公开(公告)号：CN104716189A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201510101354.X

申请日：2015-03-06

Applicant: 东南大学

Inventor： 张雄 ,  曾振华 ,  崔一平 ,  刘凯

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L29/30 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明公开了一种具有界面钝化层的锑化镓基半导体器件及其制备方法。包括从下至上依次设置的第一导电型杂质的锑化稼衬底(101)、第二导电型杂质注入层(102)、源极和漏极(103)、钝化处理过的栅介质(104)和栅极(105)。制备时，通过引入含有氟元素的等离子体对锑化稼半导体器件界面做钝化处理，形成若干个氟钝化界面层。经过氟钝化处理，形成稳定的金属-氟键，栅介质内的体缺陷及栅介质/锑化稼界面陷阱显著降低。反映到锑化稼基半导体器件上来，栅漏电、界面态密度减小，进而大幅度提高器件稳定性及电学性能。

公开(公告)号：CN103367594B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201310321486.4

申请日：2013-07-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 张雄 ,  曾振华 ,  崔一平

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，通过以Mg的均匀掺杂的p型GaN层替代非掺杂的GaN层作为Mg的δ掺杂的p型GaN的最终覆盖层，能够在一定程度上改善p型欧姆接触层质量，提高外量子效率，而且Mg的δ掺杂的P型GaN层和Mg的均匀掺杂的P型GaN层组成的复合型p型GaN欧姆接触层，既可以获得高的空穴浓度从而增加电子空穴的复合发光效率，又可以降低欧姆接触电阻，使得发光二极管的整体电学特性变佳。

公开(公告)号：CN103367594A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310321486.4

申请日：2013-07-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 张雄 ,  曾振华 ,  崔一平

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，通过以Mg的均匀掺杂的p型GaN层替代非掺杂的GaN层作为Mg的δ掺杂的p型GaN的最终覆盖层，能够在一定程度上改善p型欧姆接触层质量，提高外量子效率，而且Mg的δ掺杂的P型GaN层和Mg的均匀掺杂的P型GaN层组成的复合型p型GaN欧姆接触层，既可以获得高的空穴浓度从而增加电子空穴的复合发光效率，又可以降低欧姆接触电阻，使得发光二极管的整体电学特性变佳。