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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104362213B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201410462571.7
申请日：2014-09-11
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/036 , H01L31/108
Abstract: 本发明公开了一种铝镓氮基日盲紫外探测器及其制备方法，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、Alx1Ga1-x1N缓冲层、n型Alx2Ga1-x2N层、非掺杂i型Alx3Ga1-x3N吸收层、n型Alx4Iny1Ga1-x4-y1N/Alx5Iny2Ga1-x5-y2N超晶格分离层、非掺杂i型Alx6Ga1-x6N倍增层、p型Alx7Ga1-x7N层和p型GaN层，在n型Alx2Ga1-x2N层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极。本发明采用多周期n型Alx4Iny1Ga1-x4-y1N/Alx5Iny2Ga1-x5-y2N超晶格作为分离层将吸收层与倍增层分离的结构，能够有效增加倍增层中的电场，在高电场作用下可以产生均匀的雪崩倍增，有助于提高日盲紫外探测器雪崩倍增因子。
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公开(公告)号：CN104362213A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410462571.7
申请日：2014-09-11
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/036 , H01L31/108
CPC classification number: H01L31/1075 , H01L31/035209 , H01L31/035236 , H01L31/036 , H01L31/108
Abstract: 本发明公开了一种铝镓氮基日盲紫外探测器及其制备方法，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、Alx1Ga1-x1N缓冲层、n型Alx2Ga1-x2N层、非掺杂i型Alx3Ga1-x3N吸收层、n型Alx4Iny1Ga1-x4-y1N/Alx5Iny2Ga1-x5-y2N超晶格分离层、非掺杂i型Alx6Ga1-x6N倍增层、p型Alx7Ga1-x7N层和p型GaN层，在n型Alx2Ga1-x2N层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极。本发明采用多周期n型Alx4Iny1Ga1-x4-y1N/Alx5Iny2Ga1-x5-y2N超晶格作为分离层将吸收层与倍增层分离的结构，能够有效增加倍增层中的电场，在高电场作用下可以产生均匀的雪崩倍增，有助于提高日盲紫外探测器雪崩倍增因子。
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公开(公告)号：CN103311394A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310232613.3
申请日：2013-06-09
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种氮化镓基发光二极管及其外延生长方法。本发明的氮化镓基发光二极管外延结构的特征是具有经过优化的、镁掺杂的p型铝镓氮-氮化镓超晶格组成的电子阻挡层。当p型铝镓氮-氮化镓超晶格的重复周期数为4至12，而总厚度为50至150nm时，外延片的晶体质量得到明显改善，从而有效地提高发光二极管的抗静电（ESD）良率。本发明的特点在于：采用本发明的p型铝镓氮-氮化镓超晶格组成的电子阻挡层所制备的发光二极管的综合性能优异，即不仅能够获得高于97%的ESD良率，而且具有极低的正向工作电压和极高的发光效率。
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公开(公告)号：CN102983240A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210533023.X
申请日：2012-12-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有透明导电层的紫外发光二极管芯片及其制备方法，芯片包括蓝宝石衬底、氮化铝缓冲层、n型铝镓氮层、铝镓氮多量子阱有源层、p型铝镓氮电子阻挡层、p型氮化镓层和氧化锌基透明导电层，以及在氧化锌基透明导电层上的p型金属电极，在n型铝镓氮上的n型金属电极。制备方法采用了金属有机物化学气相沉积和脉冲激光沉积法。本发明具有低电阻率，高紫外光透光率的优点，制备原料丰富，价格低廉，不污染环境。
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公开(公告)号：CN103311394B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310232613.3
申请日：2013-06-09
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种氮化镓基发光二极管及其外延生长方法。本发明的氮化镓基发光二极管外延结构的特征是具有经过优化的、镁掺杂的p型铝镓氮-氮化镓超晶格组成的电子阻挡层。当p型铝镓氮-氮化镓超晶格的重复周期数为4至12，而总厚度为50至150nm时，外延片的晶体质量得到明显改善，从而有效地提高发光二极管的抗静电（ESD）良率。本发明的特点在于：采用本发明的p型铝镓氮-氮化镓超晶格组成的电子阻挡层所制备的发光二极管的综合性能优异，即不仅能够获得高于97%的ESD良率，而且具有极低的正向工作电压和极高的发光效率。
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