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公开(公告)号：CN102703873B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210180294.1
申请日：2012-06-02
申请人： 东华大学
摘要： 本发明提供了一种极窄回滞曲线宽度高电阻温度系数VO2薄膜制备方法，其特征在于：该方法分为以下2个步骤，步骤1：利用磁控溅射镀膜仪的金属钒靶对Al2O3基片进行直流溅射，制备金属钒薄膜；步骤2：将金属钒薄膜置于快速退火炉内进行氧化处理，再将氧化后的金属钒薄膜取出并置于空气中自然冷却，获得多晶VO2薄膜。本发明提供的极窄回滞曲线宽度高电阻温度系数VO2薄膜制备方法简单易行、重复性好，通过扫描电子显微镜和四探针测试仪分析表明，所制备的VO2薄膜具有纳米片状结构，其回滞曲线宽度仅有0.4℃左右，几乎重合，且具有很高的TCR。
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公开(公告)号：CN108493286B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201810263814.2
申请日：2018-03-28
申请人： 东华大学
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/18 , H01L31/032
摘要： 本发明提供了一种大面积PbI2薄片的合成及其柔性光电探测器的构建。所述的大面积PbI2薄片的合成方法，其特征在于，包括将氯化铅、碘和硫脲加入到反应釜中，反应釜内装入水至总体积的80％‑90％，进行搅拌、超声后，放入烘箱在120‑150℃下保持8‑12小时，然后自然冷却至室温；将产物过滤并洗涤，干燥后，获得PbI2薄片。本发明溶液合成方法简单，产物尺寸大、产量高，器件构建工艺简单，易于规模生产，重复性好。
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公开(公告)号：CN108493286A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810263814.2
申请日：2018-03-28
申请人： 东华大学
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/18 , H01L31/032
摘要： 本发明提供了一种大面积PbI2薄片的合成及其柔性光电探测器的构建。所述的大面积PbI2薄片的合成方法，其特征在于，包括将氯化铅、碘和硫脲加入到反应釜中，反应釜内装入水至总体积的80％-90％，进行搅拌、超声后，放入烘箱在120-150℃下保持8-12小时，然后自然冷却至室温；将产物过滤并洗涤，干燥后，获得PbI2薄片。本发明溶液合成方法简单，产物尺寸大、产量高，器件构建工艺简单，易于规模生产，重复性好。
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公开(公告)号：CN102703873A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210180294.1
申请日：2012-06-02
申请人： 东华大学
摘要： 本发明提供了一种极窄回滞曲线宽度高电阻温度系数VO2薄膜制备方法，其特征在于：该方法分为以下2个步骤，步骤1：利用磁控溅射镀膜仪的金属钒靶对Al2O3基片进行直流溅射，制备金属钒薄膜；步骤2：将金属钒薄膜置于快速退火炉内进行氧化处理，再将氧化后的金属钒薄膜取出并置于空气中自然冷却，获得多晶VO2薄膜。本发明提供的极窄回滞曲线宽度高电阻温度系数VO2薄膜制备方法简单易行、重复性好，通过扫描电子显微镜和四探针测试仪分析表明，所制备的VO2薄膜具有纳米片状结构，其回滞曲线宽度仅有0.4℃左右，几乎重合，且具有很高的TCR。
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公开(公告)号：CN102540308A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210008052.4
申请日：2012-01-12
申请人： 东华大学
摘要： 本发明提供了一种温度敏感窄带通滤光片，其特征在于：它首次将二氧化钒薄膜作为微腔层构建其中，包括由上至下依次层叠的顶层有序薄膜系、缺陷层薄膜和底层有序薄膜系，其中，缺陷层薄膜为二氧化钒薄膜，顶层有序薄膜系与底层有序薄膜系的层叠结构以缺陷层薄膜为对称轴上下对称分布。本发明膜系可应用于针对某一窄带宽范围，可规避其他波段光线的干扰，并且大大提高了滤光片的使用时效。与传统介质滤光片相比，本发明膜系具有对温度敏感这一特点。经过对两边对称膜系厚度及缺陷层厚度设计，可将对称膜系厚度减薄，从而在工艺上减少了加工时间。
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公开(公告)号：CN102540308B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201210008052.4
