-
公开(公告)号：CN1680486B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200510068535.3
申请日：2005-04-01
申请人： 住友化学株式会社 , 东友FINE-CHEM株式会社
CPC分类号： C08K3/34 , Y10T428/10 , Y10T428/1086 , Y10T428/31786 , Y10T428/31855
摘要： 有机树脂组合物及其溶液和成型制品一种低热膨胀系数的有机树脂组合物，包含(a)一种有机树脂和(b)一种含有碱金属和碱土金属的无机硅酸盐，其中无机硅酸盐中碱金属和碱土金属的总量为1000ppm或更低。
-
公开(公告)号：CN102395708A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201080016265.0
申请日：2010-04-02
申请人： 纳幕尔杜邦公司 , 东友FINE-CHEM株式会社
摘要： 本发明提供了蚀刻剂组合物以及使用所述组合物蚀刻基板的方法，所述组合物包含：A)提供约0.025重量％至约0.8重量％活性氧的高浓度过一硫酸氢钾；B)按所述组合物的重量计约0.01％至约30％的B1)有机酸、有机酸的碱金属盐、有机酸的铵盐、或有机酸的均聚物，或B2)四唑或苯的卤盐或硝酸盐，或B3)组分B1)和B2)的混合物；和C)按所述组合物的重量计约0％至约97.49％的水。
-
公开(公告)号：CN100559287C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200510063722.2
申请日：2005-03-30
申请人： 东友FINE-CHEM株式会社
发明人： 高岛正之
IPC分类号： G03F7/42 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/423
摘要： 本发明提供一种剥离剂，该剥离剂能极好地抑制铜线路或低k膜的腐蚀或损坏，并具有极好的灰化后光致抗蚀剂残余物的可除去性。本发明提供了一种光致抗蚀剂剥离剂组合物，其特征在于，该组合物包含至少两种不同无机酸的盐、表面活性剂和金属缓蚀剂，并且具有3～10的pH；本发明还提供了一种制备半导体装置的方法，其特征在于，使用所述的光致抗蚀剂剥离剂来剥离光致抗蚀剂残余物，所述光致抗蚀剂残余物是在制备以铜或主要为铜的铜合金作为线路材料的半导体装置中产生的。
-
公开(公告)号：CN1275100C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200410059458.0
申请日：2004-06-28
申请人： 东友FINE-CHEM株式会社
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明提供光致抗蚀剂剥离液组合物，该光致抗蚀剂剥离液组合物在半导体元件和液晶显示元件等的制造工序中，对在湿蚀刻或者干蚀刻工序中发生变质或者固化的光致抗蚀剂，使用浸渍法、喷雾法或者单片方式，在低温、短时间内容易剥离，对设置有暴露于剥离溶液中的金属配线，特别是含铜的多重接合结构的金属膜质和无机材料层的基片的防蚀性优良，在后续的工序中，不需要使用像异丙醇、二甲亚砜那样的有机溶剂，仅用水就可进行冲洗，并且，不添加烷基吡咯烷酮化合物、砜化合物或者亚砜化合物、苯并三唑化合物，其是环境亲和的。
-
公开(公告)号：CN1680486A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510068535.3
申请日：2005-04-01
申请人： 住友化学株式会社 , 东友FINE-CHEM株式会社
CPC分类号： C08K3/34 , Y10T428/10 , Y10T428/1086 , Y10T428/31786 , Y10T428/31855
摘要： 一种低热膨胀系数的有机树脂组合物，包含(a)一种有机树脂和(b)一种含有碱金属和碱土金属的无机硅酸盐，其中无机硅酸盐中碱金属和碱土金属的总量为1000ppm或更低。
-
公开(公告)号：CN1654713A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510009448.0
申请日：2005-02-16
申请人： 三星电子株式会社 , 东友FINE-CHEM.株式会社
IPC分类号： C23G5/036 , H01L21/30 , H01L21/82 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L21/02071 , C11D3/0073 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/2082 , C11D3/30 , C11D3/364 , C11D3/39 , C11D3/3947 , C11D11/0047 , C23G1/106
摘要： 一种用于半导体晶片处理的防腐蚀清洁剂，该清洁剂包括至少由水、表面活性剂和防腐蚀化合物构成的水混合物，其中防腐蚀化合物选自由氨基磷酸酯、聚胺和聚羧酸组成的组中。混合物中的防腐蚀化合物的量优选在从大约0.0001wt％至大约0.1wt％的范围内，而表面活性剂的量优选在从大约0.001wt％至大约1.0wt％的范围内。该水混合物还可以包括用作氧化物蚀刻剂的硫酸和氟化物以及用作金属蚀刻剂的过氧化物。
-
公开(公告)号：CN1261827C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200410059459.5
申请日：2004-06-28
申请人： 东友FINE-CHEM株式会社
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明提供光致抗蚀剂剥离液组合物，该光致抗蚀剂剥离液组合物在半导体元件和液晶显示元件等的制造工艺中，对在湿蚀刻或者干蚀刻工序中发生变质或者固化的光致抗蚀剂，使用浸渍法、喷雾法或者单片方式，在低温、短时间内容易剥离，对暴露于剥离液组合物的下部的金属膜质和氧化膜质不会引起损伤，在后续的工序中，不需要使用像异丙醇、二甲亚砜那样的有机溶剂，仅用水就可进行冲洗。
-
公开(公告)号：CN1577111A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410059459.5
申请日：2004-06-28
申请人： 东友FINE-CHEM株式会社
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明提供光致抗蚀剂剥离液组合物，该光致抗蚀剂剥离液组合物在半导体元件和液晶显示元件等的制造工艺中，对在湿蚀刻或者干蚀刻工序中发生变质或者固化的光致抗蚀剂，使用浸渍法、喷雾法或者单片方式，在低温、短时间内容易剥离，对暴露于剥离液组合物的下部的金属膜质和氧化膜质不会引起损伤，在后续的工序中，不需要使用像异丙醇、二甲亚砜那样的有机溶剂，仅用水就可进行冲洗。
-
公开(公告)号：CN1577110A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410059458.0
申请日：2004-06-28
申请人： 东友FINE-CHEM株式会社
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明提供光致抗蚀剂剥离液组合物，该光致抗蚀剂剥离液组合物在半导体元件和液晶显示元件等的制造工序中，对在湿蚀刻或者干蚀刻工序中发生变质或者固化的光致抗蚀剂，使用浸渍法、喷雾法或者单片方式，在低温、短时间内容易剥离，对设置有暴露于剥离溶液中的金属配线，特别是含铜的多重接合结构的金属膜质和无机材料层的基片的防蚀性优良，在后续的工序中，不需要使用像异丙醇、二甲亚砜那样的有机溶剂，仅用水就可进行冲洗，并且，不添加烷基吡咯烷酮化合物、砜化合物或者亚砜化合物、苯并三唑化合物，其是环境亲和的。
-
公开(公告)号：CN102395708B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201080016265.0
申请日：2010-04-02
申请人： 纳幕尔杜邦公司 , 东友FINE-CHEM株式会社
摘要： 本发明提供了蚀刻剂组合物以及使用所述组合物蚀刻基板的方法，所述组合物包含：A)提供约0.025重量％至约0.8重量％活性氧的高浓度过一硫酸氢钾；B)按所述组合物的重量计约0.01％至约30％的B1)有机酸、有机酸的碱金属盐、有机酸的铵盐、或有机酸的均聚物，或B2)四唑或苯的卤盐或硝酸盐，或B3)组分B1)和B2)的混合物；和C)按所述组合物的重量计约0％至约97.49％的水。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
16 条记录 (耗时 0.024 秒)
