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公开(公告)号：CN1275100C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200410059458.0
申请日：2004-06-28
申请人： 东友FINE-CHEM株式会社
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明提供光致抗蚀剂剥离液组合物，该光致抗蚀剂剥离液组合物在半导体元件和液晶显示元件等的制造工序中，对在湿蚀刻或者干蚀刻工序中发生变质或者固化的光致抗蚀剂，使用浸渍法、喷雾法或者单片方式，在低温、短时间内容易剥离，对设置有暴露于剥离溶液中的金属配线，特别是含铜的多重接合结构的金属膜质和无机材料层的基片的防蚀性优良，在后续的工序中，不需要使用像异丙醇、二甲亚砜那样的有机溶剂，仅用水就可进行冲洗，并且，不添加烷基吡咯烷酮化合物、砜化合物或者亚砜化合物、苯并三唑化合物，其是环境亲和的。
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公开(公告)号：CN1654713A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510009448.0
申请日：2005-02-16
申请人： 三星电子株式会社 , 东友FINE-CHEM.株式会社
IPC分类号： C23G5/036 , H01L21/30 , H01L21/82 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L21/02071 , C11D3/0073 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/2082 , C11D3/30 , C11D3/364 , C11D3/39 , C11D3/3947 , C11D11/0047 , C23G1/106
摘要： 一种用于半导体晶片处理的防腐蚀清洁剂，该清洁剂包括至少由水、表面活性剂和防腐蚀化合物构成的水混合物，其中防腐蚀化合物选自由氨基磷酸酯、聚胺和聚羧酸组成的组中。混合物中的防腐蚀化合物的量优选在从大约0.0001wt％至大约0.1wt％的范围内，而表面活性剂的量优选在从大约0.001wt％至大约1.0wt％的范围内。该水混合物还可以包括用作氧化物蚀刻剂的硫酸和氟化物以及用作金属蚀刻剂的过氧化物。
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公开(公告)号：CN1261827C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200410059459.5
申请日：2004-06-28
申请人： 东友FINE-CHEM株式会社
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明提供光致抗蚀剂剥离液组合物，该光致抗蚀剂剥离液组合物在半导体元件和液晶显示元件等的制造工艺中，对在湿蚀刻或者干蚀刻工序中发生变质或者固化的光致抗蚀剂，使用浸渍法、喷雾法或者单片方式，在低温、短时间内容易剥离，对暴露于剥离液组合物的下部的金属膜质和氧化膜质不会引起损伤，在后续的工序中，不需要使用像异丙醇、二甲亚砜那样的有机溶剂，仅用水就可进行冲洗。
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公开(公告)号：CN1577111A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410059459.5
申请日：2004-06-28
申请人： 东友FINE-CHEM株式会社
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明提供光致抗蚀剂剥离液组合物，该光致抗蚀剂剥离液组合物在半导体元件和液晶显示元件等的制造工艺中，对在湿蚀刻或者干蚀刻工序中发生变质或者固化的光致抗蚀剂，使用浸渍法、喷雾法或者单片方式，在低温、短时间内容易剥离，对暴露于剥离液组合物的下部的金属膜质和氧化膜质不会引起损伤，在后续的工序中，不需要使用像异丙醇、二甲亚砜那样的有机溶剂，仅用水就可进行冲洗。
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公开(公告)号：CN1577110A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410059458.0
申请日：2004-06-28
申请人： 东友FINE-CHEM株式会社
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明提供光致抗蚀剂剥离液组合物，该光致抗蚀剂剥离液组合物在半导体元件和液晶显示元件等的制造工序中，对在湿蚀刻或者干蚀刻工序中发生变质或者固化的光致抗蚀剂，使用浸渍法、喷雾法或者单片方式，在低温、短时间内容易剥离，对设置有暴露于剥离溶液中的金属配线，特别是含铜的多重接合结构的金属膜质和无机材料层的基片的防蚀性优良，在后续的工序中，不需要使用像异丙醇、二甲亚砜那样的有机溶剂，仅用水就可进行冲洗，并且，不添加烷基吡咯烷酮化合物、砜化合物或者亚砜化合物、苯并三唑化合物，其是环境亲和的。
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