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公开(公告)号：CN101385396A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780005507.4
申请日：2007-02-13
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC分类号： H05B33/26 , H01L51/5221 , H05B33/22
摘要： 本发明提供发光元件、发光元件的制造方法和基板处理装置，该发光元件包括：第一电极；与上述第一电极相对的第二电极；和包括形成在上述第一电极与上述第二电极之间的发光层的有机层，其特征在于：上述第二电极包括形成在上述有机层上的保护该有机层的导电性的保护层、和形成在该保护层上的导电性的主电极层。
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公开(公告)号：CN101385395A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780005427.9
申请日：2007-02-13
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC分类号： H01L51/0017 , H01L51/5012 , H01L51/56
摘要： 本发明提供发光元件、发光元件的制造方法和基板处理装置，该基板处理装置在被处理基板上形成在第一电极和第二电极之间形成有包括发光层的有机层的发光元件，其特征在于，包括：在形成在上述被处理基板上的上述第一电极上形成上述有机层的有机层形成装置；在上述有机层上形成上述第二电极的电极形成装置；和蚀刻上述有机层的蚀刻装置。
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公开(公告)号：CN101952974A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200980105047.1
申请日：2009-02-10
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/048 , H01L31/02167 , Y02B10/12 , Y02E10/50
摘要： 公开的是一种太阳能电池，其包含一种形成在基材上的太阳能电池半导体薄膜，一种透明导电膜形成在半导体薄膜上，和覆盖了透明导电膜的上表面的含氮水分扩散防止膜。水分扩散防止膜的最好至少由氮化硅膜或碳氮化硅(SiCN)膜组成。
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公开(公告)号：CN110010437B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201811464877.0
申请日：2018-12-03
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供一种排气装置、处理装置以及排气方法。目的在于减少处理室的压力的偏差。提供一种排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。
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公开(公告)号：CN110010437A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811464877.0
申请日：2018-12-03
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供一种排气装置、处理装置以及排气方法。目的在于减少处理室的压力的偏差。提供一种排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。
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公开(公告)号：CN102760632A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210125069.8
申请日：2012-04-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/3244
摘要： 本发明提供一种等离子处理装置，其具备：处理容器；工作台；电介质部件；导入微波的单元；喷射器；和电场屏蔽部。处理容器在其内部划分形成处理空间。工作台设置在处理容器内。电介质部件面对工作台设置。导入微波的单元经由电介质部件将微波导入处理空间内。喷射器为电介质制，具有一个以上的贯通孔。喷射器例如由松散电介质材料构成。该喷射器配置在电介质部件的内部。喷射器与形成在电介质部件上的贯通孔一起划分形成用于向处理空间供给处理气体的路径。电场屏蔽部覆盖喷射器的周围。
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公开(公告)号：CN101595241A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200880003117.8
申请日：2008-01-25
申请人： 株式会社大阪真空机器制作所 , 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供一种溅射方法及溅射装置，其构成简单，能够实现低温低损伤成膜，并且生产性高。本发明是在真空容器内在被成膜对象物上形成初期层后再在初期层上形成第二层的溅射方法，其特征在于，在所述真空容器内，将一对靶子配置为，其表面之间隔开间隔地相互面对，并且该表面朝向配置于靶子间的侧方的被成膜对象物倾斜，在所述一对靶子的对置面侧产生磁场空间而进行溅射，用该被溅射出的溅射粒子在被成膜对象物上形成初期层，再以比初期层的成膜速度快的成膜速度在被成膜对象物上形成第二层。
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公开(公告)号：CN117769755A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202280052235.8
申请日：2022-07-27
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/50 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/683
摘要： 本发明提供处理方法和等离子体处理装置。对基片进行等离子体处理的处理方法包括：在构成为可减压的处理容器内的基片支承部的载置面上载置温度调节对象体的步骤；在上述基片支承部的上述载置面上形成由液体的层和可变形的固体的层中的至少任一者构成且可变形的、针对上述温度调节对象体的传热层的步骤；和对形成了上述传热层的上述载置面上的基片进行等离子体处理的步骤。
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公开(公告)号：CN117561589A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202280043218.8
申请日：2022-06-20
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 一种耗材，其由石英和陶瓷中的任一材料形成，用于等离子体处理装置，上述耗材具有：由第一纯度的上述材料形成的芯部；和保护部，其设置在上述芯部的周围的、会因上述等离子体处理装置中的等离子体发生损耗的部分，由比上述第一纯度高的第二纯度的上述材料形成。
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公开(公告)号：CN114050100A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111174570.9
申请日：2019-01-28
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种等离子体处理系统和等离子体处理方法，以更简易的方法从排出气体中分离回收稀有气体。等离子体处理系统具备腔室、第一气体供给部、排气部、气体纯化单元、升压泵以及储存部。第一气体供给部向腔室内供给第一稀有气体和工艺气体。腔室用于利用第一稀有气体与工艺气体混合而成的气体的等离子体对半导体晶圆进行处理。气体纯化单元从通过排气部自腔室内排出的气体中分离出第一稀有气体。储存部储存通过气体纯化单元分离出并通过升压泵而升压后的第一稀有气体。另外，储存部将所储存的第一稀有气体供给到第一气体供给部。
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