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公开(公告)号:CN112410742A
公开(公告)日:2021-02-26
申请号:CN202011188724.5
申请日:2020-10-30
申请人: 东莞市烽元科技有限公司 , 烟台大学
摘要: 本发明提供了一种在Al2O3陶瓷基体表面磁控溅射镀纳米级铜膜的方法,该方法通过磁控溅射在Al2O3陶瓷基体上镀纳米级铜膜,使得膜层对基体的保护性更好,实现了良好的导电性和膜基结合力;制备的镀层致密、平整,硬度较高,耐磨性较好,磨损率下降,抗高温氧化性增强,从而改善材料的显微组织,提高材料的综合性能,同时膜层具有良好的电学性能。
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公开(公告)号:CN113981383B
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202011188809.3
申请日:2020-10-30
申请人: 东莞市烽元科技有限公司 , 烟台大学
摘要: 本发明涉及一种在AlN陶瓷表面多弧离子镀沉积钛膜的方法,该方法通过调节工作气体压强、温度、时间、功率等工艺条件,在AlN上沉积钛膜层。使用本方法制得具有良好的膜基结合力,导电性,和耐磨性的金属膜层,该膜层结构均匀致密,与基材的结合强度高,硬度高,同时膜层具有良好的电学性能可以为AlN表面改性提供重要的参考依据。
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公开(公告)号:CN113981383A
公开(公告)日:2022-01-28
申请号:CN202011188809.3
申请日:2020-10-30
申请人: 东莞市烽元科技有限公司 , 烟台大学
摘要: 本发明涉及一种在AlN陶瓷表面多弧离子镀沉积钛膜的方法,该方法通过调节工作气体压强、温度、时间、功率等工艺条件,在AlN上沉积钛膜层。使用本方法制得具有良好的膜基结合力,导电性,和耐磨性的金属膜层,该膜层结构均匀致密,与基材的结合强度高,硬度高,同时膜层具有良好的电学性能可以为AlN表面改性提供重要的参考依据。
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