公开(公告)号：CN111668340A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010496056.6

申请日：2020-06-03

Applicant: 东北电力大学

Inventor： 周静 ,  张鑫童 ,  曹宇 ,  孟丹 ,  唐喆庆 ,  袁浩 ,  王莹毓

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/042

Abstract: 本发明是一种Cd3Cl2O2薄膜及其制备方法和薄膜太阳能电池，其特征是，Cd3Cl2O2薄膜的制备方法采用喷雾热解法，以制备得到的Cd3Cl2O2薄膜作为电子传输层，薄膜太阳能电池有正结构和倒结构两种结构，其优点是：采用喷雾热解方法制备出的Cd3Cl2O2薄膜均匀平整、透光率高、导电率高，制备方法的步骤简单，成本低廉，产率高且性质稳定；将Cd3Cl2O2薄膜作为薄膜太阳能电池的电子传输层可以有效提高太阳能电池的器件性能，降低太阳能电池的生产成本，具有较高的工业化应用价值。

公开(公告)号：CN111668340B

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202010496056.6

申请日：2020-06-03

Applicant: 东北电力大学

Inventor： 周静 ,  张鑫童 ,  曹宇 ,  孟丹 ,  唐喆庆 ,  袁浩 ,  王莹毓

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/042

Abstract: 本发明是一种Cd3Cl2O2薄膜及其制备方法和薄膜太阳能电池，其特征是，Cd3Cl2O2薄膜的制备方法采用喷雾热解法，以制备得到的Cd3Cl2O2薄膜作为电子传输层，薄膜太阳能电池有正结构和倒结构两种结构，其优点是：采用喷雾热解方法制备出的Cd3Cl2O2薄膜均匀平整、透光率高、导电率高，制备方法的步骤简单，成本低廉，产率高且性质稳定；将Cd3Cl2O2薄膜作为薄膜太阳能电池的电子传输层可以有效提高太阳能电池的器件性能，降低太阳能电池的生产成本，具有较高的工业化应用价值。

公开(公告)号：CN111560583B

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202010369584.5

申请日：2020-05-05

Applicant: 东北电力大学

Inventor： 曹宇 ,  周静 ,  张鑫童 ,  孟丹 ,  唐喆庆 ,  蒋家豪 ,  刘超颖

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  C23C16/40 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明是一种诱导(Sb4Se6)n分子链纵向生长的硒化锑光电薄膜制备方法，包括衬底薄膜，其特点是，还包括掺杂剂，在衬底薄膜与掺杂剂制备出掺杂的衬底薄膜之后，使得(Sb4Se6)n分子链能够与衬底薄膜形成共价键，(Sb4Se6)n分子链沿着垂直于衬底薄膜方向的纵向生长，最终诱导出纵向择优的硒化锑光电薄膜。通过对衬底薄膜掺杂能够有效提高制品的电学特性，使得衬底薄膜和硒化锑薄膜的特性同步提高，最终使得硒化锑光电器件的载流子传输性能有效提升，光电性能显著提高。具有方法科学合理，制备流程简单实用，适于产业化生产，成本低，应用价值高等优点。

公开(公告)号：CN111560583A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN202010369584.5

申请日：2020-05-05

Applicant: 东北电力大学

Inventor： 曹宇 ,  周静 ,  张鑫童 ,  孟丹 ,  唐喆庆 ,  蒋家豪 ,  刘超颖

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  C23C16/40 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明是一种诱导(Sb4Se6)n分子链纵向生长的硒化锑光电薄膜制备方法，包括衬底薄膜，其特点是，还包括掺杂剂，在衬底薄膜与掺杂剂制备出掺杂的衬底薄膜之后，使得(Sb4Se6)n分子链能够与衬底薄膜形成共价键，(Sb4Se6)n分子链沿着垂直于衬底薄膜方向的纵向生长，最终诱导出纵向择优的硒化锑光电薄膜。通过对衬底薄膜掺杂能够有效提高制品的电学特性，使得衬底薄膜和硒化锑薄膜的特性同步提高，最终使得硒化锑光电器件的载流子传输性能有效提升，光电性能显著提高。具有方法科学合理，制备流程简单实用，适于产业化生产，成本低，应用价值高等优点。