一种PANI-Co3O4纳米材料的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN112670099A

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:CN202011274731.7

    申请日:2020-11-16

    申请人: 中北大学

    摘要: 本发明公开了一种PANI‑Co3O4纳米材料的制备及其应用,可以在低温条件下将苯胺原位聚合在Co3O4纳米棒表面,干燥后即得到了本发明所述的PANI‑Co3O4复合纳米材料。PANI‑Co3O4纳米材料在电流密度为1A·g‑1时,最大比电容为3105.46F·g‑1(31.05F·cm‑2)。在10A·g‑1的电流密度下,经过3000次的放电‑充电循环后电容量保持率可达74.81%。由于PANI的高电导率,Co3O4丰富的活性位点以及协同效应使PANI‑Co3O4具有优异的电化学性能和良好的稳定性。且该方法简单、易操作、成本低,在超级电容器电极材料方面有很大的应用前景。

    一种三维宝石结构Co3O4纳米材料的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN112670098A

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:CN202011274782.X

    申请日:2020-11-16

    申请人: 中北大学

    IPC分类号: H01G11/46 H01G11/26 H01G11/86

    摘要: 本发明公开了一种三维宝石状结构Co3O4纳米材料的制备方法,所制备材料用做超级电容器电极材料。本发明以泡沫镍为基底,以Co(NO3)2·6H2O和氨水为原料,在一定温度下水热一定时间即可得到样品。将本发明所制备样品应用到超级电容器的测试中,在1·A g‑1的电流密度下,比电容可以达到1060 F·g‑1。该发明所述纳米材料制备方法简单,原料来源广泛,价格低廉,且制备电极材料结晶度好,比表面积大,具有极佳的超级电容比电容值。

    一种自供能柔性储能器件以及自供能传感器件

    公开(公告)号:CN112713638A

    公开(公告)日:2021-04-27

    申请号:CN202110032511.1

    申请日:2021-01-11

    申请人: 中北大学

    摘要: 本发明涉及用于可穿戴电子设备的自供能柔性储能器件,具体为一种自供能柔性储能器件以及自供能传感器件,解决了背景技术中的问题,其包括能量收集装置、柔性电子线路和柔性超级电容器,还包括绝缘硅胶封装套,通过绝缘硅胶封装套将能量收集装置、柔性电子线路和柔性超级电容器合并封装。本发明提供了一种自供能柔性储能器件以及自供能传感器件,其具有尺寸小、结构多变、安全性高以及舒适度好等优点,而且柔性超级电容器可以提供更高的功率密度,更快的充电速度以及更长的使用周期,这些参数对于可穿戴电子设备的进一步优化与发展至关重要,为可穿戴电子设备的升级提供了更好的保障。

    一种PANI-Co3O4纳米材料的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN112670099B

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202011274731.7

    申请日:2020-11-16

    申请人: 中北大学

    摘要: 本发明公开了一种PANI‑Co3O4纳米材料的制备及其应用,可以在低温条件下将苯胺原位聚合在Co3O4纳米棒表面,干燥后即得到了本发明所述的PANI‑Co3O4复合纳米材料。PANI‑Co3O4纳米材料在电流密度为1A·g‑1时,最大比电容为3105.46F·g‑1(31.05F·cm‑2)。在10A·g‑1的电流密度下,经过3000次的放电‑充电循环后电容量保持率可达74.81%。由于PANI的高电导率,Co3O4丰富的活性位点以及协同效应使PANI‑Co3O4具有优异的电化学性能和良好的稳定性。且该方法简单、易操作、成本低,在超级电容器电极材料方面有很大的应用前景。

    一种微波水热法制备棒状g-C3N4纳米片的方法及应用

    公开(公告)号:CN112717973A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN202011274786.8

    申请日:2020-11-16

    申请人: 中北大学

    摘要: 本发明公开了一种微波水热法制备棒状g‑C3N4纳米片的方法,首先采用氮含量丰富的原料如二氰二胺、三聚氰胺或者硫脲等,在空气气氛中焙烧2~6h,即可得到原始体相氮化碳;然后,采用微波水热合成仪,将体相氮化碳在150~220℃和80~150 W下处理0.5~2h,得到的产物经过洗涤,干燥即可得到厚度约为3μm的氮化碳纳米片。与体相氮化碳相比,用这种技术方案处理的光催化剂的比表面积明显增大。与此同时,该技术可以降低g‑C3N4电子空穴的复合率并加快界面电荷传输。将g‑C3N4纳米片应用到光催化产氢反应中取得了优良的结果,产氢速率比体相氮化碳高出10倍以上。