公开(公告)号：CN101447499B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200810181935.9

申请日：2008-11-28

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 郑圣勋

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L27/14685 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687

摘要： 本发明提供一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器可包括：半导体衬底，包括光接收元件；金属互连层，具有沟槽；引导图案，位于沟槽侧壁上；以及滤色镜，位于沟槽中。由于可在沟槽中形成滤色镜，所以可减少光程的长度，从而改善图像传感器的性能。

公开(公告)号：CN101447499A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810181935.9

申请日：2008-11-28

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 郑圣勋

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L27/14685 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687

摘要： 本发明提供一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器可包括：半导体衬底，包括光接收元件；金属互连层，具有沟槽；引导图案，位于沟槽侧壁上；以及滤色镜，位于沟槽中。由于可在沟槽中形成滤色镜，所以可减少光程的长度，从而改善图像传感器的性能。

公开(公告)号：CN101770938A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910265285.0

申请日：2009-12-30

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 郑圣勋

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L21/7684

摘要： 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，该方法使用均匀地限定孔阵列尺寸(分割a)和阵列间的间隔的长度(分割b)的监测图案，来评估在插塞的化学机械抛光中产生的侵蚀的级别，以阻止在随后工艺中的缺陷，提高后续工艺的稳定性。