申请日：2012-01-12
申请人： 东华大学
摘要： 本发明提供了一种温度敏感窄带通滤光片，其特征在于：它首次将二氧化钒薄膜作为微腔层构建其中，包括由上至下依次层叠的顶层有序薄膜系、缺陷层薄膜和底层有序薄膜系，其中，缺陷层薄膜为二氧化钒薄膜，顶层有序薄膜系与底层有序薄膜系的层叠结构以缺陷层薄膜为对称轴上下对称分布。本发明膜系可应用于针对某一窄带宽范围，可规避其他波段光线的干扰，并且大大提高了滤光片的使用时效。与传统介质滤光片相比，本发明膜系具有对温度敏感这一特点。经过对两边对称膜系厚度及缺陷层厚度设计，可将对称膜系厚度减薄，从而在工艺上减少了加工时间。
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公开(公告)号：CN103066154B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201210592304.2
申请日：2012-12-31
申请人： 东华大学
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种ZnO/CdS/Cu2ZnSnS4 pn结纳米棒阵列的制备方法，包括：（1）将玻璃衬底浸入Zn(CH3COO)2·2H2O的乙醇溶液，得ZnO种子层的基底；（2）将Zn(NO3)2·6H2O的溶液和六次甲基四胺HMTA的溶液，转入放有种子层基底的反应釜中，反应，得ZnO纳米棒阵列；（3）将上述纳米棒阵列浸入到硝酸镉的乙醇溶液，冲洗，再浸入硫化钠的甲醇溶液，得到ZnO/CdS芯/鞘纳米棒阵列；（4）将上述所得物质浸入Cu(CH3COO)2·H2O、ZnCl2、SnCl2·2H2O以及硫脲的无水二甲亚砜溶液，即得。本发明制备工艺简单，常压下采用易于大规模生产的溶液法，重复性好。
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公开(公告)号：CN103073052B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210553296.0
申请日：2012-12-19
申请人： 东华大学
摘要： 本发明涉及一种锗酸锌纵向孪晶纳米线的制备方法，包括：（1）将ZnSe和Ge混合后置于管式炉的刚玉舟上，以p型单晶硅基片为衬底，放入ZnSe和Ge混合物下风方向的刚玉舟中（2）抽真空至反应炉内气压为80~90Pa，然后通入氩气，稳定后，反应炉内气压稳定在200~300Pa；（3）控制反应管中央温度为1200~1250°C，保温，自然冷却至室温，即得。本发明制备工艺简单易行，采用一步法即可完成，重复性较好，可以较为可控地制备出纵向锗酸锌孪晶纳米线；为其它纵向孪晶纳米线的制备提供了一个参考方法；为纵向孪晶纳米线的研究提供了一定的物质基础。
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公开(公告)号：CN103073052A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201210553296.0
申请日：2012-12-19
申请人： 东华大学
摘要： 本发明涉及一种锗酸锌纵向孪晶纳米线的制备方法，包括：（1）将ZnSe和Ge混合后置于管式炉的刚玉舟上，以p型单晶硅基片为衬底，放入ZnSe和Ge混合物下风方向的刚玉舟中（2）抽真空至反应炉内气压为80~90Pa，然后通入氩气，稳定后，反应炉内气压稳定在200~300Pa；（3）控制反应管中央温度为1200~1250°C，保温，自然冷却至室温，即得。本发明制备工艺简单易行，采用一步法即可完成，重复性较好，可以较为可控地制备出纵向锗酸锌孪晶纳米线；为其它纵向孪晶纳米线的制备提供了一个参考方法；为纵向孪晶纳米线的研究提供了一定的物质基础。
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公开(公告)号：CN103066154A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210592304.2
申请日：2012-12-31
申请人： 东华大学
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种ZnO/CdS/Cu2ZnSnS4 pn结纳米棒阵列的制备方法，包括：（1）将玻璃衬底浸入Zn(CH3COO)2·2H2O的乙醇溶液，得ZnO种子层的基底；（2）将Zn(NO3)2·6H2O的溶液和六次甲基四胺HMTA的溶液，转入放有种子层基底的反应釜中，反应，得ZnO纳米棒阵列；（3）将上述纳米棒阵列浸入到硝酸镉的乙醇溶液，冲洗，再浸入硫化钠的甲醇溶液，得到ZnO/CdS芯/鞘纳米棒阵列；（4）将上述所得物质浸入Cu(CH3COO)2·H2O、ZnCl2、SnCl2·2H2O以及硫脲的无水二甲亚砜溶液，即得。本发明制备工艺简单，常压下采用易于大规模生产的溶液法，重复性好。
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