公开(公告)号：CN112410742A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011188724.5

申请日：2020-10-30

申请人： 东莞市烽元科技有限公司 ,  烟台大学

发明人： 何霞文 ,  李杨 ,  张尚洲 ,  叶倩文 ,  毕永洁 ,  王政伟 ,  赵福帅 ,  赵亚晴 ,  姜晓雪

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/18

摘要： 本发明提供了一种在Al2O3陶瓷基体表面磁控溅射镀纳米级铜膜的方法，该方法通过磁控溅射在Al2O3陶瓷基体上镀纳米级铜膜，使得膜层对基体的保护性更好，实现了良好的导电性和膜基结合力；制备的镀层致密、平整，硬度较高，耐磨性较好，磨损率下降，抗高温氧化性增强，从而改善材料的显微组织，提高材料的综合性能，同时膜层具有良好的电学性能。

公开(公告)号：CN113981383B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202011188809.3

申请日：2020-10-30

申请人： 东莞市烽元科技有限公司 ,  烟台大学

发明人： 何霞文 ,  李杨 ,  张尚洲 ,  叶倩文 ,  毕永洁 ,  王政伟 ,  李永康 ,  邵明昊 ,  郭恒蛟

IPC分类号： C23C14/32 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C23C14/02

摘要： 本发明涉及一种在AlN陶瓷表面多弧离子镀沉积钛膜的方法，该方法通过调节工作气体压强、温度、时间、功率等工艺条件，在AlN上沉积钛膜层。使用本方法制得具有良好的膜基结合力，导电性，和耐磨性的金属膜层，该膜层结构均匀致密，与基材的结合强度高，硬度高，同时膜层具有良好的电学性能可以为AlN表面改性提供重要的参考依据。

公开(公告)号：CN113981383A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202011188809.3

申请日：2020-10-30

申请人： 东莞市烽元科技有限公司 ,  烟台大学

发明人： 何霞文 ,  李杨 ,  张尚洲 ,  叶倩文 ,  毕永洁 ,  王政伟 ,  李永康 ,  邵明昊 ,  郭恒蛟

IPC分类号： C23C14/32 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C23C14/02

摘要： 本发明涉及一种在AlN陶瓷表面多弧离子镀沉积钛膜的方法，该方法通过调节工作气体压强、温度、时间、功率等工艺条件，在AlN上沉积钛膜层。使用本方法制得具有良好的膜基结合力，导电性，和耐磨性的金属膜层，该膜层结构均匀致密，与基材的结合强度高，硬度高，同时膜层具有良好的电学性能可以为AlN表面改性提供重要的参考依据。

公开(公告)号：CN109295425A

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201811137034.X

申请日：2018-09-28

申请人： 深圳市奥美特纳米科技有限公司 ,  烟台大学

发明人： 李杨 ,  何霞文 ,  张尚洲

IPC分类号： C23C14/32 ,  C23C14/16 ,  C23C14/06

摘要： 本发明提出的一种Cr/CrN/CrAlSiN/CrAlTiSiN纳米多层梯度膜及其制备方法，属于氮化膜技术领域。本纳米多层梯度膜是通过多弧离子镀方法，在低合金钢或模具钢基体上，由依次沉积的Cr打底层、CrN过渡层、CrAlSiN过渡层和CrAlTiSiN膜层组成；该纳米多层梯度膜的总厚度为1.5-4.2μm；Cr、Al、Ti、Si元素的总含量范围分别为30at％-34at％、20at％-28at％、10at％-14at％、3at％-5at％；该纳米多层梯度膜的膜基结合力为35-45N，摩擦系数为0.01-0.02，纳米硬度为35-40Gpa。本方法通过改变基体负偏压，各中间层的沉积时间以及靶的转换，得到获得高韧、摩擦系数低以及耐磨性良好的梯度纳米多层膜。

公开(公告)号：CN212180907U

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202020112750.9

申请日：2020-01-17

申请人： 东莞市烽元科技有限公司

发明人： 何霞文

IPC分类号： G01R27/02 ,  G01R1/04

摘要： 本实用新型公开了一种电阻测试治具，包括电阻测试仪本体、驱动装置、上探针板、下探针板、产品固定板和压块。所述驱动装置、上探针板、下探针板、产品固定板和压块均设置在电阻测试仪本体行上，所述驱动装置设置在电阻测试仪本体的竖向支撑面上，所述驱动装置的旁边还设有显示屏；所述驱动装置用于驱动上探针板和下探针板进行夹装。通过一个气缸控制两探针板对测试产品进行定位夹紧，方便了治具对测试产品的装夹和检测，且通产品固定板和压块对测试产品进行辅助装夹，增加了装夹的稳定性，与测试的连接的便利性，进而增加了电阻测试仪的准确性。

公开(公告)号：CN109295425B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201811137034.X

申请日：2018-09-28

申请人： 深圳市奥美特纳米科技有限公司 ,  烟台大学

发明人： 李杨 ,  何霞文 ,  张尚洲

IPC分类号： C23C14/32 ,  C23C14/16 ,  C23C14/06

摘要： 本发明提出的一种Cr/CrN/CrAlSiN/CrAlTiSiN纳米多层梯度膜及其制备方法，属于氮化膜技术领域。本纳米多层梯度膜是通过多弧离子镀方法，在低合金钢或模具钢基体上，由依次沉积的Cr打底层、CrN过渡层、CrAlSiN过渡层和CrAlTiSiN膜层组成；该纳米多层梯度膜的总厚度为1.5‑4.2μm；Cr、Al、Ti、Si元素的总含量范围分别为30at％‑34at％、20at％‑28at％、10at％‑14at％、3at％‑5at％；该纳米多层梯度膜的膜基结合力为35‑45N，摩擦系数为0.01‑0.02，纳米硬度为35‑40Gpa。本方法通过改变基体负偏压，各中间层的沉积时间以及靶的转换，得到获得高韧、摩擦系数低以及耐磨性良好的梯度纳米多层膜。