基 ,  大见忠弘 ,  河村忠一 ,  吉野公彦

IPC分类号： H05B33/10 ,  H01L51/50 ,  H05B33/26

CPC分类号： H01L51/0017 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/56

摘要： 本发明提供发光元件、发光元件的制造方法和基板处理装置，该基板处理装置在被处理基板上形成在第一电极和第二电极之间形成有包括发光层的有机层的发光元件，其特征在于，包括：在形成在上述被处理基板上的上述第一电极上形成上述有机层的有机层形成装置；在上述有机层上形成上述第二电极的电极形成装置；和蚀刻上述有机层的蚀刻装置。