公开(公告)号：CN117878141A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410087079.X

申请日：2024-01-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 张晓兵 ,  翟鑫 ,  朱卓娅 ,  肖梅 ,  雷威 ,  孙迎澳 ,  王振鹏

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明公开了复合阳极纳米空气沟道二极管结构。复合阳极纳米空气沟道二极管结构，包括器件依托的半导体基底、绝缘层、阴极、平面阳极组成的具有二极管特性的纳米器件，在器件工作时将半导体基底和平面阳极共同施加阳极信号，使其实现与平面阳极共同作用形成复合型阳极，克服制作在半导体基底上的纳米空气沟道二极管在工作时基底接地对阴极表面电场的影响，降低复合阳极工作电压，提高复合阳极对阴极的调制能力。

公开(公告)号：CN117894848A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202410087080.2

申请日：2024-01-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 张晓兵 ,  翟鑫 ,  朱卓娅 ,  肖梅 ,  雷威 ,  孙迎澳 ,  王振鹏

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了复合栅极纳米空气沟道晶体管结构及驱动方式。复合栅极纳米空气沟道晶体管，包括器件依托的半导体基底、阴极、阳极，以及平面栅极等辅助电极、绝缘层组成的具有晶体管特性的纳米器件，在器件工作时将半导体基底施加栅极信号，使其实现背栅极的作用，与平面栅极共同作用形成复合型栅极，克服制作在半导体基底上的平面栅极纳米空气沟道晶体管在工作时基底接地对阴极表面电场的影响，降低栅极工作电压，提高栅极对阴极的调制能力。