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公开(公告)号：CN117878141A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410087079.X
申请日：2024-01-22
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开了复合阳极纳米空气沟道二极管结构。复合阳极纳米空气沟道二极管结构，包括器件依托的半导体基底、绝缘层、阴极、平面阳极组成的具有二极管特性的纳米器件，在器件工作时将半导体基底和平面阳极共同施加阳极信号，使其实现与平面阳极共同作用形成复合型阳极，克服制作在半导体基底上的纳米空气沟道二极管在工作时基底接地对阴极表面电场的影响，降低复合阳极工作电压，提高复合阳极对阴极的调制能力。
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公开(公告)号：CN113257847B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202110519054.9
申请日：2021-05-12
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿各向异性增强的高分辨率伽马射线成像方法。通过工艺处理的方法调控钙钛矿单晶结构，使其横向的载流子迁移率降低，载流子寿命缩短。在γ射线探测成像过程中，光生载流子在纵向电场作用下，从顶电极向底电极输运，形成探测信号。光生载流子同时会受到边沿场作用，产生横向扩散。但是因为横向扩散的光生载流子迁移率‑寿命积变小，所以参与横向扩散的光生电子和空穴复合概率增大。大量的横向扩散光生电子与空穴在到达收集电极前被复合，因此降低了邻近像素的串扰电荷信号，最终提高了γ射线的成像空间分辨率。
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公开(公告)号：CN114551726A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210156298.X
申请日：2022-02-21
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于高能光子探测的隧穿光电二极管及其制备方法，采用厚度很高的本征钙钛矿晶体作为高能光子吸收体，获得较高的光子吸收和转换效率。利用溶液掺杂外延的方法在本征钙钛矿晶体两端分别生长钙钛矿P型层和N型层，构成钙钛矿PIN结，并利用结区耗尽层势垒抑制暗电流和噪声。在结区外延生长窄带隙量子点，构成能带陷阱。当高能光子入射后，钙钛矿本征吸收体产生的光生载流子注入量子点能级陷阱，并发生隧穿场致发射，获得高增益光电流。与常规的高能光子PIN探测结构相比较，由于引入了隧穿场发射结构，可以获得较高的光电流增益。与高能光子雪崩二极管探测结构向比较，由于不产生随机的雪崩效应，所以散粒噪声比较小。
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公开(公告)号：CN110085497B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201910330280.5
申请日：2019-04-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种基于行波管X光通信器件，属于电真空器件和通信领域，该器件针对空天飞行器在穿越大气层的黑障区过程中，利用行波管信号调制方式调制轰击X光靶的电子注流，从而产生X光信号的调制用于X光通信，以解决黑障区对微波信号的屏蔽作用，为黑障区内的通信提供有效的技术手段，对降低载荷的体积、重量和功耗具有重要的实际应用意义。
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公开(公告)号：CN111261311A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010238923.6
申请日：2020-03-30
Applicant: 东南大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明涉及一种基于钙钛矿晶体的辐射伏特型核电池及制备方法。该核电池结构从上往下依次为：辐射源、阳极电极、p型钙钛矿层、本征钙钛矿层、n型钙钛矿层、阴极。在上述核电池结构中，辐射源发射出高能量粒子，如β粒子、X射线和γ射线等，这些高能量粒子在高厚度的钙钛矿本征层被吸收，通过光电效应产生光生电子/空穴对。P型钙钛矿层、本征钙钛矿层和n型钙钛矿层构成PIN结构，该PIN结构将形成耗尽层。由于耗尽层的内建电场，高能粒子所产生的光生电子/空穴对分离，分别向阴极和阳极漂移，形成开路电压或者短路电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117894848A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410087080.2
申请日：2024-01-22
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了复合栅极纳米空气沟道晶体管结构及驱动方式。复合栅极纳米空气沟道晶体管，包括器件依托的半导体基底、阴极、阳极，以及平面栅极等辅助电极、绝缘层组成的具有晶体管特性的纳米器件，在器件工作时将半导体基底施加栅极信号，使其实现背栅极的作用，与平面栅极共同作用形成复合型栅极，克服制作在半导体基底上的平面栅极纳米空气沟道晶体管在工作时基底接地对阴极表面电场的影响，降低栅极工作电压，提高栅极对阴极的调制能力。
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公开(公告)号：CN117080301A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311048929.7
申请日：2023-08-21
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种降低探测器光谱响应线性相关系数的调控方法。解决在窄带和光谱探测中探测器对不同波长通道的响应信号难以区分的问题。将不同波长入射光从该光谱探测器左电极入射，不同波长的光分别被多层能量带隙半导体吸收层的特定区域吸收，通过对半导体吸收层电子亲和势的调控，使探测器空间电荷密度分布产生差异和电场强度变化，从而导致入射光产生的光生载流子的收集产生差异，最终使得不同偏置电压下探测器光谱响应特性可以调控。光谱响应曲线的相关性系数从0.99低到0.56。本发明为后续的光谱信息重构提供了有效探测信号的保障。
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公开(公告)号：CN111261311B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202010238923.6
申请日：2020-03-30
Applicant: 东南大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明涉及一种基于钙钛矿晶体的辐射伏特型核电池及制备方法。该核电池结构从上往下依次为：辐射源、阳极电极、p型钙钛矿层、本征钙钛矿层、n型钙钛矿层、阴极。在上述核电池结构中，辐射源发射出高能量粒子，如β粒子、X射线和γ射线等，这些高能量粒子在高厚度的钙钛矿本征层被吸收，通过光电效应产生光生电子/空穴对。P型钙钛矿层、本征钙钛矿层和n型钙钛矿层构成PIN结构，该PIN结构将形成耗尽层。由于耗尽层的内建电场，高能粒子所产生的光生电子/空穴对分离，分别向阴极和阳极漂移，形成开路电压或者短路电流。
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公开(公告)号：CN108447754B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201810347540.5
申请日：2018-04-18
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种高电子透过率的冷阴极X射线管栅极结构及制作方法，包括栅极法兰、铜网、金属栅极片、栅极套筒、阴极底座和阴极发射材料；栅极法兰设有法兰中心通孔和法兰凹槽；铜网嵌套在法兰凹槽中，铜网的一侧包覆有纳米级厚度的碳膜；金属栅极片设在铜网的下方，金属栅极片与栅极法兰相连接，套筒内腔中设有阴极底座，阴极底座通过陶瓷垫片与栅极套筒可拆卸连接；阴极底座的高度能够调整，阴极底座的顶部设有阴极发射材料。本发明采用覆盖有碳膜的铜栅网作为栅极，采用碳纳米管为阴极发射材料，改进了因栅网网孔处电场下降带来的发射效率降低的问题，并提升了阴极发射电子在栅极处的透过率，从而增大了阳极电流。
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公开(公告)号：CN100555691C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200710132090.X
申请日：2007-09-11
Applicant: 东南大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 提高半导体发光二极管出光效率的封装结构，金属散热板(1)的上表面设有一个环形槽，在该环形槽中设有一个环形的线路板(2)，在环形的线路板(2)的中间设有一个反射杯或开口透镜(3)，在金属散热板(1)的上表面的中间设有一个发光芯片(5)，电极引线(4)的两端分别接发光芯片(5)和环形的线路板(2)，在反射杯或开口透镜(3)填有透明胶(7)。由于荧光粉不直接涂敷在发光芯片表面，而是涂敷在与发光芯片有一定距离的透镜上，使得荧光粉反射回来的光被再次反射出去，提高出光效率。
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