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公开(公告)号：CN103773364A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410020069.0
申请日：2014-01-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及了一种基于锰掺杂铜铟锌硫的双色荧光半导体纳米材料的制备方法，制备方法包括以下步骤：（1）制备CuInS2/ZnS量子点，并将其提纯后溶于正己烷；（2）再将（1）中的CuInS2/ZnS量子点加入十八碳烯（ODE），在氩气环境下，加热至150℃注入Mn(Ac)2（醋酸锰）、油胺的混合溶液，并在此温度下保持1小时，随后升温至240℃，注入Zn(Ac)2、油酸/DDT、ODE的混合溶液，在此温度下反应1小时后降至室温，得到CuInS2、ZnS:Mn/ZnS的量子点纳米材料。该材料能代替黄色荧光粉制备白光LED，锰掺杂的铜铟锌硫量子点是一种无毒、绿色、环保的纳米材料，在可见光范围内有两个荧光峰位，峰位大致在525nm和590nm，两荧光峰的相对强度可通过调节锰的含量来调节。
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公开(公告)号：CN107240615B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201710338137.1
申请日：2017-05-15
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种具有非极性吸收层的紫外探测器，包括：自下而上依次设置的衬底、AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、非极性AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱吸收分离层、非掺杂AlzGa1‑zN倍增层、p型AlGaN层，在p型AlGaN层上设置的p型欧姆电极，在n型AlGaN层上设置的n型欧姆电极，其中0
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公开(公告)号：CN105355736B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201510770220.7
申请日：2015-11-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种具有量子点p区结构的紫外发光二极管(UV‑LED)，自下而上依次包括：衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN量子阱有源区、AlzGa1‑zN电子阻挡层，GaN或低Al组分AlqGa1‑qN量子点p型层和氧化铟锡(ITO)导电层，其中z>y>x>q，在ITO导电层和n区上分别引出p型和n型欧姆电极。由于采用GaN或低Al组分AlqGa1‑qN量子点作为p区材料，易实现Mg掺杂和激活；又因为量子点相较于高维材料具有更大的禁带宽度，可以避免其对紫外出射光的吸收，因此该结构可以从而提高UV‑LED的外量子效率和发光功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107240615A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710338137.1
申请日：2017-05-15
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109
CPC classification number: H01L31/109 , H01L31/035236
Abstract: 本发明公开了一种具有非极性吸收层的紫外探测器，包括：自下而上依次设置的衬底、AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、非极性AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱吸收、分离层、非掺杂AlzGa1‑zN倍增层、p型AlGaN层，在p型AlGaN层上设置的p型欧姆电极，在n型AlGaN层上设置的n型欧姆电极，其中0
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公开(公告)号：CN107195746A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710343018.5
申请日：2017-05-16
Applicant: 东南大学
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/14
Abstract: 本发明公开了一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管，包括：由下而上依次设置的衬底、n型氮化物层、多量子阱层、电子阻挡层、p型氮化物层、p型氮化物欧姆接触层，所述n型氮化物层上设置的n型电极和所述p型氮化物层上设置的p型电极；其中电子阻挡层由由下而上依次设置的p型掺杂氮化物势垒层，非掺杂氮化物势阱层、利用共振隧穿效应增大空穴透过率的非掺杂势垒层联合构成。本发明的有益效果为：可以有效地阻挡电子穿过有源区进入p型区，又可以增大空穴穿过电子阻挡层注入有源区的效率；可利用较简单的生长方式和较少的层结构就能达到很好的电子阻挡效果，同时获得明显高于传统电子阻挡层结构的空穴注入效率。
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公开(公告)号：CN105355736A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510770220.7
申请日：2015-11-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种具有量子点p区结构的紫外发光二极管(UV-LED)，自下而上依次包括：衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1-xN/AlyGa1-yN量子阱有源区、AlzGa1-zN电子阻挡层，GaN或低Al组分AlqGa1-qN量子点p型层和氧化铟锡(ITO)导电层，其中z>y>x>q，在ITO导电层和n区上分别引出p型和n型欧姆电极。由于采用GaN或低Al组分AlqGa1-qN量子点作为p区材料，易实现Mg掺杂和激活；又因为量子点相较于高维材料具有更大的禁带宽度，可以避免其对紫外出射光的吸收，因此该结构可以从而提高UV-LED的外量子效率和发光功率。
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公开(公告)号：CN107195746B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710343018.5
申请日：2017-05-16
Applicant: 东南大学
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明公开了一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管，包括：由下而上依次设置的衬底、n型氮化物层、多量子阱层、电子阻挡层、p型氮化物层、p型氮化物欧姆接触层，所述n型氮化物层上设置的n型电极和所述p型氮化物层上设置的p型电极；其中电子阻挡层由由下而上依次设置的p型掺杂氮化物势垒层，非掺杂氮化物势阱层、利用共振隧穿效应增大空穴透过率的非掺杂势垒层联合构成。本发明的有益效果为：可以有效地阻挡电子穿过有源区进入p型区，又可以增大空穴穿过电子阻挡层注入有源区的效率；可利用较简单的生长方式和较少的层结构就能达到很好的电子阻挡效果，同时获得明显高于传统电子阻挡层结构的空穴注入效率。
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公开(公告)号：CN103773364B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410020069.0
申请日：2014-01-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及了一种基于锰掺杂铜铟锌硫的双色荧光半导体纳米材料的制备方法，制备方法包括以下步骤：（1）制备CuInS2/ZnS量子点，并将其提纯后溶于正己烷；（2）再将（1）中的CuInS2/ZnS量子点加入十八碳烯（ODE），在氩气环境下，加热至150℃注入Mn(Ac)2（醋酸锰）、油胺的混合溶液，并在此温度下保持1小时，随后升温至240℃，注入Zn(Ac)2、油酸/DDT、ODE的混合溶液，在此温度下反应1小时后降至室温，得到CuInS2、ZnS:Mn/ZnS的量子点纳米材料。该材料能代替黄色荧光粉制备白光LED，锰掺杂的铜铟锌硫量子点是一种无毒、绿色、环保的纳米材料，在可见光范围内有两个荧光峰位，峰位大致在525nm和590nm，两荧光峰的相对强度可通过调节锰的含量来调节。
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